简介：英特尔继续依托其“Tick-Tock”策略，已经将企业、桌面、移动平台主流处理器制造工艺提升45nm。2007年1月初，英特尔内部率先研制出世界第一款45nm制造工艺处理器，时隔一年多的时间，英特尔已经基本完成45nrn制造工艺战略部署。

简介：近期，甲型HINI流感全球蔓延，中国也出现3个确诊案例，数百人被隔离。卫生部，国家疾病预防控制中心等部门严阵以待，积极预防疾病。多次召开视频会议部署控防事宜，及时了解各地疫情。

简介：近年来集成电路封装材料、设备及工艺技术研究进展迅速，尤其是封装材料及封装设备更是日趋完善。材料性能和设备能力已不再是SOT23系列产品达到MSL1要求的主要／关键限制因素。文章主要研究影响SOT23系列产品达到MSL1要求的工艺过程因素，寻求SOT23系列产品达到MSL1要求的工艺过程控制解决方案。通过对工艺过程中关键工序加工方法、工艺流程及工艺条件的试验，最终确定了可以稳定通过MSL1的方案，其主要做法是：在粘片后采用分段烘烤，在压焊和塑封前加等离子清洗以及对工序间间隔时间进行控制。

简介：<正>今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程,不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山—这一点从28nm巨大产量与20nm缺乏吸引力的规格与成本就可以看出,整个半导体产业的发展方向正在转向全耗尽晶体管架构。然而,如果FinFET和其他全耗尽多栅架构只能从14nm开始供货的话,在这之前我们又应当怎样应对呢?早在数年之前,Soitec及其合作伙伴就在开展紧

简介：

简介：TSMC于美西时间13日在美国加州圣荷西市举行技术研讨会，会中宣布将跳过22nm工艺，直接发展20nm工艺。此系基于“为客户创造价值”而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。

简介：<正>《电子产品世界》2004年8月报道:世界主要半导体厂商的生产领域已可应用90nm工艺技术,为确保技术优势,已把竞争推向65～70nm级工艺,计划2005年推向量产阶段。Intel去年已采用65nm工艺试制或SRAM产品,计划2005年后投入批量生产。东芝和索尼联手开发出65nmLSI,年初已生产出试制品,2008年上半年跨入大批量生产。三星已开发70nm工艺,计划年末在30nm生产线上量产4GbNAND内存。台积电决定2005年前采用65nm技术开发出SoC平台。采用65nm工艺生产芯片,可使芯片上集成的晶体管数翻一番,性能提高,成本下降。因此,后起半导体企业年底前也须进入90nm以下的超微细加工领域,也是今后存活半导体市场的一大关键。

简介：［1］CaoYY,LamsJ.RobustH∞ControlofUncertainMarkovianJumpSystemswithTime-Delay.IEEETrans.Automat.Contr.,2000,45(1):77～83.［2］DoyleJC,Glover,KhargonekarPP,etal.State-SpaceSolutionstoStandardH2andH∞ControlProblems.IEEETrans.Automat.Contr.,1989,34(8):831～847.［3］FridmanE,ShakedU.H∞-normandInvariantManifoldsofSystemswithStateDelays.Sys.&Contr.Lett.,1999,36(2):157～165.［4］GeJ,FrankPM,LinCF.RobustH∞StateFeedbackControlforLinearSystemswithStateDelayandParameterUncertainty.Automatica,1996,32(6):1183～1185.［5］HirataM,LiuKZ,SatoT,etal.ASolvabilityConditionofanExtendedH∞ControlProblemUsingRiccatiInequalities.Int.J.Contr.,2000,73(4):265～275.［6］HmamedA.FurtherResultsontheRobustStabilityofUncertainTime-DelaySystems.Int.J.Syst.Sci.,1991,22(3):605～619.［7］IwasakiT,Skelton,E.AllControllersfortheGeneralH∞ControlProblem:LMIExistingConditionsandState-SpaceFormulas.Automatica,1994,42(7):1307～1317.［8］LeeB,LeeJG.RobustStabilizationofLinearDelayedSystemswithStructuredUncertainty.Automatica,1999,35(6):1149～1154.［9］LeeKH,MoonYS,KwonWH.RobustStabilityAnalysisofParametricUncertainTime-DelaySystems.InProceedingofIEEEConferenceonDecisionandControl,Tampa,FL,1998:1346～1352.［10］LehmanB,KhalilS.DelayIndependentStabilityConditionsandDecayEstimatesforTime-VaryingFunctional.IEEETrans.Automat.Contr.,1994,39(8):1673～1676.［11］MahmoudMS,Al-MuthairiNF.DesignofRobustControllersforTime-DelaySystems.IEEETrans.Automat.Contr.,1994,39(2):159～161.［12］MoriETN,KuwaharaM.AwaytoStabilizeLinearSystemswithDelayedState.Automatica,1983,19(5):571～573.［13］NiculescuSI,andAnnasuamyAM.ASimpleAdaptiveControllerforPositive-RealSystemswithTime-Delay.ProceedingoftheAmericanControlConference,Chicago,Illi

