简介:本文基于联合国人口司关于中国2015年分性别1岁年龄组人口数据,在一定的生育水平、死亡水平、迁移水平和出生性别比参数假定下,利用队列分要素法预测2016-2100年生育政策调整对中国人口红利的影响。从分析结果可以看出,生育政策调整下总和生育率的反弹增加了预测期内劳动年龄人口数,缓解了其下降的趋势;从总抚养比波动趋势可以得出,生育政策调整的初期是增加了社会的抚养负担,2057年后才能有效缓解社会的抚养负担,但并不能逆转其上升的趋势;以50%的人口抚养比为测算标准,生育政策调整将使人口窗口期提前4年左右结束;生育政策调整使得2100年总抚养比降低25.65%,将导致经济增长加快3%左右。
简介:女性问题研究正成为旅游学者们关注的焦点.本研究以女性旅游研究者为对象,以《旅游学刊》等核心刊物上的旅游类主题文章为样本数据,通过构建二项Logit模型、聚类分析、空间叠加等方法,分析了我国女性旅游研究者的空间分布差异与性别分层现象.研究发现:1)我国女性旅游研究者主要集中分布在北京、广东等东部沿海地区.中西部地区与东部地区间差异较大;2)在职称、学历、高校层次上,无论是东部地区还是中西部地区,女性旅游研究者都表现出金字塔形:副高职称为主,以普通高校及部分重点院校为主;3)学历、高校层次及职称三个因素对女性旅游研究者的学术影响作用显著,所在地区因素影响不显著.
简介:研究了辐照对4H-SiC纵向双注入金属氧化物场效应晶体管(VDMOS)电学参数的影响.通过SRIM和SILVACO软件仿真,观察到器件不同区域引入损伤后电学参数的漂移.仿真结果表明,不同区域的损伤会造成器件电学参数不同的退化.器件JFET区的非电离损伤会使器件的导通电阻增大,而靠近碰撞电离中心的非电离损伤会使器件的击穿电压增大.辐照在器件界面处引入的正电荷或负电荷同样会对器件的电学参数带来很大的影响.沟道上方SiC/SiO2界面处的正电荷会导致器件的阈值电压、导通电阻以及击穿电压降低,而终端区主结上方的SiC/Metal界面处的正电荷只会导致击穿电压的降低.相反,沟道上方SiC/SiO2界面处的负电荷会导致器件的阈值电压、导通电阻以及击穿电压增加.