简介:<正>英飞凌科技股份公司推出全新的650VCoolMOSTMC6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效率。CoolMOSTMC6/E6是来自英飞凌的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET。全新的650VCoolMOSTMC6/E6器件具备快速、可控的开关性能,适用于效率和功率密度是关键要求的应用。650VCoolMOSTMC6/E6器件易于应用,是各种高能效开关产品的理想之选,例如笔记本电脑适配器、太阳能逆变器和其他需要额外击穿电压裕量的开关电源(SMPS)产品。相对于CoolMOSTMC3650V系列,全新650VCoolMOSTMC6/E6器件输出电容(Eoss)的储电量降幅高达20%,而C6/E6器件经过改进的体二极管具备更高的硬换相耐受性,并可使反向恢复电荷降低约25%。得益于调谐栅极电阻的平衡设计,C6/E6器件的开关行为能够避免过高的电压和电流变化率。邹勉摘编
简介:一个分布式电源分配方案,以最大限度地提高系统的容量密集的小细胞网络。一种新的信号称为细胞间的信号干扰噪声比(isinr)以及其修改定义显示系统容量的代数性质。随着isinr的帮助下,我们要确定系统容量的局部单调性的一种简单方法。然后在每个子信道上的迭代,我们把小细胞进化的节点B(senbs)分成不同的亚群。对于第一个子集,总速率是凸的相对于功率域和功率优化分配。另一方面,第二子集,和速率是单调递减的,senbs会放弃这个迭代信道。采用迭代策略,提高系统容量。仿真结果表明,该方案可以实现更大的系统容量比传统的。该方案可以实现一种很有前途的硬件性能和信令开销。
简介:
简介:<正>皇家飞利浦电子公司日前推出业内首个大功率、全数字D类放大器解决方案半导体参考设计。飞利浦整合了脉宽调制(PWM)技术,为用户带来高性能、即插即用的基于TDA8939TH的参考设计,单一封装可提供高达140W的RMS输出。飞利浦TDA8939TH提供全数码放大器解决方案,具有高功率下的耐用性能和适合轻便型应用的小体积造型。另外,该参考设计整合的PWM控制器避免了附加声音处理芯片的需要。这使飞利浦能向客户提供一套完整的放大模块以帮助他们开发高级音频解决方案,并在缩短产品上市时间的同时提高性能。除了全数字、大功率解决方案之外,飞利浦的TDA8939TH放大器芯片还提供绝佳的定时精度和电磁兼容性。
简介:<正>恩智浦半导体近日宣布已和北京建广资产管理有限公司(简称"建广资产")达成协议,同意向其出售恩智浦射频功率事业部。根据协议内容,建广资产将为购买此事业部支付18亿美元。该交易将在获得相关监管部门批准后生效。恩智浦射频功率事业部是高性能射频功率放大器市场的领导者之一,目前主要专注于蜂窝基站市场,同时在未来的工业照明、下一代烹饪和汽车电子点火系统领域的应用中也很有发展潜力。恩智浦首席执行官RichardClemmer表示:"成立一家专注于射频功率放大器市场的新公司对建广资产来说是一项突破性的交易,对我们的客户也意义重