简介:在研发一套基于0.18μm工艺的全新半导体芯片时,由于芯片工艺的要求我们将标准0.18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN+SION改为SIN,但却引进了PID(等离子体损伤)的问题。当芯片的关键尺寸减小到0.18μm时,栅氧化层变得更薄,对等离子体的损伤也变得更加敏感。所以如何改善PID也成为这款芯片能否成功量产的重要攻坚对象。这一失效来源于接触孔阻挡层的改变,于是将改善PID的重点放在接触孔蚀刻阻挡层之后即后段工艺上。后段的通孔蚀刻及钝化层的高密度等离子体淀积会产生较严重的等离子体损伤,因此如何改善这两步工艺以减少等离子体损伤便成为重中之重。文中通过实验验证了关闭通孔过蚀刻中的磁场以及减小钝化层的高密度等离子体淀积中的溅射刻蚀功率可以有效改善芯片的等离子体损伤。通过这两处的工艺优化,使得PID处于可控范围内,保证了量产的芯片质量。
简介:四川长虹公告称,该公司旗下的等离子(PDP)显示屏及模组项目一期工程建设已全部完成,2009年1月进入批量试产,计划3月份正式量产。受去年四川汶川地震等综合因素影响,四川长虹推迟了PDP屏项目的量产时间。公告还表示,四川长虹去年发行分离交易的可转换公司债券募资之后,两次向负责运营PDP屏项目的四川虹欧显示器件有限公司(下“四川虹欧”)增资共4亿元,目前四川虹欧的注册资本约为3.5亿美元、实收资本为2.75亿美元,四川长虹控股50.94%。现在四川虹欧PDP项目设备安装已全部结束,已小批量试产多品种的高清屏模组和全高清屏模组。
简介:提高紧耦合天线的隔离度是雷达、通信和电子对抗等许多领域中提升系统性能的技术之一,目前的方法大多以牺牲天线辐射效率为代价。研究了一种基于反相耦合相消理念的去耦方法,可以在极小间距情况下实现天线单元之间的高隔离度,并且保持较高的天线增益。利用一种微带双天线结构来验证这一方法,这种结构的两个天线都工作于1.8GHz,相互间的间隔为10mm(1/16波长),仿真和实验结果说明,两个天线间的隔离可以低于-20dB。经仿真结果显示该结构中的天线增益要大于0dB,与不经隔离设计时的同结构同尺寸天线差别约1dB。初步实现了在较小地影响辐射性能的前提下实现紧耦合天线之间的高隔离目标。
简介:V型槽侧面耦合是目前双包层光纤抽运光耦合的方法之一。本文提出了一种二透镜光学系统的耦合模型,并利用几何光学的ABCD矩阵分析和计算了透镜焦距与激光二极管阵列(LD—Arrays),透镜,双包层光纤(DCF)三者之间间距的关系,同时通过计算确定了V型槽所开的最佳角度。通过数值模拟计算发现透镜焦距的选取在很小范围内会引起两透镜间距的剧烈变化而且激光二极管与透镜的间距以及两透镜间的间距主要取决于靠近激光二极管那个透镜的焦距大小。本文的分析和计算对V型槽侧面抽运的光学耦合系统中透镜焦距的选取以及LD,透镜,DCF三者之间间距的设置的最优化提供了理论指导。