简介：从对电子衰变的实验测量和500Mev中子和质子弹性散射,得到了电荷守恒的微小破坏,并简要地评述了电荷守恒定律所遇到的破坏及认识。

简介：用面积分的方法代替传统的对称性分析方法,求解了点电荷对几种特殊形状平面的电通量问题,给出了普适的表达式。基于这些解析表达式,我们讨论了如下几点：点电荷相对平面处于几个特殊位置时的电通量;点电荷对无限大平面的电通量;点电荷处于平面上的极限情况下的电通量。这些重要结论将进一步明晰与丰富电通量问题的教学研究内容。

简介：基于BLT（BaumLiuTesche）方程,并考虑入射角、极化方向和爆高对线缆耦合效应的影响,对高空核电磁脉冲（HEMP）作用下线缆终端的耦合电流进行了计算,统计得到不同磁倾角下线缆终端耦合电流的变化规律以及峰值电流的概率分布。结果表明,磁倾角较小的地区更易出现高峰值电流的小概率事件,且随着爆高的增加,高峰值电流事件出现的概率会有所增加。

简介：数值模拟中，欧拉方法能计算大变形流场，但不能精确地区分物质界面，拉氏方法的单元边界即为物质边界，因此可以精确区分不同的物质，但当计算单元变形较大时计算精度变差甚至无法进行。如果在流场内不同区域采用不同的计算方法，在计算区域交界处进行合理的数据交换，则既能计算大变形流场又能在流场内保持清晰的物质界面。

简介：提出并建立了基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法,通过对在轨暗场测试采集到的任一幅图进行计算,统计热像素个数,计算出基于单个热像素的CCD单次电荷转移效率,最后计算求出N个电荷转移效率的均值.研究结果表明：CCD未经辐照时的电荷转移效率为0.999999,在轨受空间辐射后,电荷转移效率降低到0.999958.

简介：采用理论模拟和IVA(inductivevoltageadder)产生的脉冲X射线,研究了PIN探测器输出电荷随脉冲辐射强度的变化关系.结果表明,当入射脉冲辐射注量是PIN探测器最大线性电流对应注量的16.2倍时,PIN探测器输出电荷仍然与脉冲辐射强度呈线性变化,偏离线性小于5％.

简介：介绍了用于埋地电缆高空电磁脉冲（HEMP）响应计算的传输线模型,研究了地下透射HEMP环境与土壤电导率及透入深度的关系,计算了埋地1m的电缆端点在短路条件下的感应电流。结果表明：土壤电导率越大,透入深度越深,电场的衰减越大,电缆的感应电流越小;垂直极化波的感应电流在方位角为0°、入射角为45°时达到最大;水平极化波的感应电流在方位角为90°、入射角为90°时达到最大。

简介：本文利用拉格朗日方法，理论上分析了失谐耦合摆的运动规律，并从实验上观测了弹簧的倾斜因子ε对双摆振动角频率的不同影响，确定了弹簧向下偏离平衡位置时较向上偏离时对两摆角频率的影响大，通过改变弹簧的倾斜因子可以连续调节摆的振动规律。在此基础上，研究了双倾斜弹簧连接双摆时对双摆运动规律的影响，发现当倾斜因子ε1、ε2满足一定关系时，两根失谐弹簧作用的耦合摆振动等效于标准耦合摆振动规律。在实际应用上，可以借助双根弹簧共同调节和稳定耦合振动仪表，提高测量精度。

简介：利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量（totalionizingdose,TID）效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层（shallowtrenchisolation,STI）中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.

简介：若无限长均匀带电直导线（线电荷）与接地平板系统的电场是二维静电场,当求解区域可视为为多边形时,则可应用S-C映射法和电像法为统一模型,求解出线电荷在求解区域所激发的电势。

简介：根据电荷转移效率的测试原理,基于宇宙射线高能粒子入射对CCD图像的影响,提出了一种基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法,对高能粒子入射产生的12条瞬时亮线进行了计算分析,获得了一致性较好的CCD电荷转移效率.该方法可实时评价电荷耦合器件的在轨性能,对预测CCD成像性能退化情况和使用寿命都具有重要意义.