简介：<正>据《PortableDesign》2008年第1-2期报道,意法半导体(STM)成功制造出采用CMOS45nm射频制造技术的功能芯片。这项尖端技术对下一代无线局域网(WLAN)应用产品至关重要。

简介：ThetheoreticalSpectralresponseformulaoftheN^+-N-I-P^+siliconphotodetectorwithhigh/lowemissionjunctionisgiven.Atthesametime,consideringtheprocessrequirements,theoptimunstructureparametersofsiliconphotodetectorareobtainedbynumericalcalculationandsimulation.Undertheconditionoftheseoptimumstructureparameters,theresponsivityofthesiliconphotodetectorwillbe0.48A/Wat650nm.

简介：

简介：Themixedl1/H2optimizationproblemforMIMO(multipleinput-multipleoutput)discrete-timesystemsisconsidered.Thisproblemisformulatedasminimizingthel1-normofaclosed-looptransfermatrixwhilemaintainingtheH2-normofanotherclosed-looptransfermatrixatprescribedlevel.ThecontinuitypropertyoftheoptimalvalueinrespecttochangesintheH2-normconstraintisstudied.Theexistenceoftheoptimalsolutionsofmixedll/H2problemisproved.Becausethesolutionofthemixedl1/H2problemisbasedonthescaled-Qmethod,itavoidsthezerointerpolationdifficulties.Theconvergentupperandlowerboundscanbeobtainedbysolvingasequenceoffinitedimensionalnonlinearprogrammingforwhichmanyefficientnumericaloptimizationalgorithmsexist.

简介：ARM与Globalfoundries公司共同宣布，已完成其20nm晶片的设计定案（tapeout），并展示了采用28nm制程技术、频率达2．5GHz以上的Cortex-A9SoC。

简介：ARM近日宣布收购Prolific，Inc。该公司位于美国加州纽瓦克，主要开发IC设计优化软件工具，可显著缩短芯片设计的开发时间、提升性能。

简介：HandoverinDigitalVideoBroadcastingforHandhelds(DVB-H)aimstoprovidecontinuousmobilebroadcastingserviceswhenauseristravelingthroughcellboundaries.Agoodhandovercontrolcanimprovethepowerefficiencyandgainmuchbetterreceptionquality.ThisletterprovidesanovelapproachforDVB-HhandoverbasedonDVB-H/UniversalMobileTelecommunicationsSystem(UMTS)hybridnetwork,whichmovesthemainhandoverfunctionfromtheterminalstothenetworks,sothatitreducestheoperationcomplexityoftheterminalsandincreasesthepowersaving.WhentheterminalcannotreceivetheDVB-Hsignalinthetransmissionshadowareasorbecauseofsomeotherreasons,theUMTSnetworksmayofferthesameservicetouserstomaketheservicecontinuous.AstheUMTSnetworkshavethetopologyoftheDVB-Hnetworks,bycommunicatingwiththeterminals,theUMTSnetworkscanhelptheterminalstopredictthehandover,andavoidunnecessaryhandover.

简介：Inthispaper,wedemonstratetheacetylehe(C2H2)sensorwithhighsensitivityusingahollow-corephotonicbandgapfiber(HC-PCF).ExperimentsformeasuringC2H2concentrationsingasmixtureareperformed.Usinga2m-longHC-PCFasgascell,thespectrumofacetyleneatn1+n3bandhasbeenmeasured,andtheP11-branchhasbeenselectedforthepurposeofsensing.Aminimumdetectivityof143partspermillionbyvolume(ppmv)forthesystemconfigurationisestimated.

简介：文章针对光纤通信1520～1580nm波段设计红外减反射膜系统,采用传统光学薄膜理论特性进行分析,提出了3种不同的方案选择材料。实验结果表明,3种方案设计结果均达到光纤通信减反射膜设计要求。

简介：<正>化合物半导体外延晶片的领先开发与生产厂家EpiWorks公司宣布已具备生产高性能808nmGaAs激光器晶片的能力。808nmGaAs激光器对许多工业用途如做标记、编码及焊接来说是必不可少的。Epiworks公司已开发出制作808nm激光器的性能领先的外延材料,用该外延材料制作的器件达到了优良的器件性能和可靠性。

简介：

简介：<正>世界上的巨型半导体企业如Intel和台积电等将率先从2011年后启动开发22nm以下的微细化量产技术,同时还都认为,2013年后可望量产化的15nm技术是半导体加工工艺发展道路上的一个转折点。其表现为逻辑电路上现用的CMOS平面体管,将转变为具有3维沟道导向的立体晶体管。这一转变势必严重