简介：以Sn8Zn3Bi为研究对象，采用微合金化方法研究了不同含量的Cu元素对其显微组织、钎料合金与Cu基板钎焊后的界面金属间化合物（IMc）层尺寸及焊接接头剪切强度的影响。结果表明，Sn8Zn3Bi-xCu／Cu（x=0．3，0．5，0．8，1．0，1．5）焊接界面IMC主要为层状Cu5Zn8相。随着Cu含量的增加，界面IMC层的厚度逐渐减小，接头的剪切强度逐渐提高，Sn8Zn3Bi-1．5Cu／Cu接头剪切强度较Sn8Zn3Bi／Cu显著提高。经120℃时效处理后，Sn8Zn3Bi-xCu／Cu（x=0，0．3，0．5，0．8，1．0，1．5）焊接接头剪切强度都明显下降，接头断裂方式由韧性断裂转为局部脆性断裂，但添加了Cu元素的钎料界面IMC生长速度较Sn8Zn3Bi钎料慢，因此Cu元素的添加抑制了界面IMC层的生长。

简介：基于局域密度近似（LSDA,Localspin-densityapproximation）和有效库仑相关能（Uapproach）,采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐（GdAlO3,GAP）电子结构,并研究了铽离子（Tb3＋）掺杂后（GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb）对能带带隙（Eg,Energyofgap）的影响。计算结果表明：GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带（VB,Valenceband）顶部的O-2p和导带（CB,conductionband）底部Al-3（s＋p）、Gd-（s＋d）（p）决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3＋的掺入,当掺入量为1/4原子比时（GAP∶Tb0.25）出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3＋的5D3-7FJ（J=3,4,5,6）电子跃迁和5D4-7FJ（J=3,4,5,6）电子跃迁。当掺入量为1/16时（GAP∶Tb0.0625）,仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合（荧光发射主峰对应5D4→7F5（544nm））。