简介：提出了一个基于约瑟夫森电荷量子比特实现未知三粒子的GHZ态的方案。在这方案中,三对两粒子纠缠态作为量子通道。此外,不需要bell测量。以目前的技术,在该方案中所用到的设备都可以实现。

简介：在激光脉宽的时间尺度内，非平衡是激光靶耦合物理的重要特征。为了深入地研究激光靶耦合产生的等离子体状态以及辐射场的时空特性，考察“三温”模型的适用性，发展了新版的一维平板非平衡辐射流体力学程序RDMG，程序中用多群辐射输运方程描述辐射场的演化，增加了激光加源，在非平衡区求解非平衡电子占据概率方程，在线计算非平衡的辐射发射和吸收系数，其中平均原子模型可以考虑到角量子数层次。下面介绍一个典型的数值模拟结果，计算条件为强度1×10^14W／cm^2，波长0．35m，脉宽1ns的Gauss激光脉冲以与靶面垂直的方向由右向左辐照4m厚的平面Au靶。

简介：根据实际应用需求,设计了一种X波段宽带圆波导耦合器。通过理论计算与数值模拟优化,实现频率9.3GHz时,耦合度约为一71.2dB;频率范围为9～10GHz时,耦合曲线平坦度小于0.3dB,可显著降低微波功率测量不确定度。为了提高耦合器的功率容量,对结构进行了改进,在耦合孔处进行了倒圆角处理。倒圆角半径为1mm时,耦合孔最高场强降低了52%,功率容量得到提高。

简介：设计了一种具有高功率容量的高功率微波（highpowermicrowave,HPM）耦合测量装置。该装置使用截止波导对HPM信号取样,并经过同轴探针将取样信号耦合到同轴电缆中。截止波导可以限制进入耦合单元的射频功率,同时,截止波导和传输高功率微波的主波导连接处允许大的倒角,因此,该耦合装置能够保证较高的功率容量。此外,通过调节截止波导中探针的长度,可以实现不同的耦合度,容易满足不同功率水平HPM测量的应用需求。与传统的耦合器相比,所设计的耦合器结构简单且功率容量高,其可行性已经得到了HPM实验的证实。

简介：理论研究发现，在薄型半导体探测器前添加一定厚度的杂散电子过滤片，可以有效过滤探测系统中散射电子，准确测定探测器对7射线诱发电子的电荷收集效率。以电荷收集效率为100％的Si—PIN探测器作为该测量方法理论模拟和实验校验的基准，建立了化学气相沉积（chemicalvapordeposition，CVD）金刚石薄膜探测器对γ射线响应时电荷收集效率的测量方法和系统。研究结果表明：所研制的CVD金刚石薄膜探测器，在600V饱和偏压下，电荷收集效率在常态时为55％，在“priming”状态时可达69％。

简介：采用Skupsky理论作为讨论能量沉积均匀问题的基础。把不均匀性σnms分解为两个因子的乘积：一个因子取决于激光系统的几何配置：另一个因子取决于单束激光形成的能量沉积分布。按照几何光学的光路方程，追踪激光在靶球等离子体中的轨迹，计算激光在光路轨迹上的能量沉积（通过逆韧致吸收机制），求得激光在靶球上能量沉积的空间分布，并在此基础上进行能量沉积的均匀性研究。

简介：中函数驱动技术实现了耦合双稳映象格子模型的时空混沌同步.通过理论计算可以得到两个时空混沌系统的误差表达式.画出李雅普诺夫指数.数值模拟结果表明,采用适当的参数,可以将两个耦合双稳映象格子模型实现时空混沌的同步.画出整体误差随反应时间的变化曲线.因此,函数驱动的方法可广泛用于保密通信中.

简介：提出了一种可用于微秒脉冲电压下的2MV电容耦合自触发开关模式，该开关具有结构简单、高可靠性等特点。通过电场分布计算及电路计算得到开关关键绝缘参数和电路参数。计算结果表明，设计触发间隙电压为主间隙电压的1.21%，该开关主间隙场不均匀系数为1.64,开关在0.7MPa的SF,;气体中工作电压为2.27MV。

简介：LARED-H程序是一个可用于激光黑腔靶耦合数值模拟研究的二维辐射流体力学程序。黑腔等离子体所形成的复杂流场使单纯的拉格朗日网格在计算中产生严重扭曲，影响计算精度，并导致计算中断。拉氏加网格重分是计算激光黑腔靶耦合常用的算法。对LARED-H程序的积分网格重分方法在网格重构和物理量重映方面作了较大改进，并利用改进后的LARED-H程序模拟了“神光”-Ⅱ和“神光”-Ⅲ条件下的激光空腔靶耦合物理全过程。