简介：创新是企业永恒的主题，没有创新就没有超越，没有超越就没有竞争价值。“唯有变者才能生存”，所以说，创新是企业实现持续发展的灵魂。创新不要只当一句口号，而是要有创新的思维、创新的目标、创新的团队、创新的路径和管理制度，通过创新不断改变企业的现状，实现企业更好更快的发展。

简介：在大数据背景环境下,广电行业难以置身事外,只能够去适应大数据,通过恰当的转型来取得新的发展契机。文章主要就大数据对广电行业的影响进行简要的分析。

简介：随着我国城市配电网的不断完善与更新,过去供电局提供的用电服务已不能满足当下用电安全管理的需求,服务方由供电局向电力公司进行转变,服务模式也顺应形势发展,对用电安全的管理水平提出了更高的要求。本文从创新用电安全服务模式的意义、当前用电安全服务的情况以及如何创新用电安全服务三个方面进行论述,以在当前服务模式的基础上进行方案的优化和合理配置。

简介：针对海面密集目标跟踪时数据关联难度大且跟踪精度不高的问题,提出了一种基于船载自动识别系统（AIS）信息的雷达航迹融合方法。首先,根据AIS测量值和雷达的测量噪声等级确定融合系数,保证融合数据的合理性;然后,使用融合后的航迹对雷达测量值作双波门的数据关联处理,优化数据关联方法,提高源于目标测量值的置信度,降低虚警和杂波的影响,进一步提高航迹的稳健性和跟踪精度;最后通过仿真和实测数据证明了所提方法的有效性和优越性。

简介：当前部分高职英语教学存在“双师型”比例低、与学生专业脱节以及难以兼顾学生个性化学习需求等问题,影响教学效果。文章分析了慕课在促进教师双师型化、紧密联系学生专业和让学生掌控学习过程等方面的优势,以期引进相关慕课资源到高职英语教学过程中,改善教学效果。

简介：北京兆易创新日前发布关于全资子公司合肥格易集成电路有限公司（合肥格易）完成注册资本工商变更登记的公告。公告显示，经北京兆易创新第二届董事会第七次会议、第二届监事会第八次会议及2016年第三次临时股东大会审议通过，公司将募集资金投资“研发中心建设项目”的实施主体由公司变更为公司全资子公司合肥格易，并以研发中心建设项目募集资金专项账户全部余额（含银行存款利息、

简介：以某雷达天线单元为研究对象,采用Icepak热仿真软件,研究了风腔厚度对强迫风冷系统散热性能的影响。结果表明：风腔厚度对风冷系统的散热性能有明显影响;保持风机型号和散热器结构不变,当风腔厚度过小时,风机的性能受到明显抑制;随着风腔厚度的增加,风机的性能会变好,发热元件的温度明显降低;当风腔厚度达到一定值后再继续增加时,风机的性能反而会下降,发热元件的温度也相应升高。在工程设计中,推荐此类风冷散热结构的风腔厚度取值不小于16mm,不大于40mm。

简介：在当前社会的飞速进步中，人们对电力需求有了极高的标准，相对也对我国的供电体系有了更严苛的要求，必须不断改良技术方面，主要在于电力电子设备所产生的谐波，而要想实现对这一影响的有效控制，可借助一定辅助措施的落实或是优化继电保护的整定值来实现。

简介：通过对同场对抗性项群对女性人格特征影响的测量,以及不同项群对不同女性人格因子形成中内在的关联研究,分析体育作用于女性人格心理内化的本质过程,揭示体育在打造女性健康的同时对于完善女性人格、塑造成功女性也起到积极的作用。

简介：自2016年起到2018年这三年中，我国锂电铜箔市场经历着产能的巨变、产品结构的巨变、原标箔供需平衡的打破这三大变化，相信未采多年还会在产业经营、结构带来更深刻的影响，促进我国铜箔行业技术上的更大进步，以及主推我国铜箔产业在国际地位上的提高。

简介：通过对某款功放电路的静态电流随电源电压增加而快速增大的实例,分析了晶体管厄利电压对静态电流变化的影响。通过对同款电路在不同工艺平台中测试结果的对比,分析了静态电流随电源电压变化过快的现象跟晶体管参数厄利电压的相关性,并分析了浅结工艺用于制造功放电路的缺点。分析结果表明通过优化或改变工艺条件（即增加基区结深）,使晶体管厄利电压增大,可以解决该款功放电路静态电流随电源电压增大增速过快的问题。

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。