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  • 简介:利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子的微结构。实验结果表明,由于Ge原子的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金,浓度平均值为X=0.13;650℃退火会使Ge原子向表面扩散,Si晶体中的合金消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原子

  • 标签: 同步辐射 X射线驻波实验技术 半导体超薄异质外延层 硅晶体 外延生长 超薄锗厚子层
  • 简介:用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲生长温度对SiGe/Si异质结结构的影响。结果表明,所研究的SiGe外延晶格发生完全弛豫,但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲的生长温度而变化,最佳生长温度为450℃;缓冲晶格应变是达到高质量SiGe外延的主要原因。

  • 标签: Si缓冲层 生长 温度 SiGe外延层结构 X射线 晶格
  • 简介:应用同步辐照光源进行高温高压原位能量色散X射线衍射实验,入射X射线光束定位是关键,北京同步辐射实验室高压衍射站引入四刀光阑扫描系统,实现调光定位自动化,简化调光手续,提高实验效率,为高压衍射实验站的用户进行实验提供了方便。

  • 标签: X射线衍射 同步辐照 光束定位
  • 简介:论文介绍了北京同步辐射X-射线荧光微束分析装置的最新进展,以及近年来在生物医学和石油地质领域的应用研究工作,重点报导了前不久在国内首次使用该方法,对单个流体包裹体探测的实验结果。

  • 标签: 同步辐射 X-射线荧光 微束分析 微量元素 分析装置 应用
  • 简介:本文介绍用BEPC的同步光做激发源,对所研制的平面晶体位置灵敏谱仪性能进行研究的结果。用LiF(200)晶体,测得TiKα的能量分辨率达14.2eV,好于质子激发的结果(15eV),能清楚地分开不锈钢中CrKβ与MnKα两峰,和可探测一气溶胶样品中Ti的绝对量达10^-9-10^-10g水平。这些数据将为位置灵敏谱仪用同步光开展应用提供重要依据。

  • 标签: 同步光 激发源 PSS 平面晶体位置灵敏谱仪