为为反映使倾向的发生光反映正常发生光和其它与一DBR带的联合DBR被MOCVD种了。为改进被用来在带的AlGaInP红光增加轻抽取效率的常规DBR被分析。在20妈Dc注射电流，带的山峰波长是630nm，和光紧张上轴是137mcd。产量光力量是2.32mW。轻紧张和产量光力量与常规LEDs相比被改进了。CLC数字TN312+.8工作被北京科技委员会(工程数字D0404003040221)支持
光电子快报：英文版
2007年6期
