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28 个结果
  • 简介:在铝合金与钢之间添加Ag中间层后进行电子束焊接实验。其他参数固定的情况下,对电子束作用位置不同时的焊缝成形、接头组织和力学性能进行分析。结果表明:随着电子束斑点从银-钢对接面向银侧偏移距离的增大,焊缝成形明显得到改善,接头中的气孔缺陷消失。在银-铝对接面形成由Ag2Al和Al共晶组成的过渡层,过渡层随着束距离的增大而变窄且不连续。当束距离过大时,在银-钢界面上形成FeAl和FeAl3两种化合物层。当电子束最佳束距离为0.2mm时,接头强度最高达193MPa,为铝母材的88.9%,此时断裂发生在银-钢界面上。

  • 标签: 铝合金 Ag中间层 电子束偏束焊 接头
  • 简介:针对激光直接沉积修复的1Cr15Ni4Mo3N钢零件在粉检测时出现的痕现象,采用接触通电、湿粉连续法,对设计的试样进行粉检测,确定痕显示位置;利用光学显微镜对痕显示处形貌及修复接头和组织进行观察和研究,分析痕的性质和形成原因。研究发现:激光直接沉积修复1Cr15Ni4Mo3N钢在粉检测过程中与修复区外轮廓完全重合的痕显示是伪痕显示,主要是由修复区与基体中奥氏体含量的差异造成的。

  • 标签: 激光直接沉积 激光修复 1Cr15Ni4Mo3N钢 磁粉检测 磁痕
  • 简介:在硅酸盐、磷酸盐、焦磷酸盐或其混合电解液中对锆-4合金进行等离子电解氧化。通过实验确定合适的工艺参数,并运用电化学技术、显微硬度、SEM、XRD等技术对膜层性能进行表征。结果表明:在纯的硅酸盐电解液中得到的膜层很不均匀,且在添加磷酸盐后,膜层均匀性仍然很差。在焦磷酸盐体系中得到的膜层比较均匀,但硬度低。在焦磷酸盐体系中添加硅酸盐后,膜层的均匀性和硬度都得到改善。XRD结果表明,膜层的主要成分为单斜氧化锆和四方氧化锆。添加硅酸盐后,有利于四方氧化锆的形成。极化曲线结果表明,在焦磷酸盐以及焦磷酸盐与硅酸盐混合体系中得到的膜层具有较强的耐蚀性。

  • 标签: 锆合金等离子电解氧化耐蚀性显微硬度
  • 简介:沈阳某煤矿,由于煤层浅而采用露天开采,并在矿床四周铺设直流电气化铁路,该电铁产生的直流杂散电流,直接干扰腐蚀其平行埋设的气管道。为消除干扰腐蚀而进行大量现场调查工作,最后确定采用接地排流法和物牲阳极阴极保护法,使煤气管道处于良好的保护状态。本文主要介绍现场调查内容及方法,排流装置的选择、安装及效果。

  • 标签: 直流杂散电流 煤气管道 腐蚀 排流保护
  • 简介:采用直流电弧等离子体法蒸发Mg+5%TiO2的混合物并将其在空气中钝化,制备粉体Mg-TiO2复合储氢材料。利用电感耦合等离子光谱发生仪(ICP)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)表征粉体复合材料的成分、相组成及形貌。采用压力–成分–温度(PCT)和差示扫描量热仪(DSC)对Mg-TiO2样品的吸放氢性能进行研究。由PCT测量结果可知,Mg-TiO2复合粉体中镁的氢化焓和氢化熵分别为-71.5kJ/mol和-130.1J/(K·mol),而粉体的氢化激活能为77.2kJ/mol。结果表明,采用电弧等离子体法在超细镁颗粒中加入TiO2催化剂可显著增强镁的吸放氢动力学性能。

  • 标签: 纳米复合材料 二氧化钛 储氢 电弧等离子体技术
  • 简介:本文基于三轴磁阻传感器HMC5983设计了记忆检测探头,研制了基于USB2I2C控制模块的二维金属记忆检测系统,以45钢为试验对象开展了金属记忆试验研究。通过分析记忆二维分量以及其微分分量合成的李萨如图大小,确定试件中存在应力集中的严重程度,试验结果表明:记忆二维检测不仅能够准确定位试件中应力集中的部位,而且能够从梯度变化角度对应力集中严重程度进行预判评估。

  • 标签: 磁记忆检测 应力集中 李萨如图 定量评估
  • 简介:1Cr15Ni4Mo3N沉淀硬化不锈钢螺栓零件在制造工序粉检测时,发现螺栓表面有一条疑似裂纹状线性痕显示,后采用荧光渗透检测方法进行辅助检测,原痕显示处未见异常荧光显示。结合金相试验分析发现,螺栓原材料内呈带状分布的残余奥氏体,破坏了基体组织和材料磁性的连续性导致出现痕显示。研究为该材料在零件制造中粉检测的痕判定提供了依据。

  • 标签: 沉淀硬化不锈钢 磁粉检测 残余奥氏体 偏聚
  • 简介:基于微观相场模型,通过分析Ni75AlxV25-x合金在沉淀过程中D022(Ni3V)相沿[001]方向形成的有序畴界面的界面结构、界面迁移及界面成分,研究界面结构对界面迁移特征和溶质聚的影响。研究表明:D022相沿[100]方向形成4种有序畴界,界面的迁移性与界面结构有关,除具有L12相的局部特征的界面(001)//(002)之外,其余3种界面都可以迁移;在界面的迁移过程中,V原子跃迁至最近邻的Ni位置并置换Ni原子,反之亦然,即处在最近邻的Ni原子和V原子发生位置交换而导致界面迁移;在迁移过程中,原子的跃迁行为具有位置选择性,每种可迁移界面都按照特定的原子跃迁模式进行迁移;原子在跃迁过程中选择最优化的路径使得界面发生迁移,原子跃迁过程中的位置选择性使得界面在迁移前、后的结构保持不变;合金元素在界面处具有不同的贫化和聚倾向,在所有的界面处,Ni聚而V贫化,Al在界面(001)//(001)·1/2[100]处贫化在其他界面处聚;同种合金元素在不同界面处的聚和贫化程度不同。

  • 标签: 界面迁移特征 溶质偏聚 位置选择性 微观相场 有序畴界