简介：工作情绪一项由全球人力资源顾问TowersPerrin及其合作伙伴Gang&Gang公司共同研究的课题显示,与以前的情况大有不同的是,北美的雇员对工作的热情正在慢慢减退,并变得消极起来.其中,这篇报道是第一篇通过Gang&Gang开发的情感方法论来量化工作中情感元素的研究报告.

简介：<正>据报道,日本富士通公司开发出了新型倒装芯片封装技术。该技术可形成35微米超细间距的焊点和高精度的倒装芯片互连。与传统倒装芯片互连相比,该项技术突破性将连接密度提高了大约50倍。传统的倒装芯片技术为了避免焊点间的短路,焊点间距大约介于

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简介：我国目前的溶剂油生产,绝大多数是呆用简单的精馏方法,原料采用炼油厂的直馏分油技术,硫、氮含量高,芳烃、不饱和烯烃含量多,致使产品味道大、毒性强、颜色重,虽然能够满足溶解性和经济性的需要,但远远不能满足特殊场合的需要。尤其是加入WTO以后,世界经济一体化,溶剂油产品的质量标准逐步提高,我国特殊场合的溶剂油几乎全部依赖进口。

简介：Xcode是苹果电脑最新一代的开发工具，它的着眼点在于使开发人员能够大幅减少等待时间，把更多的时间用于编码。它把一些熟悉的用户界面设计和卓越的性能技术，革命性地集成在一个开发环境中，为开发过程中常用的而又消耗时间的任务提供流水线服务。

简介：<正>据日本媒体NihonKeizaiShimbun报道,日本有色金属制造商DowaMin-ing有意批量生产蓝宝石基的GaN衬底材料。总部位于东京的Dowa公司将与名古屋工业大学合作开发上述产品,某些技术将由NGKInsulators公司提供。Dowa公司预计向这个新项目投资超过4600万美元,在2007年财年一开始就投入量产,并预期在2008财年期间产品的销售收人达到9000万美元左右。

简介：信息产业部无线电管理局副局长谢飞波在“2006无线通信应用（国际）研讨会”上表示，在无线领域，中国在频率分配方面应有自己的立场，设备厂商应重视1．8GHz产品开发。谢飞波认为，目前我国1．8G频段的资源主要用于由信威公司开发的SCDMA，而目前还少有国外主流厂商的产品支持该频段。中国作为世界通信的主要市场，巨大的需求理应受到国内外设备厂商的充分重视。

简介：1月13日，日本松下电器与奥林巴斯公司宣布，两家将合作开发单镜反光（SLR）数码相机技术以及SLR相机相关的组件，包括机身以及镜片，但最终产品则将以各自品牌发展。

简介：烟台海德清洁机械有限公司(烟台海德专用汽车厂)YHD5100TSS多功能养护车是利用德国技术最新开发的一种综合多功能养护车辆,主要用于城市道路洒水、清洗、冲刷道路护栏、园林绿化带喷洒浇水,兼有路边树木喷药及城市下水道疏通、吸污,应急消除等多种功功能。

简介：当我国硬实力取得了举世瞩目的巨大提高时,以文化产品出口为标志的软实力,却远远不能与之相称.随着数字电视、游戏产业等文化信息产业日益发展为信息产业的上游,软技术、文化力逐渐取代硬技术,成为产业核心竞争力.一个重要而被普遍忽视的线索,是对于信息时代认同的研究.我们大多数人把认同当作边缘问题,没有足够重视.这多多少少影响了我们软实力的提高.我们不可想象:没有价值认同作为基础的文化产品,可以对别人产生强大的吸引力.

简介：日前，一种可利用自来水固化的在印刷线路板中使用的墨水状环氧树脂，由日本Yamatoya商会研制成功，并在“2005年第35届国际电子电路产业展”上展示。

简介：<正>据《OplusE》(日)2003年第9期报道,日立制作所正着手开发使用SiGe衬底的80Gbit光通信IC。高速光通信IC通常使用价格昂贵的GaAs衬底等化合物半导体材料。日立制作所采用分割多重技术,并使用SiGe衬底材料,使低价格优质产品投放市场。随着高速化光通信网的快速发展,80Gbit光通信IC的需求不断增加,开发SiGe衬底80GbitIC是对GaAsIC的一次挑战。

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简介：<正>日本三菱电机开发了用于76GHz毫米波车载雷达的8个品种的MMIC。其中1个用于T/R组件的天线切换开关MMIC,5个用于发射系统的MMIC和2个用于接收系统的MMIC。

简介：<正>据《华强电子世界》报道,日本东芝公司和NEC电子公司近日公布,将合作开发下代系统大规模集成电路(LSI)。由于东芝公司同时也在与索尼公司进行

简介：<正>乌克兰国立敖德萨综合技术大学科学家杜布科夫斯基和杰尼索娃认为,在自然或人工环境下,对流微弱的水体中蕴藏着可观的热能,开发利用大有潜力。

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简介：<正>M/A—Com公司开发出一种新的用于双波段、三波段和四波段GSM/GPRS/EDGE手机用的单刀6掷开关和被该公司称之为业界最小的用于GSM/GPRS无线用途的四波段发射组件。这种型号为MASWSS0091的新型开关是2.5V单极6掷高功率GaAs开关,是用0.5μm栅长GaAspHEMT工艺制作的。上述型号为MASWSS0091发射组件组合了PHEMT天线端口开关、两个双波段InGaPHBT发射功放、一个CMOS控制器和用于匹配和滤波的集成无源网络,其体积为0.03cm~3。

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简介：随着三维叠层封装、MEMS封装、垂直集成传感器阵列以及台面MOS功率器件倒装焊技术的开发，硅通孔互连技术正在受到越来越广泛的重视和研究。文中叙述了几种硅通孔互连技术的制造方法，以及它们在三维封装、MEMS封装、高密度硅基板、垂直集成传感器阵列和台面MOS功率器件等方面的应用。最后，进一步阐述了硅通孔互连中几项关键技术的研究现状以及存在的挑战。