学科分类
/ 13
242 个结果
  • 简介:利用同步辐射X光衍射技术,对(La1-xBix)0.5Ca0.5MnO3(x=0.2,0.3,0.4)中存在Jahn-Teller畸变,进行了原位高压研究。实验表明在外加压力作用下,能有效地影响到晶格中Mn-O键长和Mn-O-Mn键角变化,样品中晶格畸变有所减小。并且对在晶格中存在两种不同畸变模式Q2和Q3,在外加压力作用下变化规律进行了讨论。由于这两种不同畸变模式在受到外力作用时,表现形为不一样,导致了位于a-b基面上Q2畸变模式消失,并且导致Q2畸变模式消失压力点随掺杂浓度增加而增加。

  • 标签: 压力 掺Bi LaCaMnO 晶格畸变
  • 简介:用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长Si缓冲层生长温度对SiGe/Si异质结结构影响。结果表明,所研究SiGe外延层晶格发生完全弛豫,但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层生长温度而变化,最佳生长温度为450℃;缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层主要原因。

  • 标签: Si缓冲层 生长 温度 SiGe外延层结构 X射线 晶格
  • 简介:通过同步X光荧光(SXRF)成分分析,定性地研究了在0.5atm、0.6atm、0.7atmAs压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比变化。结果表明:控制As压可以改变化学配比,在足够As压下高温退火将改善化学配比均匀性。

  • 标签: 高温退火 半绝缘GAAS As压 化学配比 X光荧光分析 砷化镓
  • 简介:考察了锆助剂含量对钴基催化剂结构及费-托合成反应性能影响。结果表明,随着锆含量增加,甲烷生成受到抑制,重质烃选择性提高,重质烃合成操作温度区间加宽,且催化剂仍保持较高活性。TPR,H2-TPD,XRD及EXAFS等表征结果表明,锆助剂单层分散与硅胶表面,而钴以一定尺寸聚集态存在;随着锆含量增加,锆覆盖硅胶表面增加,裸露硅胶表面减小,而钴分散度几乎不变。这使得钴锆界面增大,钴硅界面减小,有利于重质烃生成。另外,H2-TPD结果还表明,催化剂存在有从钴到锆硅载体氢溢流。

  • 标签: 含量 锆助剂 钴基催化剂 费-托合成 结构
  • 简介:首次将炭载型CuO/AC用于烟气脱硫,在最经济烟气脱硫温度窗口(120-250℃)显示出高脱硫活性,考查了煅烧温度和煅烧后脱硫剂预氧化对硫脱活性影响,并对脱硫剂进行了TPD和EXAFS表征。结果表明:经250℃煅烧CuO/AC脱硫剂具有最高脱硫活性。200℃煅烧,前驱体Cu(NO3)2未完全分解:高于250℃煅烧,活民生组分CuO被载体C部分还原为金属Cu微晶,从而发生烧结,聚集,以上均导致脱硫剂活性下降,尽管不同温度煅烧CuO/AC表现出大脱硫活性差异,但吸硫后均生成同一反应产物CuSO4,250℃煅烧CuO/AC脱硫剂Cu以CuO和Cu2O形态存在,其中Cu2O在200℃很容易氧化成CuO。

  • 标签: CuO/AC 脱硫剂 制备 煅烧温度 脱硫活性 EXAFS
  • 简介:采用在位高压Raman光谱和高压同步辐射能散X射线衍射技术,在室温下对晶粒尺寸为10nm锐钛矿TiO2进行了压致相变研究,压力范围分别为42.9GPa和23.0GPa,实验结果表明,在16.3GPaTiO2发生了一次结构相变,由原来锐钛矿结构变为α-PbO2结构(TiO2-Ⅱ),该相变是不可逆。同体材料TiO2高压相变结果比较,由于晶粒尺寸效应,纳米尺寸锐钛矿TiO2相变压力明显高于体材料相变压力。

  • 标签: 钛矿 相变压力 晶粒尺寸
  • 简介:应用激光激发荧光谱实验对经热处理后及高压条件下氮碳薄膜荧光光谱进行了测量分析,实验显示,热处理效应和高压效应均导致薄膜荧光效率降低,前者表现为不可恢复,后者为可恢复即卸压后荧光效率恢复,表明导致荧光光谱效率降低微观机制不同,为氮碳薄膜荧光模型提供了新实验证据。

  • 标签: 氮碳薄膜 激光诱导 荧光效率 热退火
  • 简介:本文利用沉淀法制备了粒度分窄,无明显团聚ZrO2纳米微粒。考察了ZrO2纳米微粒修饰丝光沸石对二甲苯异构化影响。实验结果表明,经修饰后丝光沸石催化剂能有效地抑制副反应发生,提高二甲苯异构化选择性,超微粒子修饰丝光沸石催化活性和选择性明显优地体相材料修饰样品。

  • 标签: ZrO2 纳米微粒 丝光沸石 二甲苯 异构化 催化剂
  • 简介:工业半焦经850℃水蒸气活化,浓硝酸处理,等体积浸渍硝酸铜溶液,干燥,煅烧制得新型低温CuO/AC脱硫剂,考查了脱硫剂制备参数-载铜量对脱硫活性影响,并对不同载铜量脱硫剂进行了TPR,EXAFS,XRD等表征,结果表明,载铜量为5-15%(w)时,脱硫剂具有较高脱硫活性;5%载Cu量为AC(活性焦)表面发生单层覆盖最大量,低于5%,活性组份CuO在AC表面高度分散,无体相CuO出现,但脱硫剂过低活性组份含量,使得脱硫活性较低;高于5%时,CuO在AC表面发生多层覆盖,且随着载铜量继续增加,活性组份矣集和内部微孔堵塞严重,致使脱硫活性出现明显下降。

