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500 个结果
  • 简介:本文以SCI为数据源,统计南京中医大学2004年至检索日止SCI收录文献,从年代、文献类型、合作国家、论文引频次、来源刊以及来源刊影响因子、分区等进行了统计分析,为学科发展和学校学科建设提供参考。

  • 标签: SCI 文献计量分析 南京中医药大学 科技论文
  • 简介:文中提出了片上FLASH替换设计方法,不改变原FLASH控制逻辑情况,通过增加接口转换逻辑,原FLASH控制接口与新FLASHIP接口之间进行功能与时序转换,实现片上FLASH替换。由于固化了已有的成功设计,从而大大降低了替换修改带来风险。通过测试仿真,输出结果在接口功能和时序上都符合新FLASHIP工作要求,并在某SOCFLASHIP替换中应用。

  • 标签: FLASH SOC 接口 替换
  • 简介:针对WSN能耗进行研究,簇头选择过程中利用节点能量、邻节点数以及簇头数等参数设置节点当选簇头优先度;组建过程中利用能量参数设置簇重建条件,达到减小簇重建频率目的,有效地防止网络中热点问题出现。

  • 标签: WSN LEACH 分簇机制
  • 简介:嵌入式应用中,单指令流多数据流(SIMD,singleinstructionmultipledata)结构向量处理器蓬勃发展同时,也面临着如何高效利用丰富处理资源问题。SIMD向量结构上,处理实际应用中无法向量化运算部分,尤其是很多非向量化循环内部往往含有体间相关,使得SIMD结构丰富运算资源处于空闲状态。因此,传统SIMD结构受限于此类应用。提出了变型向量处理器,保持传统SIMD处理数据并行应用高效性同时,能够高效地执行包含循环体间数据相关代码段。实验结果表明,它能获得2.4倍性能加速,而仅仅占用0.97%面积开销。

  • 标签: 单指令流多数据流 指令级并行 数据级并行 向量处理单元
  • 简介:智慧城市是解决当前城市发展难题和实现可持续发展重要途径,总体架构设计十分重要,参考美国国家标准技术研究院(NIST)云计算模型,结合国家智慧城市试点建设情况,提出了个包括物理资源层、资源提取与控制层、基础设施服务层、平台服务层、用户服务层系统总体架构。该架构方面将云计算技术与具体应用相结合,另方面也体现了当前我国智慧城市应用中建设需求,可为未来系统建设提供参考。

  • 标签: 智慧城市 云计算 基础设施服务 平台服务 用户服务
  • 简介:本文介绍LED—display.cnLEDwcom/”〉LED显示屏获取数据新型方法。该方法运用高精度数字化处理技术将计算机显示卡输出模拟信号转换成标准数字信号传送给显示屏.实现与计算机同步显示,解决目前显示屏用多媒体卡尴尬境地.从而提高了显示屏显示效果.拓宽了显示屏应用领域.达到国内同行业领先水平.具有应用价值。

  • 标签: LED显示屏 显示数据 数字化处理技术 数字信号传送 同步显示 信号转换
  • 简介:随着iOS系统上应用复杂度不断增大,开发者及用户对于应用和系统可靠性要求也随之不断提升。本文设计实现能够开机自启动并始终在后台运行iOS日志系统。该日志系统能够收集系统和第三方应用中发生错误,并将这些错误提交到远程服务器上以供进分析和研究。

  • 标签: 错误收集 智能手机 iOS日志系统
  • 简介:文章碰撞二叉树算法(CT)技术基础上提出用于433MHz频段标签防碰撞算法——改进型碰撞二叉树算法(ICT),可以很好地对各类土地地形分布数量等特征进行测量。该算法根据首次碰撞码字进行前缀生成和标签组区分,标签快速识别中,对每个标签使用了个计数器和个指针,用来记录阅读器历史序列,从而使得阅读器不需要传输整个前缀序列。仿真结果表明,ICT算法在当标签ID具有类似的前缀时,表现出优于CT算法性能。

  • 标签: 防碰撞算法 碰撞树 标签识别 无线识别
  • 简介:提出了基于协议重构内外网逻辑隔离新方法,通过重构现有公共通信协议,形成专有协议,实现内网专有用户与公共用户隔离。在内网中,公共用户能访问外网,而专有用户与外网“逻辑隔离”。相对于物理隔离方法,这种方法保证内网安全性能前提下,满足内网用户对外信息需求,提高了信息交流灵活度;相对于传统协议隔离方法,这种方法投入小、技术风险低,实用性更强。

  • 标签: 网络逻辑隔离 协议重构 TCP IP协议
  • 简介:传统MCU技术与分析近十年来,视频通信组网技术建立了完整技术体系.核心是MCU技术。由国际电联ITU—T组织制定并推广实施。视频通讯网络中连接三个或三个以上终端.需要由多点控制单元MCU作为视频会议中心控制,承担视音频码流信息交换.起到视频交换网桥作用。

