简介：进入2018年，部分Si基GaN电力电子器件获得JEDEC和AEC—Q101认证，产品可靠性正在获得认可。同时，8英寸Si基GaN外延和器件加工技术不断取得突破，未来技术成熟后将进一步降低产品成本。在可靠性提升和成本降低等因素促进下，Si基GaN电力电子器件将迎来快速发展阶段。

简介：分析了空基平台信息化装备的特点和空基平台信息化装备研发能力建设面临的问题,提出了采用DoDAF2.0体系结构框架进行研发能力建设规划的思路,并对空基平台信息化装备的能力建设规划进行了具体建模,解决能力建设规划本身及其与能力建设项目、能力环境之间关系问题。进而对体系结构框架对我国研发能力建设规划、行业研发能力互操作性中可发挥的作用进行了探讨。

简介：

简介：据商业杂志LEDinside报道,2017年全球LED市场将遭遇更激烈的竞争,细间距LED屏显、红外LED等市场可能成为LED商家们分羹夺利的关键,预测2017年LED市场份额达154亿美元,与2016年相比增长4%。市场研究员认为,今年LED市场的预计增幅不多,但全行业会面临一些巨大变化。

简介：天基预警系统资源调度是一项重要而棘手的问题。对预警任务特性进行了分析，在此基础上提出一种基于关键点的任务分解方法，将其转换为可求解的组合优化问题；建立了问题的约束满足模型。针对该模型规模大、变量多的特点，设计一种具有快速求解能力的改进粒子群算法进行求解，该算法采取早熟避免机制，防止粒子群算法易产生的早熟现象。实验结果表明算法能够在给定时间内求得理想的调度方案。

简介：文中对宜普电源转换公司（EPC）Buck转换器EPC9107进行参数测试与分析。测试结果表明,当EPC9107电源模块工作于开关频率1000kHz、宽幅输入电压12-28V时,输出电压恒定3.3V,输出电流约为0-16A,效率最高约为96.1%,功率密度约为14W·cm^-3,转换时间小于4ns,具有良好的抗干扰度和瞬态响应,纹波小于20mV。该模块的整体性能均优于当前硅基DC/DC电源模块。

简介：天地一体化网络是将天基网络作为地面网络的延伸,从而构建覆盖空天地的一体化网络系统。在具有全球信息支持能力的天地一体化网络构建中,天基骨干网络的体系架构是其难点和重点。本文通过分析天地一体化网络体系架构及其发展规律,提出骨干-接入型网络是天地一体化网络体系架构的基本形式,由此得出研究天基骨干网络的重要价值。关于天地一体化天基骨干网络体系架构,创造性提出了基于GEO高轨卫星构建一个由数据网、管理网合二为一的骨干网络的观点,并系统研究了天地一体化天基骨干网络的体系架构以及天基骨干传输网络、天基小S管理网络的关键技术,以期为空天大量目标的在线管理和各类业务的异构接入这两大核心问题提供新的解决途径。

简介：优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RTD）材料结构,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度78kA/cm2,峰谷电流比（PVCR）为7.8。利用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次。

简介：针对天基综合信息系统面临的安全威胁,结合安全需求和约束条件,面向远程空间信息支援任务想定,设计主动可控的安全防护策略规则,并研究安全策略规则的形式化描述方法,进而实现动态可配置的安全策略仿真验证系统,以安全策略规则对安全分发技术的动态部署驱动为例,迭代验证安全策略对安全技术的指导作用。为从策略层面提高天基综合信息系统安全防护部署的可动态配置能力和性能/代价提供解决思路和验证方法。

简介：文章主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO—TFT器件，并通过XRD和透射光谱来对样品的性质进行分析比较，得出采用溅射法制备的ZnO-TFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异，其有较好的c-axis（002）方向择优取向，器件的平均透过率在85％以上。并研究了退后处理对器件性能的影响，并发现快速热退火有利于薄膜的晶化，降低缺陷态密度。