  • 标签: 脱硫 CuO/AC脱硫剂 截铜量 脱硫活性
  • 简介:采用溶胶-凝胶法制备CoMoO4催化剂,经K助化后分别在空气中于400-800℃下进行焙烧,得到氧化态样品,然后经硫化制得硫化态K-Co-Mo催化剂,对氧化态样品乙醇分解性能及硫化态样品CO加氢合成低碳醇反应性能进行了测试,运用X射线衍射(XRD)和扩展X光吸收精细结构(EXAFS)对样品进行结构表征,乙醇分解性能测试表明,催化剂表面酸性较弱,且随着焙烧温度升高变化不大,合成醇性能测试结果则显示,催化剂焙烧温度升高后,其合成醇产率逐步降低,但醇选择性基本不变,经400℃焙烧样品,具有最好催化活性。结构分析结果表明,氧化态样品中存在多种K-Mo-O物种,且随着焙烧温度提高,钾铝之间作用增强,样品更难以被完全硫化。

  • 标签: K-CO-MO催化剂 溶胶-凝胶法 低碳醇合成 焙烧温度
  • 简介:利用XRD、TPR和EXAFS等手段考察了焙烧温度对Cu/MnO2/ZrO2催化剂性能影响,结果表明,随着焙烧温度增加,铜配位环境发生变化,铜和锰之间相互作用增强,有效地防止铜组分在还原及反应过程中聚集长大,从而使催化剂活性显著增加,当催化剂经过高温焙烧,催化剂活性由于ZrO2结晶和铜聚集而降低。

  • 标签: Cu/MnO2/ZrO2催化剂 焙烧温度 活性测试
  • 简介:同步辐射X射线(白光)微束激发晶态物质和非晶态物质时,其中晶态物质衍射线将严重影响元素X射线能谱分析,其最有效解决办法是采用同步辐射单色光激发样品,或在样品与Si(Li)探测器之间入一准直器以消除衍射作用影响

  • 标签: 晶态物质 同步辐照 X射线荧光分析
  • 简介:采用溶胶-凝胶法,制备了不同钴含量钴钼超细粒子氧化物,将其与K2CO3干混后进行硫化。使用X-射线衍射(XRI)和扩展X光吸收精细结构(EXAFS)对样品进行结构表征。同时测试硫化态样品CO加氢合成低碳混合醇性能。结构表征结果表明,不含钴氧化态样品,主要以颗粒度较大MoO2物种存在;添加钴后,样品粒子颗粒度大幅度降低,钴钼组分主要以CoMoO3物种形式存在,当钴含量增加时,CoMoO3晶形趋于改善。硫化态样品中钼以类似于MoS2物种形式存在,但粒子尺寸较小。同时,体系中还存在Co-Mo-S和Co9S8物种。XRD和EXAFS结果表明,适量钴添加,有利于样品硫化。活性测试表明,钴加入,明显促进含量也最高。结合结构表征结果,认为钴是以协同作用方式参与反应。

  • 标签: 超细粒子 溶胶-凝胶法 K-CO-MO催化剂 低碳醇 合成 钴含量
  • 简介:采用水热合成法制备了Ni/CeO2-ZrO2-A12O3催化剂。进行了添加和不添加水蒸气CH4-CO2催化重整反应,测量了积碳量,并用EXAFS手段测试了催化剂NiK吸收边。结果表明,反应前后最近邻Ni—Ni配位距离无明显变化,而配位数却变化明显。无水蒸气反应后Ni-Ni配位数有较大幅度减少,而添加了水蒸汽,Ni—Ni配位数比反应前减少幅度小。水蒸气添加能减少积碳量,稳定催化剂中Ni结构,从而提高催化反应稳定性。

  • 标签: 水蒸气 CH4 CO2 Ni/CeO2-ZrO2-A12O3催化剂 水热合成法 EXAFS
  • 简介:对磁控溅射法在YBa2Cu3O7-δ缓冲层及SrTiO3(001)衬底上生长Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜材料,应用X射线散射倒空间作图法研究了薄膜在垂直(a⊥)和平行(a||)于表面方向晶格常数与其厚度关系。研究结果表明,随着PZT厚度增加,a⊥增加,而a||减小。这种晶格常数变化,不能用一般薄膜弹性畸变来解释,我们归结为晶体尺寸效应起了很大作用。X射线衍射测量结果表明,随着PZT厚度增加,其晶粒尺寸也增加。

  • 标签: PZT薄膜 晶格常数 厚度 铁电薄膜 X射线衍射
  • 简介:应用同步辐照光源进行高温高压原位能量色散X射线衍射实验,入射X射线光束定位是关键,北京同步辐射实验室高压衍射站引入四刀光阑扫描系统,实现调光定位自动化,简化调光手续,提高实验效率,为高压衍射实验站用户进行实验提供了方便。

  • 标签: X射线衍射 同步辐照 光束定位
  • 简介:利用溶胶法制备出不同粒度聚乙烯醇(PVA)包覆下硫化亚铁(FeS)纳米颗粒,探讨反应物浓度对产物影响。对FeS进行了物性表征,同时进行了高压衍射相变研究。

  • 标签: FeS纳米颗粒 制备 表征 溶胶法 聚乙烯醇 包覆