简介：利用MOCVD技术，分别在图形化蓝宝石衬底（PSS）、沉积有AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-A）和经过选择性刻蚀掉部分AlN的AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-E）上外延生长GaN。在高倍金相显微镜下面观察了生长的表面形貌，利用AFM测量了外延片表面的粗糙度，对比分析了三种样品（002）面和（102）面XRD的FWHM，然后对三个样品切片，SEM观察了三种样品的剖面图，最终将三种样品衬底的外延片制备成相同产品，对比分析了样品的LED芯片的光电参数。
简介：偏振模色散和偏振相关损失的联合作用，会产生不规则的色散现象，这一点不能直接通过琼斯距阵本征分析法的运用进行描述。由此引出了对偏振模色散和偏振相关损失共存条件下的研究。通过对琼斯本征分析法进行修正，来分析存在偏振相关损失条件下偏振模色散的特征距阵，理论分析表明，由于偏振相关损失的影响，即使在忽略差分损耗频率相关性的条件下，偏振模色散的特征距阵也会产生根本性的变化。
图形化蓝宝石衬底上利用AlN缓冲层生长GaN的研究
存在偏振相关损失条件下偏振模色散的特点