简介：文中设计了一款64点基-4FFT处理器，用改进的CORDIC（MVR-CORDIC）处理单元代替常规FFT处理器中的复数乘法器，改进的CORDIC处理单元在保证SQNR性能下，仅用极少次数的移位加法运算即可完成一次复数乘法，缩减了完成一次基本蝶形运算的时间并减小了面积开销。该FFT处理器结构采用两块独立的RAM，并对中间数据作“乒-乓”式存储操作以节省数据存储时间，从而提高完成一次FFT运算的速度。所设计的FFT处理器通过FPGA进行验证，结果表明平均完成一次64点FFT运算仅需要不到1μs。

简介：全球半导体行业沉积设备供应商AIXTRON凭借其全自动新产品——金属氧化物化学汽相沉积（MOCVD）系统AIXG5＋C,获商业杂志CompoundSemiconductor颁授2016年CSHigh-VolumeManufacturingAward奖项。该奖项是业界对国际化合物半导体行业内的关键创新领域进行评判,围绕芯片制造工艺流程,强调对业界发展所作出的贡献。AIXTRON方面表示,AIXG5＋C是全球首套完备的MOCVD系统解决方案,可以满足硅基氮化镓LED和功率器件领域的外延类产品需求。该产品融合两项关键性创新,

简介：文章介绍了金属基制作面临的问题及其解决方法。

简介：<正>东芝公司最新发布了一系列500KA和750KA的不间断电源,供应于有碳化硅基功率器件构建的数据中心。G2020系列运行效率为98%,据称是双倍转换式不间断电源行业内最高的运行效率。与传统的不间断电源相比,G2020系列新产品产生热量、噪声和干扰较小,降温成本较低,也更加节省能源。东芝公司功率器件部门的产品经理JesusPenalver表示,功率电力电子的未来在于碳化硅功率开关转换技术,该技术具有高于传统技术33%的结温,更高的转换开关速度,和极低的转换损耗。G2020系列产品相较前一代产品G9000footprint尺寸缩小17%,比市场同类竞争产品的尺寸最高缩小57%。

简介：我们通过仿真实验探讨了温室下的眯唑基离子液体[BMIm]^＋PF6^-＋AlCl3在银（铜面上）沉积中表现出来种种性质,从而为PCB板上沉银打开了另一扇窗口,尽管真正应用还有一段时日,但是我们坚信其在优化PCB板表面定能一展身手!

简介：一、目前废水回收利用百益无一害，利国利民利己，但是如果设计不专业，不把来水的水质弄清楚，设计出来的废水处理设备是不实用的。最後结果劳民伤财，处理成本让业主不能接受。

简介：锐迪科微电子（以下简称“RDA”）近日宣布累计量产20亿颗GSM功率放大器芯片，并正式推出全系列硅基CMOS工艺的GSM功率放大器RTM72xx产品。自2007年7月份推出第一款GSM射频功率放大器芯片（以下简称“PA”）以来，RDA凭借其产品稳定可靠的品质和卓越优良的性能，获得了客户的广泛认可。截止2017年2月份，实现累计出货20亿颗。历经近十年的市场严酷考验，RDA的GSMPA芯片已成功应用于各个平台的手机和模块中，RDA成为GSM市场最成功的本土PA公司。

简介：GaN基功率器件技术正在快速发展，其应用已扩展到包括太阳能逆变器在内的更广阔的应用领域。由于固有的针对高、低压电能变换拓扑的可扩展性，并且其优值（FOM）较Si基器件有非常冠著的改善，GaN功率产品注定会埘未来高效光伏太阳能逆变器／变换器产生直接的影响。GaN基器件能降低每一级电能变换所带来的损耗，所以它将有助于增加收集到的总能量。将其与驱动集成电路和其它部件集成在一起，可以缩小系统尺寸，并推动大规模的商业化生产。本文介绍了GaN基功率技术的最新进展、未来产品路线的发展趋势，以及传统逆变器的和光伏微逆变器中AC／DC和DC／DC拓扑的实测结果和仿真实例。