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MEMS硅压阻式压力敏感芯片设计与测试
MEMS硅压阻式压力敏感芯片设计与测试
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摘要
摘要:本项目拟采用局部刻蚀的方法,在SOI顶层硅上引入U型对称敏感电阻及L型半岛结构,实现高灵敏度、低非线性误差的MEMS压力敏感芯片制作。量程为100kPa的硅压阻式压力敏感芯片测试后其灵敏度达到40mV/mA,非线性误差小于±0.1%FS。
DOI
rdx99qo51d/8464449
作者
刘建伟
马明宇
吴佐飞
机构地区
中国电子科技集团公司第四十九研究所 150028
出处
《中国电气工程学报》
2024年5期
关键词
MEMS硅压阻式压力敏感芯片
高灵敏度
低非线性误差。
分类
[文化科学][]
出版日期
2024年07月15日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
中国电气工程学报
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