简介:ThispaperdealswithanexperimentalinvestigationofpinfinboilingofsaturatedandsubcooledHFE-7100underatmosphericpressure.Finbasetemperatureandheatfluxdataaremeasuredalongwiththefintiptemperature.ThebasicfeaturesofboilingstabilityofHFE-7100boilingonpinfinhadbeenreportedforthefirsttime.Foragivenliquid/heatingsurfacecombinationthereexistuppersteady-state(USS)branchandlowersteady-state(LSS)branch,andalarge,unstableregimelocatedinbetween.Zoneswithdifferentstabilitycharacteristicsaremappedaccordingtoboilingonfinswithdifferentaspectratios.Liquidsubcoolingcanlargelyenhanceheattransferperformance.Alongerfincanprovideasaferoperation.
简介:
简介:Heattransferinpassagewithpin-finarraysforcoolingbladetrailingedgewasstudiednumerically.Three-dimensionalnumericalsimulationswerecarriedoutforsteadylaminarflowinpassageswithdifferentwedgeanglesbetweenpressuresurfaceandsuctionsurfaceofcoolingbladetrailingedgetostudytheeffectofdifferentwedgeangles(from0°to30°)onheattransferandpressurelosses.Researchwascarriedoutforbothin-linearrayandstaggeredarray.Fromthisinvestigation,wedgeangle10°givesthebestheattransferperformance.
简介:利用Geant4工具包,采用强迫碰撞方法,模拟氘氚聚变中子与反冲质子法脉冲中子探测系统中的聚乙烯靶作用产生反冲质子的过程,计算了反冲质子在不同厚度Si-PIN半导体探测器灵敏区中的能量沉积谱,并将模拟计算结果与实验结果进行比较,分析给出了探测器灵敏区厚度。结果表明,计算得到的探测器灵敏区厚度与探测器灵敏区真实厚度在3%以内吻合,证明了模拟计算方法的可行性。同时,还计算了不同厚度的铝吸收片条件下,反冲质子在探测器灵敏区内的能量沉积,得到了沉积能量随铝吸收片厚度的变化曲线,可为反冲质子法脉冲中子探测器系统设计提供参考。
简介:对制造的单mesa终端4H-SiCPIN二极管,采用数值仿真和测试结果比对的方法,分析了各向异性迁移率效应对4H-SiCPIN二极管正向直流特性的影响。详细阐述了器件的正向直流仿真物理模型和参数选取,其中,迁移率的各向异性关系是在各向同性迁移率模型的基础上引入的,载流子寿命采用空间赋值的方法代入模型进行计算。对比结果显示,采用各向同性迁移率模型的仿真结果与实验值偏差较大,对迁移率模型进行各向异性修正后,仿真结果与实验结果符合得较好。研究表明,实际制造的4H-SiCPIN二极管在直流开态下,存在迁移率的各向异性效应。