简介：20世纪90年代初，出现新一代高密度互连（HighDensityInterconnection，简称为HDI）印制电路板。HDI多层板的出现，是对传统的PCB技术及其基板材料技术的一个严峻挑战，同时也改变着覆铜板（CcL）产品研发的思路。它引领着当今CCL技术发展的方向，作为当今CCL技术创新的主要“源动力”，推动着CCL技术的快速发展。

简介：本文介绍了PPE树脂的改性途径及方法，PPE/玻纤布覆铜板的制作工艺，低介电常数（LGC-O46）和高介电常数两种类型的PPE/玻纤布基覆铜板的性能以及PPE/玻纤布基覆铜板的应用领域、国内外情况和发展方向。

简介：1．概述集成电路等元器件集成度的大幅度提高，带来了元器件的I／O（输入／输出）数不断地增加。再加上高频信号和高速数字化信号的传输速度加快，要求迅速发展更高密度的电路的组装技术（如CSP、3D等组装），促进了高密度、高精度的组装技术的飞速进步（见表1）。高密度组装技术的发展对常规的印制电路板工业提出更高的技术要求，应迅速研发与解决如何优化布线、布局，制造出更微小的孔、更精细的导线和间距的PCB，

简介：2006年7月1日，欧盟两个指令正式实施，业界将进入无铅焊接时代，由于焊接温度的提高，对板材耐热性提出更高要求，业界应面对现实，及早采取对策，迎接新的挑战!

简介：

简介：本文主要介绍了汇川高性能变频器、PLC及HMI在钢板覆膜系统中的应用,本系统采用汇川高速总线Canlink实现PLC的远程控制和变频器控制,系统中的各功能PLC可以进行相互的数据传输。紧凑型变频器MD210、张力专用型MD330及通用矢量型MD380合理组合,减少安装空间,方便调试,节省成本。

简介：本文介绍了挠性PCB用挠性覆箔基材的国内外标准、IPC标准的特点及技术要求。

简介：激光再流焊接技术主要适用于军事和航空航天电子设备中的电路组件的焊接。这些电路组件采用了金属芯和热管式PCB，贴装有QFP和PLCC等多引脚表面组装器件。由于这些器件比其他SMC／SMD的热容量大，采用VPS需增加加热时间，这将导致PCB和表面组装器件出现可靠性问题。波峰焊接和红外再流焊接技术也不适用于这种情形下的焊接，但激光再流焊接技术可快速在焊接部位局部加热而使焊料再流，避免了用上述焊接技术的缺陷。同时，由细间距器件组装的SMC／SMD在成组的再流焊接工艺中常出现大量桥连和开口。特别是随着引脚数目的增加和引脚间距的缩小，引脚的非共面性使这些焊接缺陷显著增加。

简介：镍，元素符号Ni，原子量58．7，密度8．88g／cm^3，Ni^2+的电化当量1．095g／AH。

简介：本文以苯并恶嗪树脂与含磷环氧树脂复合作为基体树脂，外加磷酸类阻燃剂，以KH平纹玻璃布作为增强材料，制备了一种新型无卤阻燃覆铜板，该覆铜板的玻璃化转变温度为160℃，加强耐热性PCT(2atm水蒸气处理2小时后，经288℃浸锡)试验达到385秒，径向弯曲强度为630．6MPa，阻燃性达到UL94V0级，

简介：本文介绍了激光清洗技术在微电子领域的应用，对该技术在清除细微颗粒方面所具有的独到的优越性进行了探讨。

简介：本文主要介绍用于挠性覆铜板(FCCL)的聚酰亚胺膜，其中包括原材料、制造方法和产品特性。

简介：环氧覆铜板是环氧树脂的重要而高性能的应用领域。HDI多层板有哪些发展特点，它的发展趋势如何——这都是我们所要研究的高性能CCL发展趋势和重点的基本依据。而HDI多层板的技术发展，又是由它的应用市场——终端电子产品的发展所动。

简介：本文重点介绍覆铜板“无铅”化的紧迫性，相关产品的研发及初步成果。

简介：分析了通信用光电子器件的分类，介绍了半导体光电子激光器件的发展背景和工诈原理，同时分析了半导体光电子激光器件的技术重点以及市场前景。

简介：在波峰焊接工艺中。助焊剂（Flux）是一种促进焊接的化学物质，是焊接中不可缺少的辅助材料，其作用极为重要．具体体现在以下三个方面：

简介：本文就CJB165－93中的“方法5020体积电阻率与表面电阻率”在某些叙述上的错误和不够严谨这处作了探讨，也为今后修订该标准提出了一些建议。

简介：一、电子玻璃纤维是覆铜板的关键原材料1、覆铜板的构造、用途及分类覆铜板是在绝缘基体上，单面或双面覆盖一层铜箔经热压而制成的一种板状材料。其唯一的用途就是制造印制电路板，而印制电路板则是任何电子整机，部件离不开的电子器件，用以安装电子元件并实现元件之间的互连或绝缘。所以现在上至航天航空、遥测、遥控，下到日常离不开的计算机、手机，各种家电、儿童电子玩具等等，在国民经济、人民生活各个领域，各个范围，都离不开印制电路板和覆铜板。

简介：在无氰电镀液镀槽内电镀铁镍合金基础上利用激光化学镀金导线而形成精细电路图形。激光的功率和扫描速度直接影响导线的高度和宽度。能获得均匀的高度和宽度金导线和与导体最好的结合力。如导体的高度为0．7μm和宽度为37μm，这时的激光功率为0．5W和扫描速度为5μm／s。

简介：