简介:简要阐述了智慧城市建设模式差异,对智慧城市建设采用系统工程的理论和方法的重要性进行了讨论,然后提出智慧城市系统工程进行设计创新的几个问题。
简介:在亚微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关,对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求。由于光刻工艺中存在的套刻偏差,使得后续源漏注入剂量会在多晶栅上有所偏差,影响了后续TiSi在多晶栅上的生长。文章采用多晶栅上生长一层LPCVDSiN作为掩蔽层的方法,避免了由于光刻套刻偏差引入的注入剂量偏差,改善了后续多晶栅上TiSi的生长。通过对As注入和P注入在不同SiN厚度掩蔽层下穿透率的研究发现40nm左右基本可以阻挡95%的N+S/DAs注入剂量而保留80%的多晶栅P注入剂量。该种掩蔽层方法有很多优点:源漏注入的条件不用更改;多晶栅注入的可调节剂量范围大大增加,可以更好地保持重掺杂多晶栅特性。
简介:针对卫星仿真工具包(STK)分布式仿真系统集成问题,提出了基于STK/Connect中间件和STKX组件技术的两种仿真模式,依次对其工作原理和实现方法进行了描述。同时分析了两者的约束条件、应用程序设计复杂度与性能、开发效率以及已有成果改动量等,并进行两者优缺点的比较。最后,以武器攻防对抗为背景进行了仿真。结果表明,基于STKX组件的仿真模式在程序设计复杂度、性能和开发效率等方面均优于STK/Connect中间件,且后者在成果改动工作量方面更具优势。