简介：

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简介：概述了在铜箔表面上形成Si,Zr,Ti的氧化物或氢氧化物膜层的铜箔表面处理工艺,可以获得粗化的铜箔表面,进而提高了覆铜箔板的剥离强度和焊接耐热性。

简介：表面组装已成为一种成熟的工艺，并在全球范围推广应用。“平面组装”这个新名词已成为电子组装工业的标准。与传统的通孔(TH)技术比较，表面组装技术(SMT)最显著的优点是提高了电路密度，改善了电子性能。其次是降低了工艺成本、提高了产品质量、降低了：ODT成本及提高了可靠性。此外，多数类型的SMT封装实现了易于自动化组装、返工和返修。由于某些组件的复杂性和密度(例如：印制板两面的混装元件)，如果要实现降低工艺成本、减少返工和返修量，那么，适当的设计和工艺控制是最基本的要求。此外，可靠的元件渠道和购置对降低成本所起的作用具有深远的意义。

简介：<正>比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合Ⅲ-Ⅴ族与硅晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下,以及实现混合CMOS-RF与CMOS光电元件的化合物。随着晶片微缩即将接近原子级的限制,业界致力于提高晶片性能与降低功

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简介：焊膏印刷是表面安装工艺的一个关键环节,而漏版的设计水平和制作技术将直接影响到印刷的质量。本文将着重关注漏版的设计要求,阐述漏版的网框、厚度、基准点等的通用要求,并针对各种不同的元器件封装形式和用途,对漏版开口形状和尺寸要求做了详细的说明。

简介：近日,澳大利亚通过硅元素制造量子处理器的计划已经启动.预计今年7月,悉尼新南威尔士大学（UNSW）量子计算和通信技术中心将会收到首批3300万美元的投资.据悉,这些资金来源于政府和产业界,其目标是创造现实可用的量子计算机.

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简介：随着改革开放的不断深入和发展，近几年我国文化艺术领域得到前所未有的迅速发展，文艺演出的表演形式、表演内容越来越丰富；各种规模的艺术中心、歌舞剧院在全国各地兴建；各省、市、自治区电视台在改造老型演播室的同时．纷纷计划筹建大型多功能演播厅，以满足人民群众在精神生活上日益增长的需求。

简介：文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式，其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中，需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响，一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的，要制作低阻值多晶电阻，需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式，进行低阻值的多晶硅薄膜制作，并通过实验，证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。

简介：据《每日科学》2016年4月16日报道,在纳米光子领域,科学家首次实现了在硅基光子芯片上集成一个有机增益介质激光器,这一突破可对生产低价生物传感器带来无限潜能。来自卡尔斯鲁厄研究所（KIT）的研究人员开发了一种新的红外激光,将纳米硅质波导管和掺杂了有机染料的聚合物相结合,由此,激发这个有机激光器的能量来自于芯片上部与芯片表面垂直的脉冲光源。研究人员成功地将产生的脉冲激光辐射控制在1310nm波长范围,

简介：<正>2003年1月8日,我国年产1000吨多晶硅国家高新技术产业化示范工程,在四川省乐山市高新技术开发区开工建设。该项目是国家计委批准,由四川省新光硅业科技有限公司建设的国内唯一一条年产1000吨多晶硅的生产线,是西部大开发中目前国家投资最大的高科技项目,该项目总投

简介：随着三维叠层封装、MEMS封装、垂直集成传感器阵列以及台面MOS功率器件倒装焊技术的开发，硅通孔互连技术正在受到越来越广泛的重视和研究。文中叙述了几种硅通孔互连技术的制造方法，以及它们在三维封装、MEMS封装、高密度硅基板、垂直集成传感器阵列和台面MOS功率器件等方面的应用。最后，进一步阐述了硅通孔互连中几项关键技术的研究现状以及存在的挑战。

简介：本文阐述了ULSI硅衬底片清洗的重要性,介绍了目前世界上采用的各种清洗方法(湿法、干法、超声、激光等)的概况,并通过理论分析及清洗实验研究找出适用于工业规模应用的硅片清洗液和清洗技术.

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简介：（3）烙铁头使用寿命缩短烙铁头一般采用导热性好的铜或铜合金，为防止焊接中的高温氧化及被焊料的侵蚀，烙铁头部都施于镀Fe或Ni，但焊接中会因为侵蚀速度不同，烙铁头会同样受到损伤。