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14 个结果
  • 简介:利用4.5MeV的氪离子(Kr^17+)辐照(100)晶向本征未掺杂和高掺锌(P型)、(100)和(110)混合晶向的高掺硅(N型)砷化镓(GaAs)半导体材料,辐照注量为1×10^12~3×10^14cm^-2,测试辐照后材料的拉曼光谱。随着辐照注量增大,材料的纵向光学(longitudinaloptical,LO)声子峰向低频方向移动,出现了明显的非对称展宽,并且N型样品辐照后,晶体结构损伤要大于P型与本征未掺杂样品。3种类型样品的LO峰频移随辐照损伤的变化趋势一致,研究表明,掺杂元素不影响材料本身的晶体结构,可能是因为混合晶向的生长方式导致辐照后N型GaAs结构稳定性变差。

  • 标签: GAAS 拉曼光谱 辐照效应 晶体结构
  • 简介:为了分析高能激光对鳞片石墨改性酚醛树脂涂层的损伤机理,本文采用激光辐照方法研究激光对该涂层的损伤过程。首先,制备出纯酚醛树脂涂层和鳞片石墨改性酚醛树脂涂层,使用不同的激光参数进行激光辐照实验,根据损伤区域形貌和损伤面积分析鳞片石墨的对涂层的改性作用,分析损伤区域微观形貌和内部残炭的石墨化程度,通过对损伤中心进行三维成像来分析烧蚀凹坑的尺寸与烧蚀深度。最后,根据不同颜基比涂层在激光辐照过程中损伤区域的面积和显微形貌,分析了颜基比对激光损伤涂层过程的影响。分析结果表明:酚醛树脂经激光辐照后会裂解生成石墨化程度不同的残炭,经鳞片石墨添加改性后,损伤区域的面积相比于纯酚醛树脂涂层最大可增加35mm2。由此可知鳞片石墨的添加改性增强了涂层的横向散热能力,但过高的颜基比会使具有粘附作用的残炭生成量减少,进而导致鳞片石墨脱落明显,涂层损伤严重。

  • 标签: 高能激光 损伤机理 鳞片石墨 颜基比
  • 简介:理论计算了Q345R、0Cr18Ni9、2A12、玻纤复合板和芳纶复合板五种材料对γ射线的衰减系数。结果表明:在相同厚度下,纤维复合板对γ射线的衰减系数均小于Q345R、0Cr18Ni9和2A12的衰减系数,芳纶复合板的衰减系数仅为Q345R衰减系数的20%。同时,利用60Co辐射装置测定了2A12、玻纤复合板和芳纶复合板对γ射线的衰减系数,实测值与理论估算值基本一致。此外,还比较了不同材料的受压筒体对γ射线的衰减性能,结果显示:纤维复合材料的筒体对γ射线有良好的透过

  • 标签: Γ射线 衰减系数 压力容器
  • 简介:针对DC/DC的质子位移效应,选取具有抗TID能力的DC/DC器件作为试验样品,在3MeV质子辐照条件下获取了器件的失效位移损伤剂量.结果表明,DC/DC功能失效是PWM控制器输出异常导致的.通过等效^60Coγ辐照及退火试验,排除了TID效应的影响,确定器件功能失效是由位移损伤引起的.高温退火后器件功能恢复,并立即对该器件进行了测试.结果表明,输出电压、电压调整度、负载调整度、交叉调整度、纹波及负载跃变时的输出电压均大幅衰退.利用这些敏感参数,获取了位移损伤导致的电源性能衰退模式.根据位移损伤缺陷类型及退火温度,分析了DC/DC的退火规律,可为DC/DC质子辐射损伤模拟试验方法的建立及其空间应用提供依据.

