简介：微连接是电子产品制造中的关键技术之一,它既是实现芯片设计性能的重要途径,又是制约封装结构发展的瓶颈。微连接技术决定了封装结构的可实行性和可靠性,而随着芯片集成度不断增加,封装结构的创新也成为推动微连接技术发展的重要动力。该文通过对微连接技术及电子封装结构发展历程的研究,探究二者之间的相互关联,并介绍了微连接的几种特点以及几种常见的芯片焊接技术和微电子焊接技术,最后对电子封装结构及微连接技术的未来发展趋势进行了展望。

简介：传统射频LDMOS晶体管的源区采用重掺杂p＋sinker结构,该结构会占据较大的芯片面积。文中采用槽型sinker结构,可将源区sinker面积减少1/3以上。通过流片实验,得到饱和电流为170mA/mm、击穿电压120V、截止频率和最大振荡频率分别为5.5GHz和10GHz的RFLDMOS器件。在50V工作电压、1090MHz频点下栅宽345mm单芯片器件的最大输出功率362W,功率增益15.6dB,漏极效率38.1%。

简介：指挥控制（C^2）组织基本元素间的关系描述和分析是完成C^2组织设计的前提和基础.从描述C^2组织设计的基本概念出发,抽象和建模了C^2组织的基本元素,描述了C^2组织设计过程中基本元素间各类关系,介绍了各类关系的定义和基本属性,最后分析了各类关系间联系,并给出了C^2组织设计过程中各类关系间联系示意图.

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

简介：<正>近日,日亚化学工业股份有限公司宣布将会把应用于汽车显示器(HUD)的蓝色(B)和绿色(G)半导体激光二极管产品商业化。日亚化表示,虽然目前各种半导体激光二极管已实现商业化,但这将是市面上第一个车用的蓝色和绿色产品。公司计划从2014年10月开始出样品,并在2015年10月进行量产。据日亚化介绍,和使用LED相比,通过使用红色、绿色和蓝色半导体激光二极管,