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247 个结果
  • 简介:不同退火温度处理后纳米非晶态NiB和NiP合金催化剂XAFS和XRD结果表明,在300℃温度退火后,纳米非晶态NiB合金晶化生成纳米晶Ni和晶态Ni3B中间态;纳米非晶态NiP合金直接晶化生成稳定晶态Ni和Ni3P。在500℃温度退火后,NiB和NiP样品都晶化为金属Ni,但NiB样品中Ni原子周围局域结构与金属Ni箔几乎相同,NiP样品由于Ni原于受到元素P影响,生成晶态Ni结构有较大畸变,结构与金属Ni相差很大。

  • 标签: XAFS方法 纳米非晶态合金 NiB合金 NiP合金 结构 镍硼合金
  • 简介:通过同步X光荧光(SXRF)成分分析,定性地研究了在0.5atm、0.6atm、0.7atmAs压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比变化。结果表明:控制As压可以改变化学配比,在足够As压下高温退火将改善化学配比均匀性。

  • 标签: 高温退火 半绝缘GAAS As压 化学配比 X光荧光分析 砷化镓
  • 简介:测定了真空蒸镀WO3薄膜电致变色前后谱,发现钨原子与周围氧原子作用距离随着阳离子(K^+,Li^+)注入电量增加增加,说明阳离子注入WO3微结构有影响

  • 标签: 三氧化钨薄膜 电致变色 EXAFS 微结构
  • 简介:用同步辐射X荧光(SRXRF)分析了土壤和岩石标准参考物质、泰兵马俑和江西洪州窑古瓷中元素谱。实验结果表明用扫描方式分析古陶瓷中元素谱能提高实验数据重复性,在古陶瓷元素谱无损分析中,现有标准参考物质可以用于部分元素含量标定和分析质量控制。

  • 标签: 古陶瓷 元素谱 产地 年代特征 SRXRF分析方法学 同步辐射X荧光
  • 简介:利用原子力显微镜,同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4晶体缺陷中铁电畴和位错。首次用原子力显微镜给出了用两腐蚀剂腐蚀过KTA晶体表面的铁电畴和位错蚀坑照片及定量信息,如发现铁电畴明区要高于暗区,且两者粗糙度明显不同。这为研究各种晶体生长缺陷开辟了条新途径。

  • 标签: KTiOAsO4晶体 原子力显微镜 同步辐射X射线形貌像 铁电畴 位错 激光倍频材料
  • 简介:应用同步辐射小角X射线散射方法测试了不同制备条件下SiO2干凝胶孔隙结构,发现了散射曲线Debye散射理论遵守与正、负偏离情况。分别应用Debye法和Guinier法(逐级切线法和多级斜线法)计算了SiO2干凝胶中微孔平均孔径,结果表明这几种方法计算值不仅在遵守Debye散射理论情况下比较接近,而且在偏离(正和负)Debye散射理论情况下也取得了较好致性。

  • 标签: 小角X射线散射 测定 SAXS Debye散射理论 二氧化硅干凝胶 平均孔径
  • 简介:利用同步辐射X光衍射技术,(La1-xBix)0.5Ca0.5MnO3(x=0.2,0.3,0.4)中存在Jahn-Teller畸变,进行了原位高压研究。实验表明在外加压力作用下,能有效地影响到晶格中Mn-O键长和Mn-O-Mn键角变化,样品中晶格畸变有所减小。并且在晶格中存在不同畸变模式Q2和Q3,在外加压力作用下变化规律进行了讨论。由于这两不同畸变模式在受到外力作用时,表现形为不样,导致了位于a-b基面上Q2畸变模式消失,并且导致Q2畸变模式消失压力点随掺杂浓度增加增加。

  • 标签: 压力 掺Bi LaCaMnO 晶格畸变
  • 简介:提出了当多孔体系小角X射线散射不遵守Porod定理情况下,应用Debye法(相关函数法)和Guinier法(逐级切线法和多级斜线法)计算它们平均孔径方法不同制备条件下部分二氧化硅干胶凝测试,取得了比较结果,并与氮气吸附法测定结果进行了对比。

  • 标签: 测定 小角X射线散射 二氧化硅干凝胶 平均孔径 相关函数法 Debye法
  • 简介:用同步辐射X荧光微束扫描技术测量了未经处理,腹腔注射CdCl2及注射后用新型络合剂促排组Wistar大鼠肾切片。结果表明Cd主要分布在肾皮质部分,髓质部分含量很低。用多元素统计分析探讨了元素间关系;在正常鼠肾中,元素分布基本上聚类成两大类。其中微量元素Cu,Zn,Mn和Se为类,它们在肾中分布有较强共位性,处于平均状态;急性中毒时,Cd与Se距离最近。有较强相互作用。其次与Ca,此时元素分类不明显,平衡被打乱;中毒后用新药促排Se和Zn强相关并聚为类,其它元素间相关性变弱,元素基本上又趋于分为两类。

