简介：2017年5月31日，佳能（中国）有限公司宣布推出新的数字电影摄影机EOSC200和EoSC200B。EOSC200和EoSC200B搭载佳能新开发的CinemaRAWLightl格式，并支持双4K格式1机内记录及HDR影片记录。两款新品还应用全像素双核CMOSAF自动对焦技术，从而使影视拍摄更加便捷。

简介：近几年，高职院校生源多样化趋势日益明显。我们将来自于社会企业、退伍军人、下岗工人、中职技校历届毕业生及农民工等群体的学生称为“社会班”学生。文章以B职业技术学院为例，研究了“社会班”学生的教学管理现状和特点，从单独编班因材施教、灵活办学解决后顾之忧、多措并举完成教学内容、多种形式创新考核等方面分析探讨了提高“社会班”学生教学质量的应对举措。

简介：车载电控单元（ECU）的数量日益增多,以CAN总线为代表的车用总线通信系统得到广泛应用,汽车电脑与总线相关课程的改革迫在眉睫,笔者提出了基于PFAutoECU-B5的理实一体化教学改革设计,理论与实践教学对分,学生动手机会多,操作熟练度显著提升,教学效果改善明显。

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

简介：利用二维红外相关分析法研究双酚A型苯并噁嗪树脂在高温下固化反应过程中分子结构动态变化的规律和相互作用。结果显示,在固化反应过程中,双酚A型苯并噁嗪发生了开环反应,生成中间体,中间体再裂解生成Schiff碱,从而得出其固化机理。

简介：本文探讨了M~2W型中波发射机自动控制系统的硬件设计原理。