简介:V型槽侧面耦合是目前双包层光纤抽运光耦合的方法之一。本文提出了一种二透镜光学系统的耦合模型,并利用几何光学的ABCD矩阵分析和计算了透镜焦距与激光二极管阵列(LD—Arrays),透镜,双包层光纤(DCF)三者之间间距的关系,同时通过计算确定了V型槽所开的最佳角度。通过数值模拟计算发现透镜焦距的选取在很小范围内会引起两透镜间距的剧烈变化而且激光二极管与透镜的间距以及两透镜间的间距主要取决于靠近激光二极管那个透镜的焦距大小。本文的分析和计算对V型槽侧面抽运的光学耦合系统中透镜焦距的选取以及LD,透镜,DCF三者之间间距的设置的最优化提供了理论指导。
简介:提出了一种积累型槽栅超势垒二极管,该二极管采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极管正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极管开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明,在相同外延层厚度和浓度下,该结构器件的开启电压约为0.23V,远低于普通PIN二极管的开启电压,较肖特基二极管的开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。
简介:前言近年来,随着人们环保意识的提高,在LCD制造工厂,降低清洗设备使用的药液、纯水、排气等的用量及降低废液、废水处理负荷已经成了最大的课题.
简介:NOR型FLASH存储器因其能够长久地保持数据的非易失性(Non-Volatile)特点,被广泛用作各类便携型数字设备的存储介质,但由于此类器件的编程及擦写均需写入特定指令,以启动内置编程/擦除算法,从而使得采用自动测试系统对其进行测试也具有较高难度。因此,研究NOR型FLASH存储器的测试技术,并开发此类器件的测试平台具有十分重要的意义。首先以AMD公司的AM29LV160DT为例,介绍了NOR型FLASH存储器的基本工作原理,接着详细阐述了一种采用J750EX系统的DSIO模块动态生成测试矢量的方法,从而能够更为简便、高效地对NOR型FLASH存储器的功能进行评价。