简介:摘要:本项目拟采用局部刻蚀的方法,在SOI顶层硅上引入U型对称敏感电阻及L型半岛结构,实现高灵敏度、低非线性误差的MEMS压力敏感芯片制作。量程为100kPa的硅压阻式压力敏感芯片测试后其灵敏度达到40mV/mA,非线性误差小于±0.1%FS。
简介:[摘要]目的:评估高渗透负压治疗(NPWT)在湿性伤口愈合中的应用效果,并进行临床观察。方法:本研究采用前瞻性观察研究方法,纳入2020年至2021年间在我院接受NPWT治疗的258例湿性伤口患者。研究对象包括糖尿病足溃疡、压疮、术后感染伤口等。纳入标准为年龄在18岁以上,伤口面积在2cm²至50cm²之间,且未接受过其他伤口治疗。排除标准为存在严重心肺功能不全、严重感染或全身性炎症反应综合征的患者。研究指标包括伤口面积缩小率、愈合时间、并发症发生率以及患者疼痛评分。统计分析采用SPSS软件,运用描述性统计、相关性分析和回归分析等方法。结果:258例患者中,男性152例,女性106例,平均年龄58岁。伤口面积缩小率平均为85.2%,愈合时间平均为21.5天。并发症发生率为5.8%,主要为局部皮肤感染。疼痛评分在治疗前后有显著改善(P<0.001)。相关性分析显示,伤口面积(r=-0.72, P<0.001)和治疗时间(r=0.81, P<0.001)与愈合效果呈显著相关。结论:NPWT在湿性伤口愈合中显示出良好的应用效果,能有效促进伤口缩小和愈合,减少并发症,改善患者疼痛。该方法值得在临床实践中推广应用。