  • 标签: 微量元素 多元统计分析 同步辐射微束扫描分析 元素位置分布 肾损伤 急性镉中毒
  • 简介:用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长Si缓冲层生长温度SiGe/Si异质结结构影响。结果表明,所研究SiGe外延层晶格发生完全弛豫,但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层生长温度变化,最佳生长温度为450℃;缓冲层晶格应变达到高质量SiGe外延层主要原因。

  • 标签: Si缓冲层 生长 温度 SiGe外延层结构 X射线 晶格
  • 简介:考察了锆助剂含量钴基催化剂结构及费-托合成反应性能影响。结果表明,随着锆含量增加,甲烷生成受到抑制,重质烃选择性提高,重质烃合成操作温度区间加宽,且催化剂仍保持较高活性。TPR,H2-TPD,XRD及EXAFS等表征结果表明,锆助剂单层分散与硅胶表面,钴以定尺寸聚集态存在;随着锆含量增加,锆覆盖硅胶表面增加,裸露硅胶表面减小,分散度几乎不变。这使得钴锆界面增大,钴硅界面减小,有利于重质烃生成。另外,H2-TPD结果还表明,催化剂存在有从钴到锆硅载体氢溢流。

  • 标签: 含量 锆助剂 钴基催化剂 费-托合成 结构
  • 简介:通过原位浸渍法把FeSO4和其它助剂共同浸渍在两烟煤上,考察了以FeSO4为主要前驱体催化剂这两煤直接液化活性与选择性,以及其液化产物-甲苯可溶物分子量影响作用,并通过EXAFS和SAXS表征揭示了催化剂在煤上化学态和粒径分布,结果表明:在反应条件下,FeSO4和两助剂分别共浸渍在两煤上时,煤总转化率及沥青烯和轻质产物产率均比不添加催化剂时结果提高1倍左右,与铁硫化物相比,以FeSO4为主要前驱体催化剂沥青烯和轻质产物具有较高选择性,生成重质甲苯可溶物具有较大分子量;EXAFS和SAXS表明,原位浸渍在煤上FeSO4表现为纳米相,助剂Na2S和尿素添加主要改变了Fe原子周围配位原子种类以及它们成键方式,而对其颗粒分布影响较小,催化剂在汾西煤上分布较其在兖州煤上些。

  • 标签: 硫酸亚铁基催化剂 烟煤液化 实验
  • 简介:首次将炭载型CuO/AC用于烟气脱硫,在最经济烟气脱硫温度窗口(120-250℃)显示出高脱硫活性,考查了煅烧温度和煅烧后脱硫剂预氧化硫脱活性影响,并脱硫剂进行了TPD和EXAFS表征。结果表明:经250℃煅烧CuO/AC脱硫剂具有最高脱硫活性。200℃煅烧,前驱体Cu(NO3)2未完全分解:高于250℃煅烧,活民生组分CuO被载体C部分还原为金属Cu微晶,从而发生烧结,聚集,以上均导致脱硫剂活性下降,尽管不同温度煅烧CuO/AC表现出大脱硫活性差异,但吸硫后均生成同反应产物CuSO4,250℃煅烧CuO/AC脱硫剂Cu以CuO和Cu2O形态存在,其中Cu2O在200℃很容易氧化成CuO。

  • 标签: CuO/AC 脱硫剂 制备 煅烧温度 脱硫活性 EXAFS
  • 简介:采用在位高压Raman光谱和高压同步辐射能散X射线衍射技术,在室温下晶粒尺寸为10nm锐钛矿TiO2进行了压致相变研究,压力范围分别为42.9GPa和23.0GPa,实验结果表明,在16.3GPaTiO2发生了次结构相变,由原来锐钛矿结构变为α-PbO2结构(TiO2-Ⅱ),该相变不可逆。同体材料TiO2高压相变结果比较,由于晶粒尺寸效应,纳米尺寸锐钛矿TiO2相变压力明显高于体材料相变压力。

  • 标签: 钛矿 相变压力 晶粒尺寸
  • 简介:应用激光激发荧光谱实验经热处理后及高压条件下氮碳薄膜荧光光谱进行了测量分析,实验显示,热处理效应和高压效应均导致薄膜荧光效率降低,前者表现为不可恢复,后者为可恢复卸压后荧光效率恢复,表明导致荧光光谱效率降低微观机制不同,为氮碳薄膜荧光模型提供了新实验证据。

  • 标签: 氮碳薄膜 激光诱导 荧光效率 热退火