简介：电子电路曲面结构对于实现结构功能一体化有重要应用意义。针对LTCC多层电路基板,提出了一种曲面结构基板的加工制造方法。介绍其制造中曲面结构导体制作、曲面结构成形、曲面结构烧结等环节的关键制造工艺。通过X光和剖切方式对所制造的曲面基板进行测试分析,结果证实曲面基板中的多层布线均连通,且层间对位精度优于15μm。提出的曲面LTCC基板制造技术能够满足后续产品的研制加工要求,对于曲面电子技术和LTCC技术的发展都具有借鉴意义。

简介：低温共烧陶瓷（LowTemperatureCo-fireCeramic——LTCC）技术,具有可集成无源电阻的独特优势。LTCC基板集成电阻主要有两种方式,表层电阻和内埋电阻。主要讨论了LTCC基板内埋电阻的制备工艺。针对不同的电阻材料,设计了不同工艺。最终为不同电阻的制备提出了一种优化的工艺,使得LTCC内埋电阻的精度控制范围可达到±17%。

简介：机载、星载、舰载相控阵雷达由于其特定的使用环境,需要体积小、重量轻、高性能、高可靠、低成本的微波组件。带腔体LTCC基板具有高密度布线、电阻、电容、电感的内埋以及芯片的埋置等特性,是制作机载、星载、舰载相控阵雷达微波组件理想的高密度基板。针对带腔体LTCC集成基板的制造技术,简单介绍其工艺流程,并对腔体成型这项关键工艺进行了分析,提出了相应的解决方法。

简介：根据LTCC材料的烧结温度低、高Q特性、热膨胀系数小等技术特点分析了介质料（电介质、基板、磁介质等）之间的共烧、布线金属材料与LTCC生料带的匹配、焊接材料与非焊接LTCC材料的匹配等问题，指出匹配性调制的主要方法应从异质材料的共烧致密化速率、共烧的温度制度、烧结收缩率、焊接润湿等方面综合考虑。

简介：通过渐次优化改进叠片台、空腔填充塞、衬垫聚酯膜、烧结垫片等工装及相应工艺方法,重点研究突破了双面空腔LTCC的叠片、生瓷坯层压和生瓷块共烧等难点工艺,有效掌握了双面空腔LTCC基板制造工艺技术,达到了腔底平整度不大于0.08mm、空腔尺寸准确度优于±0.15mm的关键技术指标,成功研制出满足应用要求的双面空腔LTCC基板。

简介：LTCC基板互连金属化孔工艺技术是低温共烧陶瓷工艺过程中的关键技术,它直接影响陶瓷基板的成品率和可靠性。文章从影响互连金属化孔的因素出发,介绍了金属化通孔填充工艺及控制技术、金属化通孔材料热应力的影响、金属化通孔材料收缩率的控制等三方面技术,并给出了如下的解决方案。采用合适的通孔填充工艺技术和工艺参数;合理设计控制通孔浆料的收缩率和热膨胀系数,使通孔填充浆料与生瓷带的收缩尽量一致,以便降低材料的热应力;金属化通孔烧结收缩率的控制可以通过导体层的厚度、烧结曲线与基板烧结收缩率的关系、叠片热压的温度和压力等方面来实现。

简介：作为一种新型的集成封装技术，低温共烧陶瓷（LTCC）技术以其优良的高频和高速传输特性，小型化、高可靠性而备受关注。由此可见研究如何利用LTCC技术开发高性能的小型化无源器件对于无线通信产品的发展是有实际意义的。LTCC技术能充分利用三维空间发展多层基板技术，其产品在封装和小型化方面具有明显优势；LTCC技术具有损耗小、高频性能稳定、温度特性良好等特点。同时介绍了国内外LTCC元器件发展现状和趋势，以及基于LTCC技术的无源器件的设计和应用。

简介：文章讨论了低温共烧陶瓷（LowTemperatureCo—FiredCeramic——LTCC）埋置电感的几何结构，并进行了仿真。分析了结构变化对电感各参数的影响，并通过LTCC工艺流程实现样品的制作。经Agilent4285A及4291B等仪器测试，仿真结果与实测结果完全一致，为等效模型的提取和元件库的建立奠定了基础。

简介：LTCC基板的共烧收缩均匀性受到材料和加工工艺的影响较大，使烧成基板的平面尺寸难以精确控制，成为LTCC基板实现高性能应用的一大障碍，需要重点突破。文章在简要介绍了常见平面零收缩LTCC基板制作工艺技术的基础上，通过精选LTCC生瓷带并设计10层和20层LTCC互连实验基板，提出评价指标，根据自有条件开展了自约束烧结平面零收缩LTCC基板的制作工艺研究，重点突破了层压与共烧工艺，将LTCC基板平面尺寸的烧结收缩率不均匀度由通常的士0．3％-±0．4％减小到小于士0．04％，可以较好地满足高密度高频MCM研制的需要。

简介：微波元件是构成微波电路的基础。LTCC微波元件品种多，每种又有很多类型和结构，设计灵活。设计了LTCC微波电容、电感和滤波器的不同结构模型，采用AgilentADS微波电磁场仿真软件或AnsoftHFSS电磁场模拟仿真软件对每种结构模型进行模拟仿真，得出不同结构形式电容、电感和滤波器的仿真结果，并与试验样品的测试结果进行对比和讨论。通过提取LTCC微波电容、电感和滤波器的设计、仿真及试验的主要参数，进行总体设计及表单、菜单等设计，创建了方便组织、维护和使用的LTCC微波元件设计数据库系统。