  • 标签: MCU 矩阵式 组网技术 应用 设计 平台
  • 简介:亚微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻常用方法。但是TiSi生长与衬底掺杂浓度相关,对多晶栅掺杂剂量很高要求。由于光刻工艺中存在套刻偏差,使得后续源漏注入剂量会在多晶栅上有所偏差,影响了后续TiSi多晶栅上生长。文章采用多晶栅上生长层LPCVDSiN作为掩蔽层方法,避免了由于光刻套刻偏差引入注入剂量偏差,改善后续多晶栅上TiSi生长。通过对As注入和P注入不同SiN厚度掩蔽层穿透率研究发现40nm左右基本可以阻挡95%N+S/DAs注入剂量而保留80%多晶栅P注入剂量。该掩蔽层方法很多优点:源漏注入条件不用更改;多晶栅注入可调节剂量范围大大增加,可以更好地保持重掺杂多晶栅特性。

  • 标签: 硅化钛 多晶栅 掩蔽层
  • 简介:键盘电路是单片机应用中常用电路,本文给出了基于单片机利用定时器中断进行按键软件消抖方法,不改变定时器定时时间情况可以实现任意消抖延时时间设定。

  • 标签: 按键 软件消抖 单片机
  • 简介:通过分析Web应用中URL安全管理局限性,提出了利用Struts2开发框架配置变量namespace来管理URL权限方法。首先读取用户自定义配置文件,匹配授权角色和登录角色,再次调用解析算法解析操作权限值来匹配授权操作和请求操作。只有当两者都匹配成功,才允许用户正常访问。实验表明,该方法既能满足URL权限管理,还能根据用户需求自定义权限控制粒度来管理操作权限,且支持权限管理可配置,是通用URL管理工具。

  • 标签: WEB应用 URL技术 权限管理 算法匹配 粒度
  • 简介:静态存储器(SRAM)功耗是整个芯片功耗重要组成部分,并且大规模SRAM仿真芯片设计中也相当费时。提出了基于40nmCMOS工艺、适用于FPGA芯片SRAM单元结构,并为该结构设计外围读写控制电路。仿真结果表明,该结构SRAM单元保证正确读写操作,静态漏电电流远远小于同工艺普通阈值CMOS管构造SRAM单元。同时,为了FPGA芯片设计时大规模SRAM功能仿真的需要,为SRAM单元等编写了verilog语言描述行为级模型,完成了整个设计功能验证。

  • 标签: SRAM单元设计 漏电电流 行为级模型
  • 简介:了解决动目标检测过程中盲速问题,通常采用参差周期法设计参差滤波器组来达到同时抑制杂波和推远盲速效果。提出了基于梯度免疫算法参差MTI滤波器优化设计。该算法利用免疫算法搜索最优参差码,有效地避免了传统遗传算法中早熟问题。针对传统遗传算法运算量较大问题,引入了梯度算子缩小初始种群规模,使运算量大大减少。仿真结果验证算法可行性和有效性。

  • 标签: 参差码 盲速 第一零点 免疫算法 梯度算子
  • 简介:提出了开放分布式海量数据处理平台设计方案.该平台以HDFS、Hive和HBase等作为底层数据存储方式,以MapReduce、Spark和Storm等作为底层数据处理方式,向用户提供统-接口,同时使用Kerberous进行权限控制,保证数据安全性.这种开放式服务可使用户可在不同平台不同环境简单方便地完成海量数据处理任务.

  • 标签: HADOOP 分布式系统 海量数据 Kerberous 数据处理平台
  • 简介:正交波形设计是MIMO雷达关键问题。精心设计正交波形能显著提高MIMO雷达性能。针对正交波形设计问题,提出了具有严格正交性类零相关正交多相码设计方法。应用该方法设计波形具有严格正交性,且零相关区域不但具有低自相关旁瓣和低互相关,而且经匹配滤波和等效发射波束形成之后具有高主副比及良好的多普勒容忍性。设计思路是首先利用序列二次规划方法设计得到满足上述性能连续相位编码,之后将其量化为离散正交多相码。仿真结果验证所提方法有效性和实用性。

  • 标签: MIMO雷达 类零相关码 序列二次规划 距离高分辨
  • 简介:模拟电路工作低电源电压下是集成电路小型化和低功耗要解决首要难题,而基准电流源电路是模拟电路中最常用模块。因此,低压基准电流源电路对集成电路低功耗设计具有重要意义。描述0.13μm、1.2VCMOS工艺实现基准电流源电路,后仿真结果表明,电路能够1.2V电源电压下工作,功耗380μW,温漂值为15×10-6·℃-1。

  • 标签: 基准电流源 低电压 启动电路
  • 简介:本文提出了基于Cortex-M3核心密集架嵌入式控制系统设计,重点介绍各个模块实现和整体构架设计。

  • 标签: STM32 上位机 直流电机
  • 简介:提出了积累型槽栅超势垒二极管,该二极管采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET体效应作用降低二极管势垒。当外加很小正向电压时,N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累薄层,形成电子电流,进步降低二极管正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成PIN二极管开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间N-区长度决定。仿真结果表明,相同外延层厚度和浓度,该结构器件开启电压约为0.23V,远低于普通PIN二极管开启电压,较肖特基二极管开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

  • 标签: 超势垒二极管 槽栅 开启电压 泄漏电流