简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。
简介:<正>深交所总经理宋丽萍在近日举行的"首届中国科技金融促进高峰论坛"上表示,今年以来,为适应创新驱动发展战略的新要求,面对科技金融加快发展的新机遇,深交所开始考虑把"科技型中小企业成长路线图计划"升级到"2.0版本"。目前,"2.0版本"的详细方案还在沟通、论证中。一石激起千层浪,该消息传出,关于"科技型中小企业成长路线图计划"的话题又热络起来。科技金融的践行者什么是"科技型中小企业成长路线图计划",不妨一起回顾下。该计划产生于2004年,"路线图计划"由科技部科技型中小企业技术创新基金管理中心、深圳证券交易所、国家开发银行等部门共同发起并组织实施,
简介:摘要:在我国经济高质量发展阶段的背景下,文化产业成为了最能体现信息技术和知识经济时代特征的新兴产业。基于国家及市级各项政策对文化产业发展的鼓励和支持,文化产业发展速度已超过许多传统产业,在未来有望作为一项新兴产业支柱经济发展。随着《中华人民共和国中小企业促进法》等一系列相关法律法规的颁布,“中小文创企业”将迎来发展新时机。
简介:文章从JSY2000-03交换机话单分析着手,设置了该交换机的即时话单存储方式,分析了话单的详细格式,设计了话单存储数据库,通过编码实现了话单分拣、话单存储和条件查询等操作,完善了该型交换机话单记录及话务量统计功能。
简介:介绍了CHB-50P霍尔电流传感器的工作原理,给出了CHB-50P霍尔电流传感器在并联型有源电力滤波器(SAPF)中的具体应用方法。同时给出了采用霍尔电流传感器对并联型有源电力滤波器进行补偿前后的系统电流波形图。