简介：
简介：因为graphene和phosphorene，二维(2D)组IV和组V元素的分层的材料引起大兴趣。然而，组IVV单层没收到到期的注意。在这个工作，啜单层的三种类型计算地被设计探索他们的电子结构和光性质。计算证实这些单层的稳定性，它都是有在范围的bandgaps的indirect-bandgap半导体1.382.21eV。bandgaps在pH=跨骑水的氧化还原作用潜力0，用作watersplitting光催化剂显示单层的潜力。计算光性质证明啜2D材料的某些单层是可见的光的吸收器并且将用作optoelectronic设备的好候选人。
Transport evidence of 3D topological nodal-line semimetal phase in ZrSiS
SiP monolayers： New 2D structures of group IV-V compounds for visible-light photohydrolytic catalysts
Computational study on the half-metallicity in transition metal-oxide-incorporated 2D g-C3N4 nanosheets
