简介：摘要:本项目拟采用局部刻蚀的方法，在SOI顶层硅上引入U型对称敏感电阻及L型半岛结构，实现高灵敏度、低非线性误差的MEMS压力敏感芯片制作。量程为100kPa的硅压阻式压力敏感芯片测试后其灵敏度达到40mV/mA，非线性误差小于±0.1%FS。
简介：摘要:蓄电池组是变电站二次设备的核心，本文针对变电站蓄电池组分组运行中产生SOC不一致性，提出基于SOC均衡的多组蓄电池功率优化分配的方法及控制策略，保证各组蓄电池的SOC在充放电过程中始终趋于一致，最后在RTDS环境下仿真验证本文所提出的采用功率优化分配策略的有效性。
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