简介：底片是射线检测的评判依据，但是容易受到环境的影响而发生变化（发霉、污损）；生产中大量的底片也不便管理和查阅。将底片数字化，可以实现无失真存储，稳定性高，更便于交流和分析，利用数字图像处理技术可对缺陷进行定量分析。

简介：应用Onshell方法研究带缺陷的二维光子晶体,缺陷的引入使得原来不透电磁波的禁带中,出现了缺陷模,即某一频率的电磁波可以透过,计算表明缺陷模的频率与透过率随着缺陷的性质及缺陷两边的层数而改变

简介：随着涡流检测技术的不断发展，不仅要求准确检测出缺陷，且还需对缺陷进行定量、定性评价。涡流检测中阻抗信号变化是进行缺陷检测和定量分析的依据：测量或计算缺陷的阻抗信号，称为涡流检测的正向问题；从阻抗信号推断出缺陷的定量定性特征，则是逆向问题。借助于有限元模拟方法，对涡流检测时的正向问题进行了求解计算；利用傅里叶变换和神经网络方法，对涡流检测时的逆向问题进行了分析。

简介：数字图像处理技术的应用，有力地促进了缺陷定量分析与射线检测的自动化。但大多数射线检测图像噪声大、对比度不高、存在较大的背景起伏，缺陷图像的准确分割、提取则成为实际应用中的难点和关键。射线图像中缺陷的存在，在其邻域形成灰度差异；可由边缘检测方法得到相应的边缘点（奇异点）。在图像边缘检测中，一般认为在较大空间尺度（边缘检测模板）下能可靠消除误检，得到真正的边缘点，但不易对边缘精确定位：在较小尺度下对真正的边缘点定位比较准确，但对噪声敏感，误检的比例会增加。多尺度小波分析的引入，可得到比较满意的结果。用不同的小波基分析同一个问题会产生不同的结果，因此小波分析在工程应用中的一个十分重要的问题是如何选取最优小波基。双正交小波基具有紧支性和线性相位：紧支性表明不需做人为的截断，应用精度很高；线性相位可避免信号在分解和重构时的失真；小波基连续可微，这对于有效发现信号的奇异点是必要的。

简介：红外吸收光谱表明样品含片状和分散状分布的杂质氮，属1a型金刚石。利用同步辐射对晶体进行了形貌学研究．在近完整晶体内近中心的001)和(010）结晶学平面内观察到生长带，生长方向平行于(100）和(010)．在欠完整晶体内小角度晶界发育，取向角达2．5^*以上．晶体完整性与氮含量无明显相关关系．

简介：利用传输矩阵法理论，研究介质光学厚度对一维光子晶体（AB）5（ACB）2（AB）5缺陷模的影响，结果表明：随着介质A、B或C的光学厚度按奇数倍、偶数倍增大时，光子晶体主禁带中的缺陷模均向禁带中心移动，出现缺陷模向禁带中心简并的趋势，且光学厚度按奇数倍增加时简并的趋势更明显，同时缺陷模移动速度以A介质光学厚度奇数倍增大时为最快；当介质A、B或C的光学厚度按奇或偶倍数增大到一定数值时，均出现对称分布于禁带中心两侧的新缺陷模，而且光学厚度按偶数倍增大时出现的新缺陷模要比偶数倍增大时的快。介质光学厚度对光子晶体缺陷模的影响规律，对光子晶体设计窄带多通道光学滤波器件、高灵敏度光学开关等具有积极的参考意义。

简介：在冲击动态加载破坏下，金属材料会产生微孔洞、微裂纹和位错等微结构缺陷，这会明显影响材料的某些性能。采用中子小角散射技术研究了冲击加载前后合金材料微缺陷的变化。实验样品分别是以Al和Mg为基体、含有少量其他元素的两种圆柱状合金材料，将样品用不同速度的钢弹冲击，测量样品为加载前、后合金材料共计4个。

简介：本文利用时域有限差分法，在T型光子晶体波导内引入缺陷，改变介质柱缺陷半径的大小、位置来研究T型光波导两个输出端口的透射率。得到了引入对称缺陷的透射谱，以及引入非对称缺陷时两输出端透射比随波长的变化关系，最大透射比过到八比一。结果表明引入柱缺陷可以改变光波导的透射率，很好的控制光的传播，研究结果对光通信用光分柬器和多路光分复用器的设计有着一定的理论指导意义。

