简介:在技术成熟度的评价过程中,现有的TRL(技术成熟度等级)评价方法、TRIZ(发现并解决问题的理论)评价法以及性能预测法均存在有效数据缺乏和评价结果不够精确等不足。采用了基于文献统计的方法,探索技术成熟度的评价方法及实施流程。研究技术指标的构建方法,结合logisticregression(逻辑回归)技术,构建技术发展模型,以保证数据的有效性和拟合结果的准确性。针对二维、三维及系统级多芯片模块3种技术,开展方法的应用研究。研究结果表明,基于文献统计方法的多芯片模块技术的评价结果能合理地解释实际情况下技术的发展程度,验证了文章提出方法的可行性。
简介:提出了一种新的恒虚警检测算法SOSGO-CFAR。该算法应用检测单元采样作为选择参考单元的依据,使用了基于转换恒虚警(S-CFAR)和排序选大恒虚警(OSGO—CFAR)的复合算法。文章给出了该算法在均匀背景中的数学分析。并在均匀背景、杂波边缘和多目标情况下,用MonteCarlo方法进行了仿真分析。结果表明,该检测器既具有均匀背景下和CA-CFAR相近的良好性能,在杂波边缘环境中,具有接近OSGO-CFAR的性能,且在多目标环境中,其性能明显好于S-CFAR。
简介:Dy3+/Eu3+共掺杂的立方格子NaYF4单晶在~Φ×1厘米大小为10厘米高质量的改进布里奇曼法用氟化钾(KF)作为助熔剂生长。射线衍射(X射线衍射),吸收光谱,激发光谱和发射光谱测量的晶体的相位和发光性能的晶体。分析了激发波长和Dy3+和Eu3+离子浓度对发光特性的影响。NaYF4单晶的掺杂摩尔浓度的1.205%和0.366%的Eu3+,Dy3+具有优良的白色发光的色度坐标x=0.321,y=0.332。这表明Dy3+/Eu3+共掺的立方格子NaYF4单晶可以潜在的发光材料的紫外(UV)光激发的白光发光二极管(LED)。