简介：

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简介：锌闪锌矿InGaN/GaNQW结构的光性质用multiband被调查有效团的理论。在300K的转变波长价值在调查范围从440～570nm在里面作文和井宽度。理论波长与试验性的结果显示出合理同意。光获得与增加的井宽度减少。因为光矩阵元素与井宽度增加，这主要由于在quasi-Fermi-level分离的减小。

简介：DistributedBraggreflectors(DBRs)areessentialcomponentsforthedevelopmentofoptoelectronicdevices.Inthispaper,wefirstreporttheuseofthenanoporousGaN(NP-GaN)DBRasatemplateforregrowthofInGaN-basedlight-emittingdiodes(LEDs).Thewafer-scaleNP-GaNDBR,whichisfabricatedbyelectrochemicaletchinginaneutralsolution,hasasmoothsurface,highreflectivity(>99.5%),andwidespectralstopbandwidth(>70nm).ThechemicalcompositionoftheregrownLEDthinfilmissimilartothatofthereferenceLED,butthephotoluminescence(PL)lifetime,PLintensity,andelectroluminescenceintensityoftheLEDwiththeDBRareenhancedseveraltimescomparedtothoseofthereferenceLED.TheintensityenhancementisattributedtothelightreflectioneffectoftheNP-GaNDBRandimprovedcrystallinequalityasaresultoftheetchingscheme,whereastheenhancementofPLlifetimeisattributabletothelatter.

简介：Monolithicwhite-light-emittingdiodes（whiteLEDs）withoutphosphorsaredemonstratedusingInGaN/GaNmultiplequantumwells（MQWs）grownonGaNmicroringsformedbyselectiveareaepitaxyonSiO2maskpatterns.Themicroringstructureiscomposedof{1-101}semi-polarfacetsanda（0001）c-plane,attributedtofavorablesurfacepolarityandsurfaceenergy.ThewhitelightisrealizedbycombiningshortandlongwavelengthsofelectroluminescenceemissionsfromInGaN/GaNMQWsonthe{1-101}semi-polarfacetsandthe（0001）c-plane,respectively.ThechangeintheemissionwavelengthsfromeachmicrofacetisduetotheIncompositionvariationsoftheMQWs.Theseresultssuggestthatwhiteemissioncanpossiblybeobtainedwithoutusingphosphorsbycombiningemissionlightfrommicrostructures.

简介：

简介：ThinheavilyMg-dopedInGaNandGaNcompoundcontactlayerisusedtoformNi/AuOhmiccontacttop-GaN.ThegrowthconditionsofthecompoundcontactlayeranditseffectontheperformanceofNi/AuOhmiccontacttop-GaNareinvestigated.Itisconfirmedthatthespecificcontactresistivitycanbelowerednearlytwoordersbyoptimizingthegrowthconditionsofcompoundcontactlayer.WhentheflowrateratiobetweenMgandGagassourcesofp++-InGaNlayeris10.6%andthethicknessofp++-InGaNlayeris3nm,thelowestspecificcontactresistivityof3.98×10-5?·cm2isachieved.Inaddition,theexperimentalresultsindicatethatthespecificcontactresistivitycanbefurtherloweredto1.07×10-7?·cm2byoptimizingthealloyingannealingtemperatureto520℃.

简介：全球气候变暖正在挑战人类发展。面对日益严峻的挑战，我们应该意识到，节能减排，保护环境，是我们每一个人的责任。所以，我们应该从这一刻开始，关注生活细节，为保护我们的地球出一份力!

简介：客栈和In0.46Ga0.54N电影在蓝宝石上被种与一轧了缓冲区bymetalorganic化学药品蒸汽免职(MOCVD)。两高分辨率X光衍射和高分辨率传播电子显微镜学结果表明这些电影有单个水晶的六角形的结构。薄客栈电影有475厘米(2)的高活动性V(-1)s(-1)和In0.46Ga0.54N的是163厘米(2)V(-1)s(-1)。InNfilm的房间温度光致发光测量在0.72eV显示出一座山峰，证实一部高质量的客栈电影为到完整的光谱房间的应用被制作。