  • 标签: DC/DC 位移损伤效应 电离损伤效应 位移缺陷 退火
  • 简介:对一款国产CMOS图像传感器进行了不同射线粒子的辐照试验,研究了质子、中子和γ射线等粒子辐照对器件饱和输出电压的影响.试验结果表明,在γ射线和质子辐照下,器件的饱和输出电压显著退化,而在中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力.对γ射线和质子辐照下器件饱和输出电压的退化机理进行了分析,饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响:随着辐照累积剂量的增加,饱和输出电压逐渐减小且在退火中的变化趋势与CMOS图像传感器像素单元的饱和输出信号变化趋势一致.辐照导致饱和输出电压退化的主要原因是光敏二极管周围的LOCOS隔离氧化层内产生了大量的辐照感生电荷.

  • 标签: CMOS图像传感器 高能粒子 饱和输出电压 电离总剂量效应
  • 简介:引导学生利用现有仪器和原理,将常规基础实验"惠斯登单臂电桥测电阻"改进为"利用单臂电桥非平衡测电阻"的设计探索性实验,强化对学生创新精神和研究能力的培养,为开展后面更高层次的设计实验奠定基础,从而形成基础实验与设计实验合理过渡、有序衔接的实验教学体系.

  • 标签: 探究性实验 衔接 惠斯登单臂电桥 非平衡电桥
  • 简介:在物理课程教学中,引导学生开展探究学习,既与课程中知识与方法体系的形成或建构过程相适应,又能很好地贯彻与落实新课程倡导的三维目标。提出问题、实验设计、分析与论证这三个环节是蕴含着学生活力思维的环节,也是探究学习能否获得高效的关键环节。

  • 标签: 探究性学习 策略 引导提问 重视设计 促进建构
  • 简介:科学探究在课堂实施是复杂的,多变的,但却不能不实施。要高效进行科学探究可从课前准备、课堂实施、课后延伸三个方面进行,特别是课前准备的教学设计是重中之重,课前的教学设计需要精细化。

  • 标签: 科学探究 实效性 准备 实施 延伸
  • 简介:介绍了国内外极低辐射本底实验现状,总结了对材料放射筛选的要求和实现手段,给出了相关实验中探测器、屏蔽体、电子学部件等材料的放射水平。可以看出,筛选材料放射的手段,主要有低本底γ谱仪分析、辉光放电质谱分析及电感耦合等离子体质谱分析;对大部分材料的放射比活度要求在mBq·kg^-1量级;对探测器材料和内部屏蔽体材料铜的放射性要求更高,放射比活度需达到0.1-1μBq·kg^-1。

  • 标签: 极低辐射本底实验 放射性筛选 Γ谱仪 质谱仪
  • 简介:本文利用物理学中的流体力学和相对运动知识对喷气式雨刮器的实用进行论证。针对三种不同的喷气方式分别进行了分析,结果表明,喷气式雨刮器的三种喷气方式都无法完全去除汽车前车窗的雨水。

  • 标签: 喷气式雨刮器 汽车表面气流 相对运动
  • 简介:实验学习对提高化学课堂教学起重要作用,课堂实验探究更是教学改革的核心。为了提升课堂化学实验教学的探究,需要教师根据教学进行有效地创设问题情境,以激发学生对化学问题、化学知识的探究。文章结合教学实例,在问题情境促探究中采用教材为本、形式多样、巧设问题、以生为本等具体教学措施,在实际教学中取得了良好的效果。

  • 标签: 高中化学 问题情境 实验教学 教学探究
  • 简介:利用10MeV质子对130nm部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠的影响.结果表明:质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势鱼高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命.

  • 标签: 辐射诱导泄漏电流 栅氧经时击穿 可靠性 质子辐照 部分耗尽SOI
  • 简介:在课程改革背景下,从课本的一道例题出发,对探究教学理念在实践中的应用的教学尝试.引导学生进行探究,通过类比圆上任意一点与任意一条直径两个端点的斜率之积为定值(点不在直径上)的这个性质,进一步探究分析得到椭圆、双曲线也有该性质,通过分析比较发现抛物线并没有这一性质.最后举例分析探究中所得的性质在实践中的应用.

  • 标签: 探究性教学 圆锥曲线 斜率之积 类比归纳
  • 简介:制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体(Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS)二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明:该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h(相当于常温下测量60d)后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。

  • 标签: 铁电存储器 MFIS 存储窗口 疲劳 保持 BNT