简介:解析几何的基本思想是用代数的方法来研究几何,为了把代数运算引到几何中来,最根本的做法就是使几何结构代数化、数量化。我们知道,在平面上建立直角坐标系后,平面上的点和一对有序实数之间建立起了一一对应关系,从而使平面上的曲线可以用两个变量所满足的方程来表示,並且可以通过对方程的讨论来研究曲线的性质。在平面上建立极坐标系同样使得平面上的点和一对有序实数建立对应关系,平面上的曲线也可以用两个变量所满足的方程来表示。有些曲线在极坐标系中的方程比在直角坐标系中容易建立,而且形式也简单得多,更便于研究和讨论。由此可见,我们在平面上建立坐标系,不仅使得平面上的点与一对有序实数之间建立起对应关系、平面上的曲线与二元方程之间建立起对应关系,而且建立怎样的坐标系直接影响曲线方程建立的难易、形式的繁简。为此,本文试在平面上建立一种新的坐标系,在该坐标系内某些曲线的方程比较容易建立,形式也比较简单。
简介:摘要进入上世纪90年代以后,阿尔及利亚政局逐渐平稳,伴随着世界能源价格的逐渐高涨,该国经济也步入了一个较为高速的发展阶段。现有的公路网已经不能满足其运输要求,而越来越多的国内企业正在或已经进入非洲从事公路建设,本文以阿尔及利亚东西高速公路西段采用的几何设计规范为例,简单介绍北非地区阿尔及利亚平面几何设计规范,以供国内设计人员参考。
简介:摘要在混成式InSb焦平面器件制造过程中,热冲击引起的芯片碎裂是造成器件失效的主要原因,其较高的碎裂概率严重制约InSb焦平面器件成品率。针对InSb焦平面器件温度循环下碎裂的现象,设计出热冲击试验装置,采用该装置,对InSb焦平面器件进行热冲击试验,获得InSb焦平面器件碎裂位置、分布等丰富的试验数据;通过对碎裂机理进行分析,梳理并识别生产过程中引起碎裂的工艺因素,确定了热失配应力和工艺损伤是造成InSb焦平面器件碎裂的两个主要原因。通过对底部填充材料的择优选择、固化过程的优化,控制芯片切割中的进刀速度,选择适合InSb材料的磨料,减少热失配应力,避免生产过程中引入的工艺损伤,降低了InSb焦平面器件碎裂的概率,显著提高InSb焦平面器件的成品率。该研究工作分析了混成式InSb焦平面器件碎裂机理,找到了引起InSb焦平面器件碎裂的主要原因,并采取有效措施,降低了碎裂概率,使成品率提高50%,提升InSb焦平面器件的制造水平,将InSb焦平面器件应力分析结果应用于制造过程,指导探测器结构设计和工艺优化,对320*256、640*512中规模InSb焦平面器件研制具有重要意义。