简介：今年10月份的LED杂志（LEDmagazine）刊登了三种MR16产品之间的性能比较，它们分别是：卤钨灯、SiC基板上生长的GaN（CREE制造）和在GaN上生长GaN的同质氮化镓（rhSORRA公司制造），见表1。

简介：Realizationofefficientyellow-light-emittingdiodes(LEDs)hasalwaysbeenachallengeinsolid-statelighting.Greatefforthasbeenmade,butonlyslightadvancementshaveoccurredinthepastfewdecades.AftercomprehensiveworkonInGaN-basedyellowLEDsonSisubstrate,wesuccessfullymadeabreakthroughandpushedthewall-plugefficiencyof565-nm-yellowLEDsto24.3%at20A∕cm~2and33.7%at3A∕cm~2.ThesuccessofyellowLEDscanbecreditedtotheimprovedmaterialqualityandreducedcompressivestrainofInGaNquantumwellsbyaprestrainedlayerandsubstrate,aswellasenhancedholeinjectionbya3DpnjunctionwithV-pits.

简介：

简介：GaN（氮化镓）功率器件的全球领军企业GaNSystemsInc．和功率半导体的领军企业ROHMCo．，Ltd．为促进电力电子市场的创新与发展，开始就GaN功率器件事业展开合作。

简介：<正>美国军方已经着手实施一系列价值数千万美元的计划来加快GaNIC的研发速度。在DARPA的资助下,在这个开发毫米波和微波集成电路的GaN项目中,最大的获益者是Raytheon(与Cree合作,2700万美元)、NorthropGrumman

简介：<正>TriQuint与LockheedMartin公司共同研制出一种高功率密度、PAE及RF寿命长的GaNHEMT。该器件连续波功率为12W/mm,频率在10GHz时PAE为50%。TriQuint运用其独有的"先进的栅工艺"使GaNHEMT的功率密度比传统的E电子束及

简介：大规模轧了nanowires被ammoniatingGa2O3电影成功地在在850点在Si(111)底层上扔的Nb层上综合。X光检查衍射(XRD)，扫描电子显微镜学(SEM)，field-emssion传播电子显微镜(FETEM)，Fourier转变了红外线的光谱(FTIR)被用来描绘结构、词法的性质同样综合轧了nanowires。结果表明nanowires是纯的六角形与在50nm和100nm之间的一段大约几微米和一条直径轧了wurtzite结构。最后，简短讨论了是镓氮化物nanowires的形成机制。

简介：在n类型的坚持的光导增益(PPC)现象轧了电影成年bymetalorganic化学药品蒸汽免职(MOCVD)被学习了。在使用一些测试和分析方法以后，例如双水晶X光检查衍射(DCXRD)，光致发光(PL)系列，等等，在n类型的PPC轧了影响的问题不相对脱臼和黄乐队(YB)，这被发现，并且被Si的做的水平很可能引起。

简介：有数组结构的InGaN/GaNmulti-quantum-well-structure激光二极管成功地在蓝宝石底层上被制作。激光二极管由在一个激光薄片上分享普通电极的四根emitter条纹组成。一个800-mm-long洞被劈开底层沿着形成(1100)取向使用激光scriber。激光数组二极管的阀值电流和电压分别地是2A和10.5V。在在房间温度的搏动的当前的注射下面的12W的轻产量山峰力量被完成。我们模仿电的性质在共面的结构和最小化在不同山脉和n电极之间的距离的差别并且增加n类型的电的电导率轧了的结果表演轧了基于的激光二极管是在emitter条纹改进搬运人分发的一致性的二个有效方法。一个薄片上的二emitters被安排在二n电极垫附近位于左边，右边，和四条纹emitters一起装激光。激光二极管在阀值电流上面在408和409nm显示出轻输出的二座锋利的山峰。在为平行、垂直的远域模式的半最大值的完整的宽度分别地是8o和32o。[从作者抽象]

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简介：<正>在2003年8月底举行的日本应用物理学会秋季会议上,日本的一些知名公司和大学报告了其最新GaN基器件研究概况。三菱电气公司描述了用5分钟600℃快速热退火来减小AlGaN/GaNHEMT器件的肖特基栅泄漏。最大漏电流为1A/mm,gm为140mS/mm的HEMT的关断电压由105V提高到178V。德岛大学的一个研究小组报告了他们