简介：自硅芯片问世以来，芯片制造商一直认为芯片越小越好。芯片越小，电子运动的距离越小，运算速度越快。但芯片小到一定程度时，漏电问题就会成为主要矛盾。

简介：针对使用单一频率飞秒激光纵模间拍信号测距时测量分辨力和最大非模糊距离之间的矛盾,提出了一种同时使用不同频率的微波信号对距离进行测量并逐级合成测量结果的方法。分别选取频率为100MHz和1GHz的纵模间拍信号测量目标距离,之后调整飞秒激光器的重复频率,使1GHz的纵模间拍信号频率变化1MHz后再次测量,借助频率变化进一步得到更大的合成波长,最后将三次测量的结果逐级合成,在扩展最大非模糊距离的同时保证了测量结果的高精度。实验结果表明,这种方法能够将最大非模糊距离扩展到150m,对目标绝对距离的测量结果不确定度为25.8μm。该方法不需要改变光路结构,测量过程简便,能很好地实现大尺寸高精度的绝对距离测量。

简介：直接运用变系数高阶非线性薛定谔方程的精确2-孤子解，来研究在孤子控制下两个飞秒光孤子间的相互作用，讨论了邻近孤子的稳定性。结果表明联合控制群速度色散分布，三阶色散分布和非线性分布能抑制两个飞秒光孤子间的相互作用，而且能避免孤子超前或滞后，在特定的孤子控制系统下，两个飞秒光孤子有良好的稳定性。

简介：利用MOCVD技术，分别在图形化蓝宝石衬底（PSS）、沉积有AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-A）和经过选择性刻蚀掉部分AlN的AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-E）上外延生长GaN。在高倍金相显微镜下面观察了生长的表面形貌，利用AFM测量了外延片表面的粗糙度，对比分析了三种样品（002）面和（102）面XRD的FWHM，然后对三个样品切片，SEM观察了三种样品的剖面图，最终将三种样品衬底的外延片制备成相同产品，对比分析了样品的LED芯片的光电参数。

简介：采用真空蒸镀与化学镀两种方法制备GaN基发光二极管（LED）金电极,分析比较了两种工艺所得芯片成本、外观色差、打线拉力。结果表明,化学镀金可选择性还原欲沉积的金属于电极上,较之蒸镀整面金属,可大幅度节省金属成本,且操作简单易行。化学镀金法所制得金属层,较蒸镀法所制得金属层表面粗糙,可有效减少电极间的色差,且能提高打线或焊线的附着力。