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ITO 表面粗化提高 GaN基 LED芯片出光效率

作者：界晓菲
学科：经济管理 > 产业经济
创建时间：2020-05-25
出处：《中国电业》 2020年第03期
机构：天津三安光电有限公司天津 300384

简介：摘要：随着高亮度 GaN 基 LED 在照明领域的广泛应用，提高 LED 芯片的发光效率成为一个重要的研究课题。 LED 芯片有源层产生的光从半导体材料向外出射时，受全反射效应的限制，只有少部分光能够辐射到自由空间。大部分光经过多次全反射后被半导体材料、有源层和金属电极吸收并转化成热量，严重影响芯片的出光效率。一种有效的方法是在芯片表面制造微结构，增加半导体材料与封装材料之间的界面发出光的角度的随机性，降低光全反射的概率，从而提高光输出的效率。
标签： LED ITO 表面粗化出光效率

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纤锌矿GaN／ZnO量子阱中的电子—界面声子相互作用

作者：夏雅兵
学科：经济管理 > 政治经济学
创建时间：2013-07-17
出处：《科学与财富》 2013年第7期

简介：近年来，宽禁带纤锌矿结构半导体如ZnO、GaN、A1N及其合金等在微电子和光电子器件中的广泛应用，已成为半导体材料领域的研究热点，其中一个十分重要的课题就是这些材料所构成的异质结中的光学声子模及其电声相互作用。由于光学声子模对纤锌矿量子阱的理论性质有重要的影响。因此研究纤锌矿GaN／ZnO光学声子模性质具有十分重要的物理意义。
标签：量子阱界面声子色散关系电声相互作用

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基于异质衬底的准垂直GaN二极管器件特性研究与优化分析

作者：杨旭1 高坤奇2成哲3李井宁4
学科：经济管理 > 产业经济
创建时间：2023-08-09
出处：《中国电业与能源》 2023年第7期
机构：南京电子器件研究所江苏南京 210016

简介：摘要：GaN属于第三代半导体，具有介电常数小、禁带宽度大、高电子饱和速度等特点，有着更好的高频、高温特性。通常用Johnson品质因数JFM和Baliga品质因数BFOM来表征半导体材料的高频大功率应用潜力。
标签： SBD制备工艺及工作原理基于Silvaco软件的仿真器件优化

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