简介：

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简介：利用北京同步辐射装置漫散射实验站的五圆衍射仪，建立了掠入射X射线衍射实验方法。对Si表面生长的Ge/Si量子点及其在Si表层产生的应变进行了成功测量，表明此方法可以有效地提取表面层的微弱信号。实验结果表明，Ge/Si量子点的形成除了在Si衬底表层形成了晶格具有横向膨胀应变的区域之外，还在Si衬底中形成了具有横向压缩应变的区域。

简介：X射线干涉测量技术是以非常稳定的亚纳米量级的硅单晶的晶格作为基本长度单位，以建立纳米级长度基准，从而实现纳米级精度的测量、校验等功能。由于其在纳米测量范围内的特殊优越性，因而近年来该技术得到了迅速发展。该技术的前提是X射线干涉技术的实现。根据X射线干涉的特点，并考虑到X射线的吸收特性，用单晶硅制出了LLL型X射线干涉器件。在北京同步辐射实验室（BSRL）4W1A束线上选择17．5Kev能量的同步辐射光进行了X射线干涉实验，在拍摄的底片上比较清楚地观察到了X射线干涉条纹。

简介：本文报道了作者在同步辐射X射线光刻研究中的一些新进展，其中，最细尺寸已达50纳米。

简介：本文介绍了同步辐射及其特点，同步辐射微探针荧光分析的实验装置及北京同步辐射装置上开展的研究工作。

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简介：本文叙述了同步辐射全反射X射线荧光分析的实验装置和方法，给出了几种标准物质实验的检出限，我们已在细胞元素谱、体液和水样方面作了一些研究，并对实验结果进行了讨论。

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简介：本文重点介绍研制的同步辐射X射线入射强度实时在线监测系统。

简介：介绍在北京同步辐射装置上进行的国内首次LLL型X射线干涉实验研究，在X光底片上观察到了Moire干涉条纹，为进一步利用X射线干涉技术实现纳米测量打下了初步基础。

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简介：利用双晶单色器和精密二圆衍射仪，在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术，并用这一实验技术结合X射线衍射方法，研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。实验结果表明，由于Ge原子的偏析，在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层，浓度平均值为X=0．13；650℃退火会使Ge原子向表面扩散，Si晶体中的合金层消失，在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层。

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简介：应用同步辐照光源进行高温高压原位能量色散X射线衍射实验，入射X射线光束定位是关键，北京同步辐射实验室高压衍射站引入四刀光阑扫描系统，实现调光定位自动化，简化调光手续，提高实验效率，为高压衍射实验站的用户进行实验提供了方便。

简介：论文介绍了北京同步辐射X－射线荧光微束分析装置的最新进展，以及近年来在生物医学和石油地质领域的应用研究工作，重点报导了前不久在国内首次使用该方法，对单个流体包裹体探测的实验结果。