简介：关于全球半绝缘(SI)GaAs晶片市场“SIGaAs衬底市场：2003～2008”预测：该市场到2008年将增长54％。2002～2003年间的增长率为43％。日本和北美仍然是体晶片的主要生产者，2003年占整个市场的43％，该地区2003年SIGaAs晶片市场(外卖和自用)增加33％。亚太地区的市场增长最快，但主要以代工模式运营以便为GaAs半导体工业的发展打下基础。

简介：对横向受限的一维固态声子晶体，得出了弹性波在其中传输时的模式数所满足的条件，并利用多层介质的转移矩阵计算了纵波入射时，不同模式下透射波的透射系数随弹性波频率变化的特点：出现声子禁带；不同模式的禁带宽度并不完全相同。横波入射时中心频率以下全为禁带，1倍中心频率以下没有透射峰出现。

简介：利用晶种生长法制备金纳米棒,采用罗丹明6G及虎红钠盐两种荧光物质分别对其进行表面修饰,研究荧光物质修饰金纳米棒对其横向表面等离激元共振峰值的影响.吸收光谱测试表明,荧光物质修饰金纳米棒的横向表面等离激元共振吸收峰值明显提高,相比虎红钠盐,罗丹明6G修饰的金纳米棒的横向表面等离激元共振峰值强度更高.

简介：

简介：日本东北大学开发出作为读取记录容量为5TB级超高密度硬盘（HDD）信息的磁头元件的垂直平面电流模式巨磁阻元件（CPP—GMR）。由于元件的强磁性膜使用的是被称为半金属霍伊斯勒合金的材料，因此获得的与信息读取灵敏度（输出信号大小）相关的磁阻（MR）比在70％以上，比迄今为止CPP—GMR领域所发表的值提高了近一倍。

简介：制备了双酚A型苯并噁嗪（BZ）／不完全笼型苯基三羟基七聚倍半硅氧烷（（C6H5）7SiO9（OH）3（T7POSS））杂化树脂，并对其固化行为、固化所得复合材料的热性能和动态力学性能进行了表征，差示量热扫描仪（DSC）测试表明，T7POSS能显著降低体系的起始固化温度；动态粘弹分析仪（DMA）、热重分析仪（TGA）测试表明。T7POSS提高了体系的储能模量、玻璃化转变温度Tg和热稳定性。