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MEMS硅压阻式压力敏感芯片设计与测试

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摘要摘要:本项目拟采用局部刻蚀的方法，在SOI顶层硅上引入U型对称敏感电阻及L型半岛结构，实现高灵敏度、低非线性误差的MEMS压力敏感芯片制作。量程为100kPa的硅压阻式压力敏感芯片测试后其灵敏度达到40mV/mA，非线性误差小于±0.1%FS。

DOI rdx99qo51d/8464449

作者刘建伟马明宇吴佐飞

机构地区中国电子科技集团公司第四十九研究所 150028

出处《中国电气工程学报》 2024年5期

关键词 MEMS硅压阻式压力敏感芯片高灵敏度低非线性误差。

分类 [文化科学][]

出版日期 2024年07月15日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）