简介：本文分三个专题，介绍了IEEE第15届国际功率半导体器件和集成电路研讨会(SPSD’03)上有关IGBT的第二部分文章，供专业人士参考。

简介：本文介绍了弹性波电动机、压电陶瓷微粒移驱动器、超声波电动机、超微型电动机、片式无刷电动机、形状记忆合金执行器等几种微特电机的基本原理、结构、特点以及国内外研制开发和应用的概况。

简介：

简介：过去几年里，中小功率的UPS电源设计已经越来越多的采用无变压器电路原理，这不仅使得成本进一步优化，而且将给制造技术带来全新的面貌。随着UPS电源向高功率领域扩展，这一电路原理还不能完全的适用，还需要增添新的原理。本文介绍了关于这一新的电路原理及其控制结构，它使无变压器UPS电源的新潜力得以发挥。文章给出了这一技术的基本层面，并展示了一系列高功率UPS电源的新的研究成果。

简介：

简介：近年来随着电子设备的小型轻量化和高性能化，高密度封装的半导体器件等正在飞速地发展成多针化和窄间距化(见图1)，为此，要求小型轻量化和高密度细线化的印制电路板与此要相适应，方能满足半导体器件高精度封装技术要求。于是在90年代初期，松下电子部品(株)研制和开发出新型的积层式多层板，并实现产量化。并与96年实现全层积层构造(全层IVH构造)的树脂多层印制电板，

简介：IGBT是一种新型的功率器件，经过几代重大技术改革，已成为功率器件家族中应用最广泛的成员之一，除了巩固1000V-2000V领域的成功应用继续向更大功率的方向发展外，还在开拓300V-600V范围的应用。本文从研发和生产的角度，阐述IGBT在器件结构优化、工艺制造、器件封装、可靠性方面的最新进展、存在的问题和可能的解决途径。

简介：SEMiX13是六管封装IGBT模块，它和SEMiX3标准IGBT半桥模块具有相同的设计原理，该原理已经得到良好的验证。SEMiX13具备和SEMiX产品平台良好的向下兼容性。

简介：明年3G牌照发放前，完全拥有“中国芯”的新一代手机可望诞生。近日从上海锐迪科微电子（RDA）公司获悉，其在国内独立开发并拥有自主知识产权的第三代移动通信TD—SCDMA终端射频芯片研制成功，目前应用该款芯片的手机制造和调试进展顺利。

简介：

简介：本文一方面说明了在通用电力公司（AEG）产品Protect2中使用的一种新型无变压器不间断电源（UPS）的特性，另一方面，说明了它是如何通过基于16位和32位的处理器的灵活的计算机控制方法、复杂的FPGA和分布式的测量结构来实现的。

简介：Atmel公司近日宣布为8倍DVD双层写速度推出两款新的激光二极管驱动器ATR0839和ATR0849。这些新器件拓展了Atmel现有的用于较高写速度的LVDS（LowVoltageDifferentialSignals）激光二极管驱动器系列。

简介：为满足业界对其高性能、耐辐射RTAX—S系列现场可编程门阵列(FPGA)的需求,Actel公司宣布推出25万门RTAX250S型FPGA,进一步拓展该系列产品至涵盖三款装置,密度范围由25万至200万等效系统门。

简介：TI公司日前宣布推出一款全新模数（A／D）视频解码器。该款高性能、低成本解决方案在同一芯片上集成了4个独立的视频解码器，因而非常适合视频监控等多输入视频应用。高度集成的全新TVP5154四通道A／D视频解码器能够显著简化布局，与前代产品相比可节省高达25％的板级空间。此外，TVP5154的每个通道均采用可编程的水平／垂直（H/V）换算器，这种设计可减轻相关视频处理器处理负载的负担，使开发人员拥有更大的空间来实施增值算法。

简介：日前，德州仪器（TI）宣布推出一款支持3．1V至17V输入电压的1．5ADC／DC降压转换器一TPS62110。该小型集成电路（IC）的功率效率高达95％，能够显著延长依靠两至三节锂电池（或电源电压为12V的）供电的工业手持设备、便携式测试设备以及消费类电子设备的电池使用寿命。

简介：本篇文章介绍了适合瞬态模式的PFC预调节新控制IC。在一个标准的TMPFC控制器的核心基础上，它提供了一个附加的功能，帮助实现无源器件所需要的补助功能，否则它将需要相当复杂的外部电路。这篇文章很详细得描述了这些功能，并提供了一系列的例子让大家更好得享受这个新IC带来的简化以及低廉的成本。

简介：2004年，赛米控集团创造了公司成立以来创纪录的销售业绩。此外，在中国和美国等关键市场上还取得了40％的增长。时值SEMICONChina2005在上海新国际会展中心举行，记者有幸采访了赛米控大中华区总经理任力新先生（以下简称“任总”）。

简介：从超小型铝电解电容器CD11E的特点和性能要求出发，进行结构设计，选用主要材料，研制专用工作电解液，确定专用设备，以及分切、铆接、装配等关键工艺。根据生产实际，调整检验项目及标准，引入一系列新的检验设备和方法，实现了超小型产品的正常生产。

简介：为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求，研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施，它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFET^TM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说，它受益于新型集成技术，还可能由新技术带来内在的多样性和灵活性。本文阐述了实际的电压调节模块(VRM)拓扑，并示出效率结果，以便与竞争对手——沟槽型MOSFET结构比较，以表明STripFET^TM的性能优点。此外，还给出许多特殊功能。