简介：综合论述了基于碳化硅（SiC)材料制备的四层器件在脉冲功率领域的应用现状或前景。调研了SC超级门极可关断晶闸管（supergateturn-offthyristor,SGTO)的研究进展，总结了近年来获得的实验结果。实验研究了SiC发射极可关断晶闸管（emitterturn-offthyristor，ETO)的开通过程。结果表明，开通dl/R可以在一定条件下受控，以适应脉冲功率或电力电子变换的不同需求，实验获得最大功率密度为329kW*cm_2。建立了SiC反向开关晶体管（reverselyswitcTeddynistor，RSD)二维数值模型，论证了开通原理的可行性，热电耦合模型以SiC本征温度为依据据，SiCRSD的功率密度达MWvm^量级。

简介：快Z箍缩在强辐射效应、惯性约束聚变、材料特性、天体物理和其他高能量密度物理方面具有重要应用,要满足上述多种需求,迫切需建电流数十兆安、前沿百纳秒,功率百太瓦级的脉冲功率驱动源。本文综述了Marx水线电容储能多级脉冲压缩传统技术路线和直接驱动FLTD型技术路线的快Z箍缩百太瓦级脉冲驱动源的研究现状、发展趋势,分析了两种技术路线的主要制约因素和前景,梳理了研制百太瓦级、电流数十兆安的快Z箍缩驱动源需要解决的主要关键技术和科学问题。

简介：介绍了一种小型的高压纳秒脉冲发生器,该发生器的主要结构单元包括螺旋型多倍宽脉冲形成线和电晕火花开关。其中,螺旋型多倍宽脉冲形成线由Tesla外线和多段螺旋阶梯内线构成,阶梯线置于Tesla内磁芯的内部,结构紧凑;电晕火花开关有利于发生器的重频稳定工作。该发生器整体长度约630mm,形成线采用MIDEL7131合成酯介质,以5倍脉宽形成脉冲时可以输出23ns脉冲,波形前沿快,平顶好,输出脉冲电压约105kV,重频30Hz。

简介：程开甲院士在其70余年的学术生涯中,为物理学基础研究、中国核武器研制与试验、大科学大工程管理等做出了重大贡献。程开甲院士科学研究的成功之路,既有历史、文化、科学诸要素的相互影响,也有个人、群体、国家各层面的互相作用。他的学术成长经历既反映了老一辈科学家学术成长的群体特征,也体现了国防科技专家学术成长的特殊径迹。本文解析了程开甲院士学术成长历史现象,为当代科技创新人才培养提供典型案例借鉴。

简介：在自动控制领域中,实现复杂的机械动作离不开对电机转速的精确控制。基于脉冲宽度调制的直流电机调速方式,可使电机转速在调节过程中变化连续而平稳。通过调节矩形波信号的占空比,控制调速电路上下桥臂导通与截止时间的比例,改变电枢供电电压的有效值,以实现对电机转速的精确控制。

简介：为了定量研究核数据的不确定度对西安脉冲堆keff计算结果的影响，利用国际上常用的敏感性和不确定度分析软件TSUNAMI-3D-K6及不同核数据库中的核截面数据，分析计算了西安脉冲堆两种堆芯布置下的keff及其不确定度。结果表明：核截面数据的不确定度会导致keff的不确定度在0．5％左右，核素234U的裂变中子产额对keff不确定度的贡献最大，西安脉冲堆不同堆型下，由共振自屏计算得到的隐式敏感性系数差异较小，不同堆芯布置下计算得到的keff不确定度差异不大。

简介：建立了等效基带模型的频域方法,分析了大口径反射面天线微波短脉冲辐射特性,理论推导了辐射场基带波形的重构方法。以Ku波段4.5m口径的单反射面天线为例进行仿真验证,重构出天线主瓣、3dB波束方向、第1,2,3旁瓣的辐射场基带波形。仿真结果表明：在主瓣和3dB波束方向辐射场波形与辐射源基带波形完全一致,但是第1,2,3旁瓣辐射场波形出现轻微畸变。

简介：由于侵彻问题的靶介质逐渐多样化，动态空腔膨胀模型也已应用于金属、混凝土之外的岩石、泥土和陶瓷等介质的深层侵彻问题，侵彻阻力已不仅仅包括靶材静强度项和流动阻力（速度二次方），还应包括靶材的黏性项和附加质量项，也即σ=a＋bv＋cv^2＋dv，其中a，b，c和d是材料系数。伴随多种靶材的高速侵彻问题的研究，最近10年来人们越来越关注起它在侵彻／穿甲力学研究中的应用。

