简介:最近,上海复旦大学微电子学院张卫教授带领的科研团队,成功研制出半浮栅晶体管(Semi—Floatina—GateTransistor,SFGT),有望让电子芯片的性能实现突破性提升。该成果发表在今年8月9日的《科学》杂志上.这也是我国科学家在《科学》上发表的首篇有关微电子器件的研究论文。
简介:介绍了单级衍射光栅的应用背景及其基本理论,分析了单级衍射光栅与传统黑白透射光栅的不同之处.阐述了单级衍射光栅的制作技术,分析了以电子束光刻、X射线光刻和微电镀技术为主的工艺路线的优缺点.综述了X光单级衍射光栅的发展历程以及存在的问题,并指出了其未来的研究方向.
简介:美国科学家首次成功制造出了单原子厚度的锗单锗(germanane),其电子迁移率是硅的10倍,因而有望取代硅用于制造更好的晶体管。研究发表在最新一期的美国化学会《纳米》杂志上。
简介:据物理学家组织网前不久报道,美国加州大学戴维斯分校的科研人员通过计算机模拟证实,利用特殊的“硅BC8”结构,能够基于单个光子产生多个电子空穴对,大幅提升太阳能电池的转换效率。相关研究报告发布在最新一期的《物理评论快报》上。太阳能电池以光电效应作为基础,当一个光子或是光粒子击中单个硅晶体时,便会产生一个带负电荷的电子以及一个带正电荷的空穴,
简介:丹麦哥本哈根大学尼尔斯·波尔研究所纳米科学中心和瑞士洛桑联邦理工学院的科学家证明,单根纳米线可聚集的太阳光强度能达到普通光照强度的15倍。这一令人惊讶的研究成果在开发以纳米线为基础的新型高效太阳能电池方面潜力巨大,有可能使太阳能转换极限得以提高。相关论文发表在《自然·光子学》杂志上。
半浮栅晶体管将引发芯片革命
X光单级衍射光栅的研究进展
美首次研制出稳定的单原子层锗
特殊硅结构可基于单光子产生多个电子空穴对
单根纳米线可聚集的太阳光强度能达到普通光照强度的15倍