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  • 简介:采用量子力学的微扰理论,对GaN量子点结构的喇曼频移进行分析.在喇曼实验中,观察InGaN/GaN量子点结构的E2和A1(LO)的模式,并发现实验中样品的喇曼频移与GaN的体材料相比,有着明显的红移.

  • 标签: 量子点 喇曼频移 微扰理论
  • 简介:利用非线性偏振旋转锁模掺铒光纤激光器和1100m长的掺锗硅高非线性光纤制作了超连续光源,获得了从1150~1750nm的超宽带输出光谱,其中1150~1350nm波段光谱起伏小于3dB,1600~1700nm波段平坦度优于1dB,并有很好的向长波延展空间。光谱展宽的机理为孤子分裂与受激拉曼散射,而四波混频使光谱进一步展宽。

  • 标签: 超连续光谱 高非线性光纤 掺铒光纤锁模激光器 孤子分裂 非线性偏振旋转
  • 简介:基于角锥互注入锁相相干合成方案,利用光纤Bragg光栅(R=85%@1064nm)作为两光纤激光器的共用腔镜,实现了两光纤激光器相关联,进一步提高了激光的互注入能量。采用外腔结构,较容易实现了两光纤激光器的能量互注入锁相。在实验上观察到了远场清晰稳定的干涉条纹(可见度超过0.8),获得了功率合成效率约为80%的线偏振相干激光输出。

  • 标签: 光纤光学 光纤激光器 相干合成 互注入锁相 角锥
  • 简介:去除图像中的椒盐噪声可转化为二维曲面的重建问题。选用Multi-Quadric函数对图像中损失的信息构造插值格式,自动选择待插值点和插值参考点并求解插值方程组得到处理后的图像。实验证明,本方法可以在很少破坏图像细节的情况下去除大部分甚至全部噪声,并且在噪声密度非常大的情况下仍然可以还原相当多的图像信息。对噪声密度为50%和90%的单色Lena图像进行处理,该方法得到的信噪比比自适应中值滤波高6dB以上。

  • 标签: 径向基函数 LDLT分解 椒盐噪声 信噪比
  • 简介:为了验证双光敏感器折反部件在实际工况下是否会发生成像失真及结构损坏,采用有限元分析软件MSC.Nastran对双光敏感器结构进行了静态分析和模态分析,得到了结构的静态特性及固有频率。根据分析图像所得数据及反射定律计算,得到折反镜实际反射光线与理论反射光线的偏移量为0.03mm,小于设计时的理论安全值0.05mm,验证了折反部件在静力学作用下变形较小,成像不会失真;动态分析得到折反部件的基频为1647.5Hz,基频较高不易产生共振,具有一定的结构稳定性,成像结果令人满意。对进一步的结构优化设计提供理论支持;此外,对提高样机的可靠性,降低风险具有指导意义。

  • 标签: 双光路敏感器 折反部件 静态分析 模态分析 固有频率
  • 简介:Ⅲ族氮化物(又称GaN)宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系,在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10多年,以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展,形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN功率电子器件受到了学术界和产业界的高度重视,形成了新的研发和产业化热点。首先介绍了半导体照明技术和产业的发展历程和现状,分析了当前GaNLED芯片技术面临的关键科学和技术问题;然后重点介绍了GaN微波功率器件和电力电子器件的发展历程和动态,包括微波功率器件已经取得的突破性进展和产业化现状,电力电子器件相对Si和SiC同类器件的优势和劣势,并对GaN功率电子器件当前面临的关键科学和技术挑战进行了较详细的分析。

  • 标签: 半导体 禁带 半导体照明 功率电子器件
  • 简介:多路视频实时编码传输技术是多摄像机凝视型全景成像系统中的关键技术之一。设计了一种以DM368多媒体处理器为核心的六视频实时H.264编码传输系统。作为针对多媒体领域的片上系统(SoC)DM368采用ARM9处理器加视频编码协处理器方案,用硬件编码器对视频编码可以减少系统资源的消耗,而ARM9中运行的嵌入式Linux系统可以灵活的控制网络通信、视频采集、硬核调度等任务,是一种开发周期短、性能优越的多路视频编码解决方案。经测试,本系统对六PAL视频进行编码传输实时性强、画面质量高、满足多摄像机凝视型全景系统的需求。

  • 标签: 全景凝视 达芬奇技术 视频编码 网络传输
  • 简介:光纤陀螺小型化是光纤陀螺发展的一个重要方向,提出了一种基于时分复用技术的三轴光纤陀螺光结构,通过复用一个光源和一个探测器大大减少了器件数量,有效地降低了成本,减小了体积。针对三轴光纤陀螺单信道多信号传感理论进行分析,给出了一种有效的信号提取方案,最后对光串扰噪声进行了研究,提出一种噪声抑制技术并进行了实验验证。测试结果表明,噪声抑制技术效果良好,陀螺精度满足工程应用要求。

  • 标签: 光纤陀螺 噪声抑制 复用技术 小型化
  • 简介:采用真空蒸镀与化学镀两种方法制备GaN发光二极管(LED)金电极,分析比较了两种工艺所得芯片成本、外观色差、打线拉力。结果表明,化学镀金可选择性还原欲沉积的金属于电极上,较之蒸镀整面金属,可大幅度节省金属成本,且操作简单易行。化学镀金法所制得金属层,较蒸镀法所制得金属层表面粗糙,可有效减少电极间的色差,且能提高打线或焊线的附着力。

  • 标签: 真空蒸镀 化学镀金 发光二极管 色差 附着力