简介:摘要本研究提出了一种高击穿电压AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(DCBL-HEMT),它具有通过在栅极和漏极之间的钝化层中加入两个负电荷区形成的双电荷区势垒层结构。负电荷的引入可以氟等离子体处理实现。相较于普通钝化层结构和场板结构的晶体管,具有双电荷区阻挡层结构的晶体管沟道中的电子被势垒层中的负电荷耗尽。栅边缘的电场集中得到改善,沟道层出现两个新的的峰值电场,使电场分布更加均匀。双电荷区势垒层结构可以调节沟道层中的电场分布,有效地提高器件的击穿电压。通过sentaurus仿真软件对器件的结构和双电荷区进行优化,最终得到了284V的击穿电压。
简介:岁月不居,时节如流,又是一年春来到。于是,很想问一句,辛苦地当上了新妈妈的你,这一年过得可好?!可曾读懂了宝宝的微笑?(详见《养育沙龙》栏目--《读懂宝宝的微笑》)据说,宝宝的笑分初笑、弯月笑、浅笑、抿嘴笑、露上齿笑、露下齿笑、咧嘴笑……初笑,是宝宝出生后的前几周,在睡梦中露出的笑容;弯月笑则是宝宝在4个月大时才能真正完全掌握的一种笑。
简介:摘要目的研究限制性输血策略对ICU患者预后的影响。方法结合我院2019年2月至2019年8月收治的ICU患者80例,根据其临床指征,采取不同的输血方案。其中,运用宽松性输血的患者有36例,命名为对照组;运用限制性输血的患者有44例,命名为观察组。对两组患者的住院时间、无机械通气时间、并发症发生状况等指标进行统计。结果观察组患者的住院时间、机械通气时间明显短于对照组,差异具有统计学意义(P<0.05);观察组患者的并发症发生率明显低于对照组,差异具有统计学意义(P<0.05)。结论在ICU患者实施限制性输血能够有效地保证患者的安全,缩短其机械通气时间与住院时间,控制并发症的发生,值得推广。