简介:
简介:Ahera公司日前推出业内密度最高、速度最快的现场可编程门阵列(FPGA)StratixⅡEP2S90器件。
简介:3.2.4射流喷砂法制造积层多层板工艺射流喷砂加工技术,在电镀、喷漆的行业中,早已得到广泛的应用,它能最有效地将工件表面生成的氧化层、锈斑、熔渣等污物除去,并使工件表面组织形成了适宜的粗糙度,从而有利于涂(镀)覆层与工件表面的结合力。而在积层多层板的制造中,利用射流喷砂加工微孔技术,是近几年发展起来的新工艺。
简介:本文主要对高密度、高多层埋盲孔的钻孔问题进行阐述,并主要针对高密度、高多层埋盲孔的钻孔定位方式及钻孔补偿方面进行分析,以便为高密度、高多层埋盲孔的钻孔提供参考。
简介:本文阐述了RCC材料与化学蚀刻法制作高密度互连制板的工序和详细方法,意在探录最为经济、简单而又行之有效的工艺。
简介:SKiN技术是一个革命性的技术进步。它通过无绑定线封装技术平台增强了可靠性,减小了热阻并改进了内部寄生电感。有了SKiN技术,包含新宽禁带材料功率器件的封装技术已经出现,并允许它们被用在中高功率领域�
简介:在本文中,对两种基于不同设计的,具有高转矩密度,并且转速在不高于3000r/min时有1/3弱磁区的永磁电机进行了讨论和测试。这两种电机采用齿绕线技术,逆变器供电,都是应用在变速驱动领域的典型的工业设备。这两台样机每极褙数是分数,分别为1/2相和1/4相,其设计的持续运行的功率为45kW,额定转速为1000rpm,最大转速为3000rpm。采用F热量等级时电机转矩密度可以达到31.7kNm//m3(电机的有效体积,包括绕组端部)。文章还对电机的制造过程、测试中所用到的测试条件以及估算方法等细节做出了说明。
简介:本文介绍了飞兆半导体公司最新开发的高单元密度,屏蔽栅功率MOSFET的结构。这种屏蔽栅结构有助于建立电荷:平衡,从而减少MOSFET的通态电阻和栅电衙。这种新技术能使通态电阻比前一代减少50%以上。为进一步改善器件特性,一种肖特基器件也被单片集成在这种新型MOSFET中,使得反向恢复电荷减少了将近20%-上述措施直接减小了在高频、大电流和高输入电压下非常关键的体二极管损耗。该新型器件在典型的倒步降压变换器应用中,能提供1.5%的最高效率改进。
简介:(中国无锡2010年2月2日)无锡风凰半导体科技有限公司“高电流密度NPT型IGBT芯片”科技成果鉴定会今日顺利举行。会议成立了由电力电子业界权威专家组成的鉴定委员会,无锡市科技局副局长赵建平、滨湖区副区长吴建昌、滨湖区科技局局长吴云亮、滨湖区科技局副局长祁华等领导也亲临指导。鉴定会由中国电器工业协会电力电子分会组织并主持。
简介:简述了超结MOSFET的诞生及其基本原理和器件可靠性;介绍了超结MOSFET的一些不足和针对这些问题进行的改进;最后简要介绍了基于超结理论的一些新型功率器件。
简介:作为业内唯一的集成自动化方案软件工具,B&RAutomationStudio现在可实现对Danfoss,KEB,Lenze,Schneider和SEW变频器(变频器行业的知名品牌)的无缝集成。这一事实,得益于ETHERNETPowerlink,这一唯一开放的适用于批量生产的工业以太网网络。这样,系统中就可自由采用这些变频器,并且,与伺服驱动、I/O实现实时网络连接也轻而易举。
简介:本文主要介绍变频器在卷扬机主驱动系统的应用技术。实践表明,台达B系列变频器完全能够满足客户需求,为变频器在起重行业应用打下了坚实的基础。
简介:应用于EV/HFV(电动汽车和混合电动汽车)转换系统的IGBT模块,要求其提高功率密度,以能达到缩小系统体积的目标。为了达到这个目标,我们研发了采用高热导工艺的新型的高功率密度的6-型(6-pack)IGBT模块。采取的创新措施有:采用直接冷却系统以消除热脂的热阻;优化了散热器和液体套管的设计;绝缘衬底不采用通常使用的Al_2O_3(氧化铝),而采用了热导率比Al_2O_3高的Si_3N_4(氮化硅);开发了新型焊接材料。研发的新型IGBT模块能用于EV/HFV转换系统的可能性是非常大的。
简介:本文推导了SPWM控制下的电流型变流器的有功功率、无功功率和调制比、相位角的关系,设计了一种基于瞬时功率理论的电流型变流器功率闭环控制方法。结合变流器实验样机,对超导储能系统用电流型变流器四象限功率控制方法进行了验证.给出了试验波形。
简介:近日,天戚保变传来喜讯,由该公司自主研发设计,具有完全自主知识产权的国内首台三相SFP-1140MVA/500kV电力变压器在天威保变(秦皇岛)变压器有限公司一次顺利通过全部试验项目考核,主要技术性能指标达到国际领先水平。本台变压器是我国第一台配套1000MW超超临界发电机组的三相一体主变压器,也是迄今为止国内容量最大的500kV级变压器,
简介:Vishay公司日前宣布推出新系列超亮LED——SMD0603。该器件具有目前市场上最小的SMD成型规格,且有六种颜色(超高红、橙色、黄色、绿色、纯绿色及蓝色)供设计者选择。
简介:1月20日下午,西门子(中国)有限公司(以下简称“西门子”)与北京超同步伺服股份有限公司(以下简称“北超伺服”)在北京密云隆重举行“SINUMERIK808D开放式解决方案战略技术合作协议”签约仪式。西门子运动控制标准产品业务领域&西门子数控(南京)有限公司总经理王平先生、北超伺服总经理项久鹏先生出席此次仪式并签约。此次签约,标志着双方将利用各自优势资源,深化技术合作,为机床行业提供更加完善全面的解决方案。
简介:分析了用AT45DB161B存储数据的特点和容量,给出了采用ATMEL的串行DataflashAT45DB161B来存储行驶数据的行驶记录仪的设计方法.同时给出了W77E58和AT45DB161B的接口电路和程序代码。试验表明,采用AT45DB161B来存储数据的行驶记录仪具有体积小、容量大、功耗低、硬件接口简单、抗干扰能力强,容量扩展简单的优点。
高密度闪存前景看涨
Ahera推出业内密度最高的FPGA
高密度互连积层多层板工艺
浅谈高密度,高多层埋盲孔的钻孔
采用RCC与化学蚀刻法制作高密度互连印制板
超线性功率放大器
用于超紧凑功率模块的SKiN技术
采用集中绕组和高强度冷却的高转矩密度永磁电机
提高DC-DC变换器效率用高单元密度屏蔽栅功率MOSFET
无锡凤凰高电流密度NPT型IGBT芯片科技成果通过鉴定
超结MOSFET的最新发展动向
激光技术在刚性和挠性高密度互连印制板上的应用
B&R Automation Studio实现与多家厂商变频器通信
基于台达B系列变频器的卷扬机驱动系统
采用高热导率技术实现电动汽车和混合电动汽车用的高功率密度IGBT模块
导储能系统用电流型变流器控制超设计和实验
我国首台配套百万级超超临界机组变压器问世
新型SMD系列超亮发光二极管(LED)
西门子与北超伺服签署战略技术合作协议
串行存储器AT45DB161B在车辆行驶记录仪中的应用