简介：一年一度的全球消费电子盛典——2011国际消费电子产品展（简称CES）在拉斯维加斯再度揭开序幕。CES堪称消费电子业界的世界杯，在百万平方英尺展区内吸引了来自2700个展商和来自110个国家约14万参展人员。多元化科技创新领导者3M公司以多种前沿科技为参展者呈现了数字沟通的变革方向以及交互和移动式交流的更高境界，由此成为展会亮点之一，受到了与会人员和全球媒体的广泛关注。

简介：Forenhancingthe2.0μmbandfluorescenceofHo3+,acertainamountofWO3oxidewasintroducedintoHo3+/Tm3+/Yb3+tri-dopedtelluriteglasspreparedusingmelt-quenchingtechnique.Thepreparedtri-dopedtelluriteglasswascharacterizedbytheabsorptionspectra,fluorescenceemissionandRamanscatteringspectra,togetherwiththestimulatedabsorption,emissioncross-sectionsandgaincoefficient.TheresearchresultsshowthattheintroductionofWO3oxidecanfurtherimprovethe2.0μmbandfluorescenceemissionthroughtheenhancedphonon-assistedenergytransfersbetweenHo3+/Tm3+/Yb3+ionsundertheexcitationof980nmlaserdiode（LD）.Meanwhile,themaximumgaincoefficientofHo3+at2.0μmbandreachesabout2.36cm-1.Anintense2.0μmfluorescenceemissioncanberealized.

简介：Wepresenttherecentresearchprogressesofourgrouponmid-infraredpulsedfiberlasersat3μmbypassiveswitching.Threedifferentkindsofsaturableabsorbersincludingsemiconductorsaturableabsorber(SESAM),Fe2+:ZnSecrystal,andtopologicalinsulator(TI)wereusedtoperformthepulsegeneration,respectively.Thetemporalregimesofmodelocking,Q-switching,andQ-switchinginducedgainswitchingweregained.Somerelativediscussionsandprospectiveeffortsareproposedattheendofthispaper.

简介：Er3＋/Ce3＋共掺碲酸盐玻璃的组成teo2-geo2-li2o-nb2o5使用常规的熔融淬火技术在Er3＋的潜在应用掺铒光纤放大器（EDFA）的制备。测定了玻璃样品的吸收光谱、上转换光谱和1.53μm波段荧光光谱。结果表明，1.53μm波段的荧光发射强度的Er3＋掺杂的碲酸盐玻璃光纤与Ce3＋引入适量明显改善，这是由于能量转移（ET）Er3＋Ce3＋。同时，1.53μm波段的光信号放大是基于速率方程和功率传输方程模拟，并在约2.4dB信号增益的增量在1532nmEr3＋/Ce3＋共掺碲酸盐玻璃纤维被发现。最大信号增益达到29.3dB的一个50厘米长的光纤在980nm泵浦功率为100MW，结果表明所制备的Er3＋/Ce3＋共掺碲酸盐玻璃是一个很好的增益介质的应用1.53μM宽带高增益掺铒光纤放大器。

简介：All-opticalwavelengthconvertersareexpectedtobecomekeycomponentsinthefuturebroadbandnetworks.Hereatwo-segmentDFBlaserforthefirsttimeisusedasanall-opticalwavelengthconverter.Usingthislaser,all-opticalwavelengthconversionfrom1.3μmtp1.55μmisdemonstrated。

简介：1前言近年来,超LSI开发进展十分惊人.虽然代表0.5μm时代器件的16MDRAM,由于受到当时半导体业不景气的影响而其开发比当初预测要迟些,但其批量生产逐渐达到稳定化.同时,下一代器件--64MDRAM和256MDRAM的研究开发依然如预测的进度进行着,现状是:丝毫未感到开发进度在放缓.

简介：没有增加反馈调制轻路径系统，非对称3×3联合光加速表减少光的设计的复杂性路径系统。实验证明它能达到好解调效果。当搬运人不在这个系统被需要，输入信号的频率范围被减少以便减少加速表的采样频率。这在可编程的薄片(SOPC)上为系统做数字使解调的设计系统。加速表工作频率罐头活动范围3500Hz的上面的限制。但是由敏感部件的固有的频率影响了，它的工作频率是10Hz～1000Hz，和敏感是8。7180V/(m？s~(-2))。这张加速表能检测加速信号的动态范围真实及时，稳定地并且精确地，解决轻路径的非对称的问题由情形和进程的复杂性引起了。

简介：　　1前言　　1994年开始大批量生产16MDRAM,作为研究开发阶段也是从以64MDRAM为代表的0.4μm器件过渡到以256MDRAM为代表的0.25μm器件.　　……

简介：Superluminescencediode(SLD)moduleswithwidespectrumcharacteristicsarerequiredinfibergyroscopes.A1.3μmbutterflypackagedsuperluminescencediodewiththespectrumwidthover30nmisreportedandrecentadvancesinprocessofSLDisdescribedinthepaper.TheSLDmoduleshavebeenappliedtofibergyroscopes.