简介：随着脉冲功率技术的发展，源的功率水平、重复频率高低，电子束输出品质和系统集成度等要求越来越高。而传统技术具有局限性：如Marx发生器能量利用效率低；基于电感储能技术的装置由于断路开关随着导通时间增大断路抖动变大，不利于多系统集成；而脉冲变压器充电、长脉冲形成线放电的装置体积很大。

简介：简要介绍了强电磁脉冲环境及效应等方面的研究内容和进展状况,讨论了强电磁效应和评估与一般的电子战、电磁干扰、子系统之间的电磁兼容等之间的共同性和差异,并简要介绍了电磁防御的措施.

简介：在“强光一号”加速器上,对LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进行了脉冲γ辐照效应实验研究,获得了单片机的闩锁阈值,并得到了单片机和电源芯片的扰动时间随剂量率的变化规律,从实验上证实了电源芯片对单片机脉冲γ辐照闩锁效应的抑制作用.

简介：在康普顿电流和电导率相同的条件下,分别采用高频近似模型和入射-出射波模型对早期高空核电磁脉冲场进行一维计算,得到了地面上电场峰值的分布图以及爆心下方、空间某测试点的电场分量波形比对图。分析表明,计算结果符合对早期高空核电磁脉冲的规律性认识,同时两种方法得到的电场峰值、上升沿、脉宽、下降沿以及整体形状差异很小,说明两者均适用于早期高空核电磁脉冲场的计算。比较而言,高频近似模型的理论来源清晰、方程形式简单,便于求解,所以在实际研究中大多采用该模型。

简介：结合脉冲中子管的结构特征,建立了一套基于Al_2O_3单晶闪烁屏和CCD相机的中子管氘离子束束流截面测量系统。闪烁屏直径为15mm,厚度为0.5mm。为了降低测量本底,CCD相机工作在触发模式。利用有限元分析软件,模拟计算了典型中子管束流参数下的闪烁屏温度,并利用该测量系统获得了中子管氘离子束在靶面处的典型强度分布。结果表明,该测量系统可以准确地反映脉冲离子束束流的横向强度分布特征。

简介：介绍了兆伏级有界波电磁脉冲模拟器脉）中源的组成及特点。通过数值模拟分析了模拟装置等效电路,给出了峰化电容及输出开关对装置输出波形的影响,总结了峰化单元的设计特点,提出了一种低气压、低电压短间隙放电等效高气压、高电压长间隙放电的方法。同时,基于等效方法设计了结构尺寸为1：1验证实验,实测了实验电路输出电场波形。实验结果表明,采用电容、开关、天线一体化的结构设计,能够最大限度地减小峰化回路的电感,输出双指数波上升沿可达到1.8ns。该实验为兆伏级有界波电磁脉冲模拟器峰化段的设计提供了参考。

简介：为了研究弹丸头部形状以及初速对薄钢靶穿甲机理的影响，本文针对平头和球头弹丸对薄钢靶的穿甲问题，采用数值模拟的方式，基于文献试验数据和材料参数，利用LS-DYNA软件对质量m=38．5g，φ12．7mm的平头和球头弹丸以V0=200～900m／s的初速分别正穿ht=1．6mm和ht=3．2mm厚的靶板进行了数值模拟研究，主要讨论了弹丸头部形状、初速以及靶板厚度对弹丸穿靶机理的影响，并分析了弹靶撞击的结构响应和材料响应，通过研究获得了上述因素弹丸穿靶机理影响的认识。主要结果如图1和图2(局部放大)所示。研究结果表明：

简介：2017年7月28日,中央军委颁授“八一勋章”和授予荣誉称号仪式在北京隆重举行.“两弹一星”功勋奖章获得者程开甲院士、“创新强军马伟明模范团队”荣誉称号获得者马伟明院士荣获“八一勋章”.

简介：在未采取预电离措施的情况下，研究了纯sf6气体及sf6/h29sf6/c2h6两种混合气体激光介质脉冲放电特性。实验结果表明，无预电离时SF68其混合气体介质可以实现自引发体放电，气体介质体放电维持电压主要由SF,;含量决定，C2H6具有抑制电弧的作用，可以有效延长体放电维持时间。分析认为，sf66体高折合场强E/P导致的放电通道电流密度受限和高电负度■引起的放电通道中负离子分解产生二次电子，是介质实现自引发体放电的重要机理。