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  • 简介:当今世界尊崇人数最多、起源历史最悠久的传统节日之一——中国春节,正在经历着一场“新技术革命”,内容繁复的传统习俗越来越多地受到互联网的冲击。

  • 标签: 传统习俗 春节 网络 新技术革命 互联网
  • 简介:<正>横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmeshV系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现

  • 标签: MDmesh V ST 意法半导体 通态 半导体供应商
  • 简介:在这个“互联网+”的时代里,人人都在论价值、谋变革,有待时而动,一飞冲天.一大波新IT技术正强力搅动互联网的变革,究竟该如何“借势起义”,更好的改变未来呢?对于这个时下最为热议的话题,想必只有在行业中取得过斐然成就的精英人士才能给出最贴切的解释,而这非腾讯科技(深圳)有限公司高级总监杜健莫属.多年来,他针对网络安全设计出几十款百/千万级用户量的产品.

  • 标签: 网络安全设计 互联网 IT技术 腾讯
  • 简介:摘要近期华为手机发布了第一款折叠型5G手机,广泛吸引了国内外的关注,2019年被视为5G的开局之年,其带着势不可挡的力量逐渐走入人们的生活。由4G发展而来的5G通信,其高数据传输速率、低延迟、频谱效率等先进之处代表着无线网络技术的根本性转变。本文从5G技术的概念入手,探析5G技术对于我们的社会发展能做出怎样推进式的贡献。

  • 标签: 5G通信 人联网 物联网 车联网
  • 简介:<正>Rockwell公司新推出满足L和S波段功率需求的大功率晶体管及50ohm匹配功放模块。MESFETRF晶体管T4200将从基带至S频段提供25W的连续波输出功率。L1700功放模块提供35W的连续波功率。它专为950~1500MHz:频率范围设计,功率增益为10dB.通过与

  • 标签: ROCKWELL MESFET 功放模块 大功率晶体管 连续波 功率增益
  • 简介:AT&T官员说,AT&T将在第四季度使用pre-WiMAX设备,在亚特兰大开展无线宽带接入试验。AT&T接入产品管理副总裁斯福德布朗说,经过最初在米德尔顿开展小型试销市场后,AT&T根据顾客的建议和反馈,将在亚特兰大郊区和市区启动四个商用试验网络,以此来评估技术试验。

  • 标签: AT&T 亚特兰大 WIMAX 推行 无线宽带接入 第四季度
  • 简介:TherehavebeenseveralmethodsfordeterminingTwave-end.ButnoneofthemcanovercomethedifficultyfrommultiformityofECGsignalpattern.Inthispaper,amethodfordeterminingTwave-endusingevolutionaryalgorithm(EA)isproposed.Inthisway,first,everycharacteristicparameterrelatedtoTwave-endisencodedtoastringofcodes,andadaptationfunctionisconstructedwiththestringofcodes.Thenchoosetheindividualaccordingtotheadaptationfunctionvalueanddogeneticoperation(reproduction,crossoverandmutation),soastoproduceoffspringwithmoreadaptationfunctionvalue.BecauseofEA'sautoadaptationandautoorganizationcharacter,itcantraceECGsignaltypeandfindtheTwave-endautomatically.ExperimentresultsshowthattheerrorratioofrecognizingTwave-endusingthismethodismuchsmallerthanthatusingexistingmethod.

  • 标签: T wave-end ADAPTATION FUNCTION GENETIC operation
  • 简介:意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM5×6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度,已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。

  • 标签: MOSFET管 微型封装 功率密度 汽车系统 散热 双面
  • 简介:T/R组件的热设计是有源相控阵雷达的核心技术之一。在脉冲周期状态下,T/R组件中的功放芯片在很短的时间内,芯片沟道温度会产生快速的变化。针对芯片在脉冲周期中的瞬态温度响应问题,对芯片沟道温度的瞬态变化进行仿真研究,并利用红外热分析仪进行测试验证。将仿真结果与实验结果进行对比,两者结果吻合较好,满足T/R组件的使用要求。

  • 标签: 瞬态温度 热仿真 T/R组件
  • 简介:10月22日,BTOpenzone和T—MobileUS宣布一项协议,将相互为对方的用户提

  • 标签: Wi—Fi 协议 漫游 US 用户 BT
  • 简介:<正>据报道,达方电子在既有高频通信组件的基础下,用两年时间自行开发完成了GSM/DCS双频及GSM/DCS/PCS三频天线T/R开关模块。该模块尺寸为5.4mm×4.0mm,为目前世界中最小尺寸。双频T/R模块已通过中国手机大厂认证,并小量交货,2003年底出货100万枚。三频T/R模块目前正在与国内

  • 标签: T/R 高频通信 最小尺寸 双工器 及三 低通滤波器
  • 简介:<正>据《Jpn.J.Appl.Phys》2005年第16期报道,日本情报通信研究中心成功研制了毫米波大功率GaN异质结场效应管。研究小组在蓝宝石衬底上通过RF-MBE生长了高Al组分和具有超薄Al-GaN势垒层的AlGaN/GaN异质结构,使其获得很大的二维电子气浓度。有效地抑制了沟道阻抗,栅长为60nm的短栅器件,电流增益截止频率fT为152GHz,最大振荡频率fmax为173GHz。

  • 标签: AlGaN GHZ f_T 电流增益 场效应管 栅长
  • 简介:封装是T/R开关的关键环节。开关封装失效主要包括外壳失效和LTCC基板失效。为了避免T/R开关失效,利用ANSYS14.0对封装进行模态仿真及加速度瞬态仿真,找出开关封装的加速度响应值以及受到应力时的频率特性,并通过随机试验和半正弦冲击试验验证仿真结果,验证封装可靠性。试验结果表明,目前的T/R开关封装可以保证组件能够承受40g以上的加速度冲击和振动。

  • 标签: T/R开关 封装设计 有限元分析
  • 简介:T/R组件的热设计是有源相控阵雷达的核心技术之一。文章提出了针对高密度组件的各种散热措施,采用热仿真软件对T/R组件沟道温度进行仿真研究,并利用红外热分析仪进行测试验证,并将仿真结果与实验结果进行对比,两者结果吻合较好,满足T/R组件的使用要求。

  • 标签: T/R组件 热设计 高密度