简介:利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,计算了新型稀磁半导体母体YCuSO的能带结构和态密度以及介电函数、反射函数和吸收函数等光学性质.计算结果表明,YCuSO属于直接带隙半导体,禁带宽度约为1.22eV.其费米面主要由Cu3d和S3p层电子构成.YCuSO半导体晶体在80~90nm处存在明显的光损失,在80~350nm区间光反射较大,光吸收主要发生在50~680nm区间,表明YCuSO在红外与远紫外波段具有潜在的应用价值.这些结果为实验室合成基于YCuSO母体、电荷自旋注入机制分离的新型稀磁半导体,进而研究其性质提供了依据.
简介:联合国前副秘书长沙祖康在第十九届中国国际工业博览会《中国制造2025》国际合作论坛圆桌讨论会上表示,联合国在2030年可持续发展议程当中,制定了工业化的具体目标,并强调三个重要方面,对于绿色制造业国际合作至关重要。第一,加强科学研究,提高所有国家特别是发展中国家各工业部门的技术能力。第二,通过对非洲国家、不发达国家、内陆发展中国家和小岛屿发展中国家资金、技术和工艺支持,促进发展中国家可持续和富有韧性的基础设施建设。第三,支持发展中国家的国内技术发展、研究和创新,包括确保有利于工业多元化的政策环境和对大宗商品的增加值。