简介：文章基于Mintab软件,运用Precision5000等离子刻蚀技术研究0.8μm多晶栅刻蚀中功率、压力、HBr流量、Cl2流量对刻蚀效果的影响。获得了四个因素对刻蚀效果影响的主次关系,同时由Mintab软件分析获得了各因子效应的pareto图,各因素对多晶条倾斜角度影响的主效应图,各因子对刻蚀效果的正态分布图,并拟合获得了多晶栅刻蚀的最优化条件。运用最优化条件刻蚀多晶栅,其结果表明剖面倾斜角度及表面形貌均能达到MOS器件的工艺制造要求。

简介：宇宙空间存在大量高能粒子,这些粒子会导致空间系统中的CMOS集成电路发生单粒子闩锁。基于0.18μmCMOS工艺,利用TCAD器件模拟仿真软件,开展CMOS反相器的单粒子闩锁效应研究。结合单粒子闩锁效应的触发机制,分析粒子入射位置、工作电压、工作温度、有源区距阱接触距离、NMOS和PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响,并通过工艺加固得出最优的设计结构。重离子试验表明,采用3.2μm外延工艺,可提高SRAM电路抗SEL能力,当L1、L2分别为0.86μm和0.28μm时,其单粒子闩锁阈值高达99.75MeV·cm^2/mg。

简介：从亚微米进人到1/4μm时代,VLSI工艺中的平坦化技术与其它的微细加工技术一起被广泛采用.

简介：1超微细MOS中的离子注入对于离子注入技术,可以说从浅结注入开始大约已有10年的研究历史,有关该技术的研究结果已有一些已经发表,诸如,预非晶化和低能量注入以及灯退火(RTA).

简介：Asimpleandeffectivegreedyalgorithmforimageapproximationisproposed.Basedonthematchingpursuitapproach,itischaracterizedbyareducedcomputationalcomplexitybenefitingfromtwomajormodifications.First,ititerativelyfindsanapproximationbyselectingMatomsinsteadofoneatatime.Second,theinnerproductcomputationsareconfinedwithinonlyafractionofdictionaryatomsateachiteration.Themodificationsareimplementedveryefficientlyduetothespatialincoherenceofthedictionary.Experimentalresultsshowthatcomparedwithfullsearchmatchingpursuit,theproposedalgorithmachievesaspeed-upgainof14.4～36.7timeswhilemaintainingtheapproximationquality.

简介：

简介：ResearchandMarkets最新研究了未来移动通信的发展、以及驱动移动通信向后3G发展的因素。

简介：本文对基于平行排列3×3耦合器的光纤器件进行了研究.平行排列3×3耦合器不仅可以实现双端口光开关、全光缓存器、光纤谐振腔等器件,而且可以用作可调耦合比的耦合器.由于平行排列3×3耦合器的弱耦合特性和平行排列结构,使得基于平行排列3×3耦合器的光器件具有许多独特的特点.更重要的是,由于这种耦合器的平行排列结构,使得它很容易做成平板波导结构,形成各种集成光器件.

简介：Areviewontheprogressofpowerful2μmsilicafibersourcesinpastdecadesispresented.Wereviewthestate-of-the-artrecordsandrepresentativeachievementsof2μmhigh-average-powercontinuouswave,pulsedfiberlasersandamplifiers,andpowerfulsuperfluorescentsources.Challengeswhichlimitthefurtherpowerscalingof2μmsilicafibersourcesarediscussed,includingpumpingbrightnesslimitation,thermalproblem,andnonlineareffects.Potentialandpromisingroadmapstogobeyondtheselimitations,liketandempumpingandbeamcombining,arediscussed.Prospectsofpowerful2μmsilicafibersourcesarealsopresentedintheendofpaper.

简介：Self-organizedIn0.5Ga0.5As/GaAsquantumislandstructureemittingat1.35μmatroomtemperaturehasbeensuccessfullyfabricatedbymolecularbeamepitaxy(MBE)viacycled(InAs)1/(GaAs)1monolayerdepositionmethod.Photoluminescence(PL)measurementshowsthatverynarrowPLlinewidthof19.2meVat300Khasbeenreachedforthefirsttime,indicatingeffectivesuppressionofinhomogeneousbroadeningofopticalemissionfromtheIn0.5Ga0.5Asislandsstructure.Ourresultsprovideimportantinformationforoptimizingtheepitaxialstructuresof1.3μmwavelengthquantumdot(QD)devices.

简介：　　1前言　　关于LSI的高密度化,现以DRAM为例来说,则是从16M开始至64M出厂样品.对于逻辑电路来说,0.5μm级的产品化正在开始.　　……