简介:摘要:本项目拟采用局部刻蚀的方法,在SOI顶层硅上引入U型对称敏感电阻及L型半岛结构,实现高灵敏度、低非线性误差的MEMS压力敏感芯片制作。量程为100kPa的硅压阻式压力敏感芯片测试后其灵敏度达到40mV/mA,非线性误差小于±0.1%FS。
简介:摘要:蓄电池组是变电站二次设备的核心,本文针对变电站蓄电池组分组运行中产生SOC不一致性,提出基于SOC均衡的多组蓄电池功率优化分配的方法及控制策略,保证各组蓄电池的SOC在充放电过程中始终趋于一致,最后在RTDS环境下仿真验证本文所提出的采用功率优化分配策略的有效性。