简介:为了验证双光路敏感器折反部件在实际工况下是否会发生成像失真及结构损坏,采用有限元分析软件MSC.Nastran对双光路敏感器结构进行了静态分析和模态分析,得到了结构的静态特性及固有频率。根据分析图像所得数据及反射定律计算,得到折反镜实际反射光线与理论反射光线的偏移量为0.03mm,小于设计时的理论安全值0.05mm,验证了折反部件在静力学作用下变形较小,成像不会失真;动态分析得到折反部件的基频为1647.5Hz,基频较高不易产生共振,具有一定的结构稳定性,成像结果令人满意。对进一步的结构优化设计提供理论支持;此外,对提高样机的可靠性,降低风险具有指导意义。
简介:Ⅲ族氮化物(又称GaN基)宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系,在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10多年,以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展,形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN基功率电子器件受到了学术界和产业界的高度重视,形成了新的研发和产业化热点。首先介绍了半导体照明技术和产业的发展历程和现状,分析了当前GaN基LED芯片技术面临的关键科学和技术问题;然后重点介绍了GaN基微波功率器件和电力电子器件的发展历程和动态,包括微波功率器件已经取得的突破性进展和产业化现状,电力电子器件相对Si和SiC同类器件的优势和劣势,并对GaN基功率电子器件当前面临的关键科学和技术挑战进行了较详细的分析。