简介：<正>美国安可科技(AmkorTechnology)与美国德州仪器(TI)宣布,共同开发出了利用窄间距铜柱凸点连接芯片与封装底板的倒装芯片封装,并已开始生产。据称,使用铜柱凸点比原来利用焊料凸点可缩小凸点间距,因而可应对伴随芯片微细化而产生的I/O密度增加问题。另外,通过优化铜柱凸点的配置,与普通的面积阵列型倒装芯片封装相比,可削减封装底板的层数,因而还能降低

简介：

简介：皇家飞利浦电子公司日前采用微缩超薄四方扁平无引脚(DQFN)封装，推出业界最小的BiCMOS逻辑器件。飞利浦采用DQFN封装，可以提供与目前较大的BiCMOS逻辑器件同样的性能特征，而封装体积却缩小了35％。

简介：日前．精工爱普生集团宣布将采用一种全新的棕色纸板作为其生产的大幅面打印机墨盒的包装．对比以往使用的白色纸板包装．新包装最大的特点在于可实现100％的回收：与此同时．爱普生还将把墨盒塑料外壳的颜色从以往的灰色改为一种自然色．这一改变使其生产工艺变得更加简单．并不再需要使用染料进行加工．从而减少墨盒塑料外壳的生产过程对环境造成的侵害：更加值得一提的是．由于这种自然色的塑料用途更为广泛．因此．爱普生的这一举措也将对墨盒回收工作也起到一定的促进作用。

简介：<正>据《NIKKEIELECTRONICS》2002年第9—23期报道,日本松下电子新开发了用于GSM手机的天线开关。该器件采用了松下电子开发的LTCC制造技术,厚度由原来的1.8mm降为1.5mm。从而提高了集成度,实现了SAW滤波器的集成。其外形尺寸为6.7mm×5.5mm。该器件的样品价格在506日元～700日元之间,计划2003年7月开始批量生产。

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简介：飞兆半导体公司推出一款USB2，0开关——FSUSB30，在现今日趋小型化和复杂化的电子产品中，能够最大程度地节省线路板空间，并拥有最佳的下载性能。FSUSB30在尺寸极小（1．4mm×1．8mm×0．55mm）的UMLP封装中集成了业界领先的带宽（〉720MHz）、低导通电容（6pF）以及最高的ESD保护（8kV）功能，从而实现高数据传输率、更小的ESD效应及出色的信号完整性。FSUSB30甚至在最小尺寸的终端应用产品中也能节省空间。

简介：采用Lighttools仿真软件对荧光粉散射特性进行理论分析,提出透光率≥95%的平面高硼硅玻璃作为COB基板。结果显示,在常见的荧光粉粒径大小与浓度下,荧光粉反向散射可达29%。采用高透光玻璃作为基材,增加了荧光粉反向散射光线的利用率,并制作了双面发光的高取光率长条形COBLED并表征其性能参数与可靠性试验。该暖白光3000KCOBLED具有180lm/W高光效,发光角度大于250°,色容差小于5SCDM,可靠性好。与陶瓷基板、铝基板的COBLED结构相比,该结构可提高取光率约15%,有潜力用于大功率LED封装应用。

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简介：碳纳米材料家庭中的两名重要成员——碳纳米管和石墨烯,一直以来仅在实验室出现身影,近日却联手合作,加速相关研究进展,如混合能源储存应用,超电容器等。近日,密歇根科技大学的研究者将这两种纳米材料结合,应对一个难度更大的应用领域:电子器件。具体的一个例子就是,研究者们通过叠加碳纳米管和石墨烯成功制成电子开关。

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简介：Semtech公司日前推出ESD保护器件μClamp3324P，采用2．1×1．6×0．58mm无铅封装，尺寸比同类产品小77％。

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简介：<正>VishayIntertechnology公司日前宣布推出采用小型PowerPAK1212—8封装的业界首款200V功率MOSFET器件。该器件封装的面积为3.3mm×3.3mm,高度仅为1.07mm,其在提供极为卓越的热性能的同时提供了比SO—8解决方案更小的尺寸。PowerPAK1212—8封装的功率消耗为3.8W,几乎是任何具有TSSOP—8封装尺寸或更小尺寸的MOSFET器件的两倍。该封装典型的热阻仅为1.9℃/W,而SO—8的为16℃/w。除空间节约及其高电压性能外,Si7820DN还具备240mΩ的导通电阻和12.1nC的栅极电荷。新型功率MOSFET的工作结温和存放温度范围规定为—55℃～+150℃。

简介：全球领先的产品生命周期管理（PLM）软件和服务提供商UGS公司近日宣布，西门子发电集团旗下公司，西门子燃气轮机部件有限公司选择并成功实施了TeamcenterExpress作为其PLM平台。

简介：据慧聪化工商务网2003年7月11日讯过去20年,人们利用结构可靠性分析(SRA)方法获得的结果,已经制定了腐蚀性油气管道未来安全运行策略。安全运行策略涵盖了对管道最佳复查间隔期的确定、重新检测额度的规定、管子腐蚀速率的降低,以及在需要对某些管

简介：<正>"现在,业界对GaN功率元件的期待已达到最高峰。实际上这的确是一种非常有前景的材料。但其中还有很多未知的部分,采用还为时尚早",在与汽车展会"AUTOMOTIVEWORLD2014"同时举办的研讨会上,英飞凌科技负责汽车用高压功率半导体和驱动IC等业务的电动动力传动系统部高级总监Mark-

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简介：文章提出了一种基于Dickson原理的电荷泵电路，采用齐纳管作为开关器件。该电路克服了采用MOS管作为开关器件的Dickson电路在多级级联时的转换效率急剧下降问题，并且可以利用齐纳管来稳定输出电压.Spice仿真结果显示，五级齐纳电荷泵可以轻松在3V电源电压下实现10V左右的稳定电压输出。该电路结构简单，与标准CMOS工艺兼容，具有较高的应用价值和经济价值，

简介：在并行FIR的快速迭代短卷积算法（ISCA）基础上，采用多级小尺寸并行FIR结构级联结构，实现了一种新型并行FIR滤波器。在增加一定量的加法器和延迟单元等弱运算强度单元的情况下，大大减少使用的乘法器数量。一个采用3级（2×3×6）级联结构的2并行36抽头FIR滤波器仅需18个乘法器，比单级ISCA算法实现的FIR结构节省了67％，更适合于专用并行FIR滤波器的VLSI实现。