简介：利用同步辐射X射线形貌术研究晶体缺陷．是近年来发展起来的一种优良的实验方法．本文在研究LNP等晶体缺陷的同时，对这种实验方法进行了系统的探讨，讨论了散射光的消除、焦距的选择、样品的透明度与厚度、曝光的时间、底片的冲洗答问题．以及在缺陷研究中对晶体衍射的劳厄斑点的选取依据．

简介：文章采用日本产的ＣＮ１５１１８及扫描型双晶形貌测角仪直接拍摄了ＭＢＥ生长的Ｇａｌ－ｘＡＬｘＡｓ／ＧａＡｓ外延层和衬底层的形貌像，观察到面层中存在失配位错，单方向位错线晶面取向差等缺陷。并比较了生长温度对外延层质量的影响。

简介：不良导体导热系数的测量是本科大学物理实验教学的一个重要内容,本文针对仪器的结构缺陷进行分析,并提出实验装置改进建议。

简介：运用光学传输矩阵理论,深入研究了由一种各向异性材料组成的一维光子晶体中TE模式和TM模式中缺陷态的频率分布与缺陷层宽度之间的关系。与布拉格带隙相比,这种新型的光子晶体可以通过改变偏振方向实现缺陷态密度的改变。得出将高折射率层与外界接触时态密度最低并最适合于滤波特性的结论。对制作偏振变化滤波器方面和缺陷宽度控制滤波频率方面有重要的指导意义和应用价值。

简介：渗透现象的原因及其能量转化收稿日期：１９９７年１０月１５日唐郁生（玉林教育学院玉林市５３７０００）一些大学《热学》教科书［１］介绍了渗透现象：用一面只允许溶剂分子通过而不允许溶质分图ａ图ｂ子通过的半透膜Ｍ将纯溶剂Ａ与溶液Ｂ分隔（见图ａ），则溶剂分...

简介：在电阻点焊过程中喷溅的产生直接降低焊接接头的强度，是最不希望出现的焊接缺陷，而在镁合金的电阻点焊过程中，使用大电流短时间的强规范会使低熔、高导热、高线胀系数的镁合金极易产生喷溅。镁合金对于喷溅的敏感性远远大于钢和铝合金。对镁合金电阻过程中喷溅产生的原因进行分析，对控制和减少焊接过程中的喷溅现象，保证焊点质量具有重要的意义。

简介：环氧树脂灌注料开裂对电子产品的影响是致命的，开裂的原因：一是环氧树脂灌注料内部的缺陷，断裂力学-裂纹理论认为，任何材料表面或内部都存在着不同程度的缺陷，如气孔、杂质、相界和细微的裂纹等。环氧灌注料是多种成分的混合物，在混合过程中带入杂质，形成气泡，是不可避免的，加之真空脱泡不彻底，都会造成材料体系内的缺陷。另外，作为灌封材料主要成分的环氧树脂其内聚力大，固化过程中很容易形成应力集中，尤其集中在灌注料与埋入的器件接触界面、尖角及弯曲部位，造成极细微的裂纹。这些裂纹受外界条件影响时不断扩大，从而导致材料开裂、失效。

简介：应用标量光场光强的传统定义,推导了具有轴对称性的傍轴标量光束的光强二阶矩的传输规律。在此基础上,给出了光束的束腰半径、远场发散角及光束质量因子M2,并证明了光束质量因子M21。应用标量光场光强的精确定义,计算了非傍轴标量高斯光束的质量因子,结果表明:当ω0λ时,光束质量因子M2可以小于1,并随光束的束腰半径趋于零而趋向于零;ω0>λ时,高斯光束的质量因子M2非常接近于1,且随光束束腰半径的增大迅速趋向于1。此外,文章还对一些相关的问题进行了讨论。

简介：高一新生由初中升入高中后，由于数学知识难度的突然增大以及学生对高中教学方法的不适应性，在高中阶段的第一次半期考的成绩中我们往往会发现高一学生的数学成绩差异性较大。许多在初中数学学科成绩的佼佼者，进入高中阶段便在数学上栽了大跟斗。本文介绍造成高一学生数学成绩差异的原因以及在教学中需要的一些对策。

简介：在“光现象”这部分内容中，知识点较多，有些知识点比较难掌握且容易混淆，在做相关试题时，同学们经常犯错．下面归纳了解与光现象相关的问题时容易出错的七大误区，希望能帮助同学们更好地理解光现象的相关知识．

简介：历史上发生过这样一件事：17世纪挪威有一个远洋运货商，他用弹簧磅秤称了5000t货物，运到靠近赤道的利伯维尔市去．到达目的地后，他将货物交给对方的订货商，可是，货物经原来的磅秤一一过磅后，发现竞少了将近19t．

简介：