简介:本文主要是研究连续变量遗传系统Volterra方程的第二型,即x(t+h0)=η(t+h0)+F(t,(x(t),x(t—ht)…,x(t-h0)的p-均值可积性.同时举例说明了此方程的Lyapunov泛函的构造,以及利用Lyapunov泛函证明了例子的均方可积性.
简介:本文中,我们讨论了矩阵方程AXB=D的最小二乘Hermite解,通过运用广义奇异值分解(GSVD),获得了解的通式。此外,对于给定矩阵F,也得到了它的加权最佳逼近表达式。
简介:针对O型高功率微波产生器件采用的无箔二极管结构,在引导磁场为0.6T的条件下,研究了二极管电压、电流、阴阳极间距、漂移管管头倾角和阳极半径等参数对电子束包络的影响。结果显示:阴极附近和漂移管内部的电子束包络随二极管参数的变化规律有明显差异,阴极附近电子束包络幅值较小并不能确保漂移管内部电子束包络幅值较小;适当增大二极管阻抗有助于减小漂移管内电子束包络幅值;受电子束径向运动的空间周期性影响,漂移管内部的电子束包络幅值随阴阳极间距增大会出现振荡变化;漂移管管头倾角超过90°后,管头倾角对电子束包络幅值影响很小;当阳极半径明显大于阴阳极间距时,阳极半径对漂移管内电子束包络幅值的影响也较小。通过合理优化二极管参数,可以有效减小电子束包络幅值,这是低磁场O型高功率微波器件稳定工作的重要基础。
简介:一、一元选择题(每小题3分,共30分)1.(m2-m-2)x2+mx+2=0是关于x的一元二次方程,则m的取值范围是( )(A)m≠-1 (B)m≠2(C)m≠-1且m≠2 (D)m≠02.关于x的方程(m-2)x2+(1-2m)x+m2-4=0有一个根是零,则m的值应是( )(A)12 (B)-2 (C)2 (D)±23.方程x(x+2)=2(x+2)的解是( )(A)x=2 (B)x=2或x=-2(C)x=-2 (D)无解4.方程2(m-1)x+1=(|m|-1)x2,只有一个实根x,则m=( )(A)-1 (B)0 (C)1 (D)125.已知a、b、c为任意实数,则方程x2-(a+b)
简介:对比了ICP刻蚀和湿法腐蚀制备台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管(APD)时侧壁、表面形貌的不同,以及对暗电流和击穿电压的影响。在Cl2/Ar2/CH4条件下感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP会出现表面粗糙,对其原因进行了探究。并主要对ICP的刻蚀时间和刻蚀功率进行了优化,提高刻蚀表面的温度,保证了刻蚀的稳定性并改善了InP刻蚀表面的形貌,确定了稳定制备APD器件的刻蚀条件,最终制备出性能优良的台面型APD器件。