专利审查中“不支持”与“缺必特”的适用对比

专利审查中“不支持”与“缺必特”的适用对比

张晓杰

国家知识产权局专利局专利审查协作天津中心

摘 要：在专利审查中，权利要求存在“不支持”或“缺必特”的问题十分常见，然而，审查员在法条适用时，容易对两者产生混淆，无法给出准确的审查意见。笔者从法条理解和案件分析两个角度对两者进行了对比，有助于实际审查过程中正确选择法条并给出准确的审查意见。

关键词：不支持；缺必特

1. 法条理解

专利法第二十六条第四款规定，权利要求书应当以说明书为依据，清楚、简要地限定要求专利保护的范围。其中，权利要求书应当以说明书为依据，是指权利要求应当得到说明书的支持，权利要求书中的每一项权利要求所要求保护的技术方案应当是所属技术领域的技术人员能够从说明书充分公开的内容中得到或概括得出的技术方案，并且不得超出说明书公开的范围。可以看出，权利要求书应当以说明书为依据，是对权利要求书与说明书之间关系提出的相关要求，规定了申请人应当合理地、准确地界定请求保护的范围，使得获得保护的权利范围与公开的发明创造的技术贡献相称，即“公开”与“保护”应当是相一致的。

专利法实施细则第二十条第二款规定，独立权利要求应当从整体上反映发明或实用新型的技术方案，记载解决技术问题的必要技术特征。其中，必要技术特征是指发明或实用新型为解决其技术问题所不可缺少的技术特。判断是否为必要技术特征应当从所要解决的技术问题出发并考虑说明书的整体内容。可以看出，该法条是针对独立权利要求而言，是对独立权利要求记载的完整性提出的要求。

二、案例分析

案例1：

本发明涉及一种基于充电电压曲线的电池内部温度在线预估方法，所要解决的技术问题是现有的电池温度测量方法需借助电化学工作站或交流阻抗仪等设备，且该方法的测试需要在电池静止状态下进行测量。

权利要求1：基于充电电压曲线的电池内部温度在线预估方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，电池充电IC(dQ/dV-V)曲线求取；

步骤2，电池IC曲线特征点电压值与内部温度关系求解；

步骤3，基于温度-特征点电压值关系对电池内部温度进行估算。

可以看出，权利要求1中记载了基于“电池IC曲线特征点电压值与内部温度关系”实现电池内部温度的预估，然而，对于电池IC曲线如何求取、曲线特征点与内部温度关系如何求取，权利要求并没有进行具体限定或说明，而根据说明书公开的内容可知，其实质需要采用曲线拟合方式获取曲线，并且基于提取到曲线上的驻点电压值与温度之间关系建立函数关系。显然，权利要求1所概括出的要求保护的范围与说明书中所公开的内容不相称，权利要求保护范围相对于说明书公开的内容过大，因此是不允许的。

案例2：

本发明涉及一种针对大尺寸碳化硅高温反应装置的温场校准的方法，所要解决的技术问题是大尺寸碳化硅高温反应装置会由于设备的使用，配件的老化频繁升降温导致反应线圈应力积累变形导致温场变化，增加了超大尺寸碳化硅器件制造的确定性，因此迫切需要快速判定大尺寸碳化硅高温反应装置的温场变化。

权利要求1：一种针对大尺寸碳化硅高温反应装置的温场校准的方法，其特征在于，所述温场校准方法包括：用于校准高温反应装置的衬底，使用蓝膜覆盖所述衬底背面，在所述衬底表面喷洒含纳米二氧化硅的抛光液，将所述衬底静置数分钟后，清洗所述衬底，洗去表面的抛光液，得到表面上均匀分布有纳米二氧化硅结晶的衬底，揭去所述覆盖所述衬底背面的蓝膜，将所述表面上均匀分布有纳米二氧化硅结晶的衬底放入拟校准的碳化硅高温反应装置中加热至指定温度，降温取出所述衬底，在显微镜下观察所述衬底表面的纳米二氧化硅结晶的分布情况，依据纳米二氧化硅结晶的分布形态得出碳化硅高温反应装置的温场，根据所述碳化硅高温反应装置的温场情况进行校准。

然而根据说明书中的记载内容“通过观测结晶在碳化硅衬底表面的二氧化硅颗粒在大尺寸碳化硅高温反应设备中受热融化并被H2带走的图形分布，可描绘出大尺寸碳化硅高温反应装置的温场，通过温场分布情况进行温场校准”，可以看出，将均匀分布有纳米二氧化硅结晶的碳化硅衬底放入拟校准的碳化硅高温反应装置中同时按照正常生长工艺通入气体H2，加热至指定温度，其中“通入气体H2”也是本发明解决其技术问题必不可少的技术特征，申请人应当将该技术特征记载到该独立权利要求中。

三、结论

根据上述两个案例对比分析，可以看出“不支持”与“缺必特”在适用时的区别，“不支持”是由于在撰写权利要求时对说明书内容进行了不恰当的概括，这种概括过大导致了权利要求所概括的方案中包括了不能解决技术问题的方案，或者，本领域技术人员不能明确还可以采用说明书中未提到的其它方式来解决本申请的技术问题；“缺必特”则是在撰写独立权利要求时，解决技术问题的技术方案存在不完整的情况，缺少了解决技术问题所必不可少的一些技术特征。