简介：本文基于LTCC多层电路工艺实现了一种小型化的定向耦合器。本文详细描述了耦合器的设计思路、计算机仿真结果以及实现方法。该耦合器不仅具有体积小、可靠性高等优点，而且无需调试、一致性好。

简介：文章以LTCC基P波段90°功分器的设计和制作为例，从无源设计仿真和LTCC工艺阐述了P波段功分器的研制过程。选用了承受功率大、尺寸相对较小的宽边耦合器结构。设计的宽边耦合器采用多层结构，有利于发挥LTCC基板多层、高集成度等优点。其电路物理模型为Broadside-coupledsymmetricstripline（BCL），采用的介质为LTCC，介电常数为5．9，每层介质厚度为0．1mm，导体采用Ag浆。在实物制作过程中，TOP层和Bottom层是采用灌银通孔实现的。最终测试结果与仿真结果吻合较好，在225MHz～400MHz频段内隔离23dB，插损0．5dB，驻波1．1，相平衡度±2．5，功率250W．

简介：采用还原气氛焊接，研究了LTCC基板的表面金属化工艺对In—Sn、Pb－Sn和Au－Sn焊料可焊性的影响。结果表明厚膜烧结的PdAg导体可焊性较差，In—Sn和Pb－Sn焊料在其表面分别出现了不润湿和溶蚀现象。通过对LTCC基板表面导体进行电镀改性，Cu／Ni／Au镀层提高了Pb－Sn和Au－Sn焊料的可焊性，而Cu/Ni／Sn镀层则提高了In—Sn和Pb—Sn焊料的可焊性。最后，对提高可焊性的因素进行了讨论。

简介：<正>据《NIKKEIELECTRONICS》2002年第9—23期报道,日本松下电子新开发了用于GSM手机的天线开关。该器件采用了松下电子开发的LTCC制造技术,厚度由原来的1.8mm降为1.5mm。从而提高了集成度,实现了SAW滤波器的集成。其外形尺寸为6.7mm×5.5mm。该器件的样品价格在506日元～700日元之间,计划2003年7月开始批量生产。

简介：低温共烧陶瓷（LTCC）是实现小型化、高可靠性多芯片组件的一种理想技术方式。多层转换电路实现了微波信号在基板内部传输。文章研究了微带线到带状线背靠背式多层转换电路，优化设计了通孔之间距离以及通孔到带状线之间的距离，仿真结果与实测较为吻合。

简介：摘要：现阶段我国制造玻璃陶瓷装饰板材的规模持续拓展，但在低温共烧陶瓷（Low temperature cofired ceramic，LTCC）基板材料方面仅少量企业实现量产。究其原因，一方面一般玻璃陶瓷消耗材料多，成本高；另一方面在工艺方面存在局限。采取熔融法需要过高能耗，在一定程度上污染环境。本文简要介绍了LTCC技术，并对低温烧结法制备BPS玻璃陶瓷的实验方法进行了说明。

简介：随着无线通信领域的快速发展,人们对微波滤波器性能的要求也越来越高。文章根据滤波器的分类和特点,研究了集总元件滤波器引入传输零点的规律和方法,分析并对比了三种不同类型低通滤波器的衰减特性。根据设计指标要求,基于LTCC技术设计了一款高性能小型化的椭圆函数七阶低通滤波器。滤波器的等效电路包括串联支路中的4个电感和并联支路中的3个LC谐振腔,共10个元件。通过对滤波器模型物理结构的优化,减小了滤波器内部元件间的寄生耦合效应,并在阻带中成功引入了传输零点,改善了滤波器的性能。

简介：设计了一种小型化的LTCC低通滤波器，采用LC集总元件完成原理图的设计与仿真，使用HFSS完成滤波器结构的三维电磁场仿真，最终在LTCC~艺线上完成加工制作。LTCC滤波器使用介电常数7．8、损耗角为0．006的生瓷片，内部导体电路印刷使用配套的银浆料，最终尺寸为3．2ram×1．6mm，厚度为1．4mm，达到小型化的目的，可应用于移动通信等领域。

简介：提出了一种新型的基于LTCC技术的带通滤波器实现方法。带通滤波器采用两个谐振单元耦合,在输入输出端引入并联反馈电容在通带两边形成一对传输零点,提高了阻带的衰减性能。分别在HFSS和IE3D中构建物理模型,采用εr=2.2的介质材料,尺寸为5mm×4mm×2mm,设计出中心频率f0=1.6GHz,相对带宽约9%的滤波器,通带内插入损耗小于1dB,在1.1GHz和2.1GHz处形成两个传输零点,两种软件的仿真结果很好地吻合。

简介：光电子封装就是把光电器件芯片与相关的功能器件和电路经过组装和电互连集成在一个特制的管壳内,通过管壳内部的光学系统与外部实现光连接.光电子封装是继微电子封装之后的一项迅猛发展起来的综合高科技产业,光电子封装不但要求将机械的、热的及环境稳定性等因素在更高层次结合在一起,以发挥电和光的功能;同时需要成本低、投放市场快.本文通过光电子封装对材料提出的各种要求,列举出厚膜与LTCC在光电子中的实用化产品,描述了厚膜和LTCC基板在环境恶劣的军事产品、无线通信产品及汽车电子上发挥出的显著特性优势,论述了厚膜与LTCC互连材料是光电子封装的理想材料.最后提出了目前光电子封装存在的问题与未来的挑战.